HMC395
v01.1007
的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 4 GHz的
2
DRIVER &增益模块放大器 - CHIP
典型应用
一个优秀的可级联50欧姆
增益模块或LO驱动程序：
微波& VSAT收音机
测试设备
军事EW ， ECM ，C
3
I
空间电信
特点
增益： 15分贝
的P1dB输出功率： +16 dBm的
稳定的增益过温
50欧姆的I / O
小尺寸： 0.38 X 0.58 X 0.1毫米
工作原理图
概述
该HMC395模具是GaAs的InGaP异质结双
极晶体管（ HBT ）增益模块单片DC - 4 GHz的
放大器。该放大器芯片可以被用作一个
可级联50欧姆增益级或驱动的LO
HMC混合器以高达+ 17dBm的输出功率。该
HMC395提供的增益为16 dB和输出的IP3
+ 31dBm的同时，只需要54毫安从+ 5V电源。
达林顿的反馈对使用能减少
敏感性正常工艺变化和产量EX-
cellent获得的温度稳定性，同时要求
外部偏置元件的最小数量。该
HMC395可以很容易地集成到多芯片级
芯片模块（MCM ），由于它的小的（ 0.22毫米
2
）的大小。所有
数据是与连接在一个50欧姆的测试夹具的芯片
通过最小0.025毫米（ 1mil的）直径的引线键合
长0.5毫米（ 20密耳） 。
电气电源规格，
VS = + 5.0V ， Rbias两端= 22欧姆，T
A
= +25° C
参数
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 4.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 4.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 4.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 4.0 GHz的
DC - 4.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 4.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 4.0 GHz的
DC - 4.0 GHz的
分钟。
典型值。
16
15
0.004
0.008
18
15
17
10
19
16
15
10
31
28
22
4.5
54
马克斯。
单位
dB
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
mA
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
注：随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
2-2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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获得&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
增益与温度
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
2
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2-3
S22
增益（dB ）
S21
S11
+25C
+85C
-55C
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-55C
-10
-15
-15
-20
-25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
-20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
噪声系数与温度
10
9
-5
噪声系数（dB ）
+25C
8
7
6
5
4
3
2
1
+25C
+85C
-55C
-10
+85C
-55C
-15
-20
-25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
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P1dB为与温度的关系
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
PSAT与温度的关系
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
1
1.5
2
2.5
+25C
+85C
-55C
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
+25C
+85C
-55C
4.5
5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
功率压缩@ 1 GHz的
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
功率压缩@ 4GHz的
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-20 -18 -16 -14 -12 -10
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
噘
收益
PAE
噘
收益
PAE
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
-8
-6
-4
-2
0
2
4
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系
34
32
30
28
26
IP3 （ dBm的）
24
22
20
18
16
14
12
10
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
增益，功率，输出IP3 &供应
目前vs.Supply电压@ 1 GHz的
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， IP3 （ dBm的）
40
35
30
25
ICQ （毫安）
20
15
10
5
0
4.5
4.75
5
VS （VDC ）
5.25
ICQ
收益
P1dB
PSAT
OIP3
80
60
40
20
0
5.5
2-4
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绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VCC = 5.0 V直流）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免7.3毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结死底部）
储存温度
工作温度
7.0伏
+10 dBm的
150 °C
0.475 W
137 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
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2-5
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.英寸[毫米]为所有尺寸
2.所有公差为± 0.001 （ 0.025 ）
3. DIE厚度为0.004 “ （ 0.100 ）背侧地面
4.键合焊盘0.004 “ （ 0.100 ） SQUARE
5.焊盘间距， CTR- CTR ： 0.006 （ 0.150 ）
6.背面金属：金
7.焊盘金属化：金
芯片封装信息
[1]
标准
GP-3
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
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PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
1
RFIN
该引脚的直流耦合。
一芯片外的隔直流电容。
2
RFOUT
RF输出和直流偏置的输出级。
DIE
底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
应用电路
注意：
1.选择Rbias两端用以下公式来实现ICQ，
RBIAS > 22欧姆。
2.外部隔直电容，需要在
RFIN和RFOUT 。
ICQ = VS - 3.9
RBIAS
推荐元件值
频率（MHz）
部件
50
L1
C1, C2
270 nH的
0.01 μF
100
270 nH的
0.01 μF
500
100 nH的
500 pF的
1000
56 nH的
100 pF的
4000
8.2 nH的
100 pF的
2-6
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