HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HMC376LP3 / HMC376LP3E是理想的：
蜂窝/ 3G基础设施
基站&中继器
CDMA，W -CDMA中， &的TD-SCDMA
私人陆地移动无线电
GSM / GPRS & EDGE
UHF重新分配应用程序
特点
噪声系数： 0.7分贝
输出IP3 ： +36 dBm的
增益： 15分贝
外部可调的电源电流
单正电源： + 5V
50欧姆匹配输入/输出
工作原理图
概述
该HMC376LP3 & HMC376LP3E是砷化镓PHEMT
MMIC低噪声放大器，适用于GSM
& CDMA蜂窝基站前端接收器
在700和1000 MHz的操作。该放大器
经过优化，提供0.7分贝噪声系数，
15分贝增益和+36 dBm的输出IP3从单一
供给+ 5V 。该HMC376LP3 （ E）配备了
外部可调电源电流允许
设计师量身打造的低噪声放大器的线性性能
为每个应用程序。对于应用程序需要
改进的噪声系数，请参阅HMC617LP3 （ E） 。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V + ， Rbias两端= 10欧姆*
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
（ -20 dBm的每个音输入功率， 1 MHz的音调间隔）
电源电流（ IDD）
* Rbias两端的电阻值设置电流，请参阅应用电路于此。
12.5
分钟。
典型值。
810 - 960
14.5
0.005
0.7
13
12
20
21.5
22
36
73
0.01
1.0
11.5
马克斯。
分钟。
典型值。
700 - 1000
14.5
0.005
0.7
14
12
22
21
22
36
73
0.01
1.0
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
7-1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
宽带增益&回波损耗
25
增益与温度
20
+25C
+85C
- 40C
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
15
响应（ dB）的
18
5
S21
S11
S22
增益（dB ）
1.75
2
16
-5
14
-15
12
-25
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
频率（GHz ）
10
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
输入回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-40 C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
-10
-10
-15
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
-20
-25
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
-25
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
反向隔离与温度的关系
0
噪声系数与温度
1.6
-5
+25 C
+85 C
-40 C
-10
噪声系数（dB ）
1.2
隔离度（dB ）
+25 C
+85 C
-40 C
0.8
-15
-20
0.4
-25
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
0
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
7
放大器 - 低噪声 - SMT
P1dB为与温度@电流IDD = 73毫安
25
PSAT与温度@电流IDD = 73毫安
25
23
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
23
21
+25 C
+85 C
-40 C
21
+25 C
+85 C
-40 C
19
19
17
17
15
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
频率（GHz ）
0.95
1
15
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
频率（GHz ）
0.95
1
输出IP3与温度@电流IDD = 73毫安
40
增益，噪声系数&
功率与电源电流@ 900 MHz的
24
22
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
噪声系数（dB ）
20
18
16
14
12
60
0.4
70
80
90
100
110
120
收益
P1dB
噪声系数
1
38
0.8
IP3 （ dBm的）
36
34
+25 C
+85 C
-40 C
0.6
32
30
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
频率（GHz ）
电源电流（mA ）
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免11.83毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
8.0伏
+15 dBm的
150 °C
0.769 W
84.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
典型电源电流与Vdd的
与Rbias两端= 10欧姆
VDD （VDC ）
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
73.0
73.4
73.6
推荐偏置电阻值
对于各种独立同
IDD （MA ）
60
70
Rbias两端（欧姆）
12
10
9.1
6.8
5.1
静电敏感器件
观察处理注意事项
80
100
120
7-3
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
外形绘图
7
放大器 - 低噪声 - SMT
包装标志
[3]
H376
XXXX
H376
XXXX
[1]
[2]
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议的土地格局。
包装信息
产品型号
HMC376LP3
HMC376LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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7-4
HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
7
放大器 - 低噪声 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 4, 5, 7, 9,
12 - 14, 16
功能
N / C
描述
无连接需要。这些引脚可以连接
以RF / DC接地。性能也不会受到影响。
接口示意图
2
RFIN
该引脚匹配50欧姆与47 nH的
电感接地。见应用电路。
3, 6, 10
GND
这些管脚和封装的底部必须是
连接到RF / DC接地。
8
水库
该引脚用于设置放大器的直流电流
通过选择外部偏置电阻。
见应用电路。
11
RFOUT
该引脚交流耦合和匹配
从0.7 50欧姆 - 1.0 GHz的。
15
VDD
电源电压。扼流电感和旁路
电容器。见应用电路。
应用电路
注1 ： L1 ， L2和C1位置应尽量靠近引脚越好。
7-5
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HMC376LP3 / HMC376LP3E是理想的：
蜂窝/ 3G基础设施
基站&中继器
CDMA，W -CDMA中， &的TD-SCDMA
私人陆地移动无线电
GSM / GPRS & EDGE
UHF重新分配应用程序
特点
噪声系数： 0.7分贝
