HMC405
v02.1007
的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 10 GHz的
2
DRIVER &增益模块放大器 - CHIP
典型应用
一个优秀的可级联50欧姆
增益模块或LO驱动程序：
微波& VSAT收音机
测试设备
军事EW ， ECM ， C I
空间电信
3
特点
增益： 16分贝
的P1dB输出功率： +13 dBm的
稳定的增益过温
50欧姆的I / O
小尺寸： 0.38 X 0.58 X 0.1毫米
工作原理图
概述
该HMC405模具是GaAs的InGaP异质结
双极晶体管（ HBT ）增益模块MMIC DC到
10 GHz的放大器。该放大器可以用作任
一个可级联的50欧姆增益级或驱动
LO混频器HMC高达+17 dBm的输出功率。
该HMC405提供增益和输出16dB的
+32 dBm的同时，需要从一个只有50毫安IP3
+ 5V电源。达林顿的反馈对使用结果
在正常的工艺变化的敏感性降低
和过热产量出色的增益稳定性
而需要外部偏压的最小数量
组件。该HMC405可以很容易地集成
与多芯片模块（ MCM的），由于它的小
(0.22mm
2
）的大小。所有数据是在一个50欧姆的芯片
测试夹具通过0.025毫米（ 1密耳）直径的连接
最小长度0.5毫米引线键合（20密耳）。
电气电源规格，
VS = + 5V ， Rbias两端= 22欧姆，T
A
= +25° C
参数
收益
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 10.0 GHz的
DC - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
分钟。
典型值。
16
15
13
0.004
0.015
0.02
10
11
9
10
20
17
15
13
10
30
25
22
4
4.5
50
马克斯。
单位
dB
dB
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
mA
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
注：随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
2 - 20
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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获得&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
S21
S11
S22
增益与温度
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
0
1
2
3
4
5
2
DRIVER &增益模块放大器 - CHIP
2 - 21
0
-5
-10
-15
-20
0
1
2
3
4
5
增益（dB ）
5
+25 C
+85 C
-55 C
6
7
8
9
10
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
-3
回波损耗（分贝）
+25 C
+85 C
-55 C
-3
回波损耗（分贝）
+25 C
+85 C
-55 C
-6
-6
-9
-9
-12
-12
-15
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
-15
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
噪声系数与温度
10
9
-5
噪声系数（dB ）
+25 C
8
7
6
5
4
3
2
1
+25 C
+85 C
-55 C
-10
+85 C
-55 C
-15
-20
-25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
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P1dB为与温度的关系
20
18
16
14
P1dB的（ DBM）
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-55 C
PSAT与温度的关系
20
18
16
14
PSAT （ DBM）
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-55 C
功率压缩@ 1 GHz的
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
功率压缩@ 7 GHz的
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
噘
收益
PAE
噘
收益
PAE
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
-6
-4
-2
0
2
4
6
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系
34
32
30
28
26
IP3 （ dBm的）
24
22
20
18
16
14
12
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-55 C
增益，功率，输出IP3 &供应
电流与电源电压@ 1 GHz的
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， IP3 （ dBm的）
40
35
30
25
ICQ （毫安）
20
15
10
5
0
4.5
4.75
5
VS （VDC ）
5.25
ICQ
收益
P1dB
PSAT
IP3
80
60
40
20
0
5.5
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绝对最大额定值
收集器偏置电压
RF输入功率（ RFiIN ） （ VCC = + 5VDC ）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免5.21毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结死底部）
储存温度
工作温度
+7伏
+10 dBm的
150 °C
0.339 W
192 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
2
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2 - 23
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.英寸[毫米]为所有尺寸
2.所有公差为± 0.001 （ 0.025 ）
3. DIE厚度为0.004 （ 0.100 ）背侧地面
4.键合焊盘0.004 （ 0.100 ） SQUARE
5.焊盘间距， CTR- CTR ： 0.006 （ 0.150 ）
6.背面金属：金
7.焊盘金属化：金
芯片封装信息
[1]
标准
GP-3
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
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PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
1
RFIN
该引脚的直流耦合。
一芯片外的隔直流电容。
2
RFOUT
RF输出和直流偏置的输出级。
DIE
底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
应用电路
注意：
1.选择Rbias两端用以下公式来实现ICQ，
RBIAS > 22欧姆。
2.外部隔直电容，需要在
RFIN和RFOUT 。
ICQ = VS - 3.9
RBIAS
推荐元件值
频率（MHz）
部件
50
L1
C1, C2
270 nH的
0.01 μF
1000
56 nH的
100 pF的
3000
8.2 nH的
100 pF的
7000
2.2 nH的
100 pF的
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