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HMC397
v01.1007
的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器, DC - 10 GHz的
2
DRIVER &增益模块放大器 - CHIP
典型应用
一个优秀的可级联50欧姆
增益模块或LO驱动程序:
微波& VSAT收音机
测试设备
军事EW , ECM , C I
空间电信
3
特点
增益: 15分贝
的P1dB输出功率: +15 dBm的
稳定的增益过温
50欧姆的I / O
小尺寸: 0.38 X 0.58 X 0.1毫米
工作原理图
概述
该HMC397模具是GaAs的InGaP异质结
双极晶体管( HBT )增益模块MMIC DC到
10 GHz的放大器。该放大器可以用作任
一个可级联的50欧姆增益级或驱动振
HMC的混频器具有高达+ 16dBm的输出功率。该
HMC397提供的增益为15 dB和输出的IP3
+32 dBm的同时,从+ 5V电源要求只有56毫安。
达林顿的反馈对使用能减少
敏感性正常的工艺变化和收益率
温度过高而出色的增益稳定性
需要外部偏压的最小数目的COM
元件。该HMC397可以很容易地集成到
多芯片模块( MCM的) ,由于其小( 0.22毫米
2
)
尺寸。所有数据是在一个50欧姆的测试夹具的芯片
通过对0.025毫米( 1密耳)直径的引线键合连接
最小长度0.5毫米(20密耳)。
电气电源规格,
VS = + 5V , Rbias两端= 22欧姆,T
A
= +25° C
参数
收益
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 10.0 GHz的
DC - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
DC - 7.0 GHz的
7.0 - 10.0 GHz的
分钟。
典型值。
15
14
12
0.004
0.015
0.02
15
14
15
13
18
16
15
13
10
30
24
22
4.5
6
56
马克斯。
单位
dB
dB
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
mA
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流(WinSock )
注:随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
2 - 14
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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v01.1007
的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器, DC - 10 GHz的
获得&回波损耗
20
15
10
响应( dB)的
增益与温度
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
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1
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3
4
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DRIVER &增益模块放大器 - CHIP
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0
-5
-10
-15
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0
1
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3
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5
S22
增益(dB )
5
S21
S11
+25 C
+85 C
-55 C
6
7
8
9
10
5
6
7
8
9
10
频率(GHz )
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗(分贝)
-10
回波损耗(分贝)
-5
+25 C
+85 C
-55 C
-5
+25 C
+85 C
-55 C
-10
-15
-15
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率(GHz )
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率(GHz )
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度(dB )
噪声系数与温度
10
9
-5
噪声系数(dB )
+25 C
+85 C
-55 C
8
7
6
5
4
3
2
1
+25 C
+85 C
-55 C
-10
-15
-20
-25
0
1
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3
4
5
6
7
8
9
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频率(GHz )
0
1
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4
5
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频率(GHz )
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的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器, DC - 10 GHz的
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DRIVER &增益模块放大器 - CHIP
输出P1dB为与温度的关系
20
18
16
14
P1dB的( DBM)
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-55 C
PSAT与温度的关系
20
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PSAT ( DBM)
12
10
8
6
4
2
0
0
1
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3
4
5
6
7
8
9
10
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-55 C
功率压缩@ 1 GHz的
20
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14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
功率压缩@ 7 GHz的
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
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POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
收益
PAE
收益
PAE
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
-6
-4
-2
0
2
4
6
输入功率(dBm )
输入功率(dBm )
输出IP3与温度的关系
34
32
30
28
26
IP3 ( dBm的)
24
22
20
18
16
14
12
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-55 C
增益,功率,输出IP3 &供应
电流与电源电压@ 1 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , IP3 ( dBm的)
40
35
30
25
ICQ (毫安)
20
15
10
5
0
4.5
4.75
5
VS ( V)
5.25
ICQ
收益
P1dB
PSAT
IP3
80
60
40
20
0
5.5
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的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器, DC - 10 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压(VCC )
RF输入功率( RFIN ) ( VCC = + 5VDC )
结温
连续PDISS (T = 85°C )
(减免5.21毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(结死底部)
储存温度
工作温度
+7伏
+10 dBm的
150 °C
0.339 W
192 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
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2 - 17
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项:
1.英寸[毫米]为所有尺寸
2.所有公差为± 0.001 ( 0.025 )
3. DIE厚度为0.004 ( 0.100 )背侧地面
4.键合焊盘0.004 ( 0.100 ) SQUARE
5.焊盘间距, CTR- CTR : 0.006 ( 0.150 )
6.背面金属:金
7.焊盘金属化:金
芯片封装信息
[1]
标准
GP-3
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息,请联系赫梯
微波公司。
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的InGaP HBT增益模块
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2
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PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
1
RFIN
该引脚的直流耦合。
一芯片外的隔直流电容。
2
RFOUT
RF输出和直流偏置的输出级。
DIE
底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
应用电路
注意:
1.选择Rbias两端用以下公式来实现ICQ,
RBIAS > 22欧姆。
2.外部隔直电容,需要在
RFIN和RFOUT 。
ICQ = VS - 3.9
RBIAS
推荐元件值
频率(MHz)
部件
50
L1
C1, C2
270 nH的
0.01 μF
1000
56 nH的
100 pF的
3000
8.2 nH的
100 pF的
7000
2.2 nH的
100 pF的
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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