输出IP3 ： +36 dBm的
增益： 15分贝
外部可调的电源电流
单正电源： + 5V
50欧姆匹配输入/输出
工作原理图
概述
该HMC376LP3 & HMC376LP3E是砷化镓PHEMT
MMIC低噪声放大器，适用于GSM
& CDMA蜂窝基站前端接收器
在700和1000 MHz的操作。该放大器
经过优化，提供0.7分贝噪声系数，
15分贝增益和+36 dBm的输出IP3从单一
供给+ 5V 。该HMC376LP3 （ E）配备了
外部可调电源电流允许
设计师量身打造的低噪声放大器的线性性能
为每个应用程序。对于应用程序需要
改进的噪声系数，请参阅HMC617LP3 （ E） 。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V + ， Rbias两端= 10欧姆*
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
（ -20 dBm的每个音输入功率， 1 MHz的音调间隔）
电源电流（ IDD）
* Rbias两端的电阻值设置电流，请参阅应用电路于此。
12.5
分钟。
典型值。
810 - 960
14.5
0.005
0.7
13
12
20
21.5
22
36
73
0.01
1.0
11.5
马克斯。
分钟。
典型值。
700 - 1000
14.5
0.005
0.7
14
12
22
21
22
36
73
0.01
1.0
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
7-1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
宽带增益&回波损耗
25
增益与温度
20
+25C
+85C
- 40C
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
15
响应（ dB）的
18
5
S21
S11
S22
增益（dB ）
1.75
2
16
-5
14
-15
12
-25
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
频率（GHz ）
10
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
输入回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-40 C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
-10
-10
-15
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
-20
-25
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
-25
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
反向隔离与温度的关系
0
噪声系数与温度
1.6
-5
+25 C
+85 C
-40 C
-10
噪声系数（dB ）
1.2
隔离度（dB ）
+25 C
+85 C
-40 C
0.8
-15
-20
0.4
-25
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
0
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
7
放大器 - 低噪声 - SMT
P1dB为与温度@电流IDD = 73毫安
25
PSAT与温度@电流IDD = 73毫安
25
23
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
23
21
+25 C
+85 C
-40 C
21
+25 C
+85 C
-40 C
19
19
17
17
15
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
频率（GHz ）
0.95
1
15
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
频率（GHz ）
0.95
1
输出IP3与温度@电流IDD = 73毫安
40
增益，噪声系数&
功率与电源电流@ 900 MHz的
24
22
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
噪声系数（dB ）
20
18
16
14
12
60
0.4
70
80
90
100
110
120
收益
P1dB
噪声系数
1
38
0.8
IP3 （ dBm的）
36
34
+25 C
+85 C
-40 C
0.6
32
30
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
频率（GHz ）
电源电流（mA ）
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免11.83毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
8.0伏
+15 dBm的
150 °C
0.769 W
84.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
典型电源电流与Vdd的
与Rbias两端= 10欧姆
VDD （VDC ）
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
73.0
73.4
73.6
推荐偏置电阻值
对于各种独立同
IDD （MA ）
60
70
Rbias两端（欧姆）
12
10
9.1
6.8
5.1
静电敏感器件
观察处理注意事项
80
100
120
7-3
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
外形绘图
7
放大器 - 低噪声 - SMT
包装标志
[3]
H376
XXXX
H376
XXXX
[1]
[2]
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议的土地格局。
包装信息
产品型号
HMC376LP3
HMC376LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
7-4
HMC376LP3
/
376LP3E
v01.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
7
放大器 - 低噪声 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 4, 5, 7, 9,
12 - 14, 16
功能
N / C
描述
无连接需要。这些引脚可以连接
以RF / DC接地。性能也不会受到影响。
接口示意图
2
RFIN
该引脚匹配50欧姆与47 nH的
电感接地。见应用电路。
3, 6, 10
GND
这些管脚和封装的底部必须是
连接到RF / DC接地。
8
水库
该引脚用于设置放大器的直流电流
通过选择外部偏置电阻。
见应用电路。
11
RFOUT
该引脚交流耦合和匹配
从0.7 50欧姆 - 1.0 GHz的。
15
VDD
电源电压。扼流电感和旁路
电容器。见应用电路。
应用电路
注1 ： L1 ， L2和C1位置应尽量靠近引脚越好。
7-5
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC376LP3
/
376LP3E
v00.1005
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC376LP3 / HMC376LP3E是理想的：
蜂窝/ 3G基础设施
基站&中继器
CDMA，W -CDMA中， &的TD-SCDMA
私人陆地移动无线电
GSM / GPRS & EDGE
UHF重新分配应用程序
特点
噪声系数： 0.7分贝
输出IP3 ： +36 dBm的
增益： 15分贝
外部可调的电源电流
单正电源： + 5.0V
50欧姆匹配输入/输出
工作原理图
概述
该HMC376LP3 & HMC376LP3E是砷化镓PHEMT
MMIC低噪声放大器，适用于GSM
& CDMA蜂窝基站前端接收器
在700和1000 MHz的操作。该放大器
经过优化，提供0.7分贝噪声系数，
15分贝增益和+36 dBm的输出IP3从单一
供电+ 5.0V 。输入和输出回波损耗是14
和分别为12分贝，在LNA只需要一个
外部组件来优化RF输入匹配。
该HMC376LP3 & HMC376LP3E共享相同的
封装和引脚排列与HMC382LP3 1.7 - 2.2
GHz的低噪声放大器。该HMC376LP3 & HMC376LP3E功能
外部可调的电源电流，允许
设计师量身定制的线性性能
LNA的每个应用程序。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V + ， Rbias两端= 10欧姆*
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
（ -20 dBm的每个音输入功率， 1 MHz的音调间隔）
电源电流（ IDD）
* Rbias两端的电阻值设置电流，请参阅应用电路于此。
12.5
分钟。
典型值。
810 - 960
14.5
0.005
0.7
13
12
20
21.5
22
36
73
0.01
1.0
11.5
马克斯。
分钟。
典型值。
700 - 1000
14.5
0.005
0.7
14
12
22
21
22
36
73
0.01
1.0
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
5 - 124
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC376LP3
/
376LP3E
v00.1005
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
频率（GHz ）
1.75
2
增益与温度
20
19
18
17
增益（dB ）
+25C
+85C
- 40C
5
放大器 - SMT
5 - 125
S21
S11
S22
16
15
14
13
12
11
10
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
输入回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-40 C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
-10
-10
-15
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
-20
-25
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
-25
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
反向隔离与温度的关系
0
噪声系数与温度
1.6
1.4
+25 C
+85 C
-40 C
-5
+25 C
+85 C
-40 C
噪声系数（dB ）
1
1.1
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
隔离度（dB ）
-10
-15
-20
-25
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
0
0.6
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
1
1.1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC376LP3
/
376LP3E
v00.1005
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
5
放大器 - SMT
P1dB为与温度@电流IDD = 73毫安
25
24
23
22
P1dB的（ DBM）
21
20
19
18
17
16
15
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
频率（GHz ）
0.95
1
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT与温度@电流IDD = 73毫安
25
24
23
22
PSAT （ DBM）
21
20
19
18
17
16
15
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
频率（GHz ）
0.95
1
+25 C
+85 C
-40 C
输出IP3与温度@电流IDD = 73毫安
40
39
增益，噪声系数&
功率与电源电流@ 900 MHz的
24
22
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
噪声系数（dB ）
20
18
16
14
12
60
0.4
70
80
90
100
110
120
收益
P1dB
噪声系数
1
38
输出IP3 （ dBm的）
37
36
35
34
33
32
31
30
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
+25 C
+85 C
-40 C
0.8
0.6
频率（GHz ）
电源电流（mA ）
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免11.83毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
8.0伏
+15 dBm的
150 °C
0.769 W
84.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
典型电源电流与Vdd的
与Rbias两端= 10欧姆
VDD （VDC ）
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
73.0
73.4
73.6
推荐偏置电阻值
对于各种独立同
IDD （MA ）
60
70
Rbias两端（欧姆）
12
10
9.1
6.8
5.1
静电敏感器件
观察处理注意事项
80
100
120
5 - 126
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HMC376LP3
/
376LP3E
v00.1005
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
外形绘图
5
放大器 - SMT
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议的土地格局。
包装信息
产品型号
HMC376LP3
HMC376LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H376
XXXX
H376
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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5 - 127
HMC376LP3
/
376LP3E
v00.1005
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
功放， 700 - 1000兆赫
5
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 4, 5, 7, 9,
12 - 14, 16
功能
N / C
描述
无连接需要。这些引脚可以连接
以RF / DC接地。性能也不会受到影响。
接口示意图
2
RFIN
该引脚匹配50欧姆与47 nH的
电感接地。见应用电路。
3, 6, 10
GND
这些管脚和封装的底部必须是
连接到RF / DC接地。
8
水库
该引脚用于设置放大器的直流电流
通过选择外部偏置电阻。
见应用电路。
11
RFOUT
该引脚交流耦合和匹配
从0.7 50欧姆 - 1.0 GHz的。
15
VDD
电源电压。扼流电感和旁路
电容器。见应用电路。
应用电路
注1 ： L1 ， L2和C1位置应尽量靠近引脚越好。
5 - 128
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