HMC375LP3
/
375LP3E
v03.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HMC375LP3 / HMC375LP3E是理想的
基站接收器：
GSM ， GPRS &边缘
CDMA & W-CDMA的
DECT
特点
噪声系数： 0.9分贝
输出IP3 ： +34 dBm的
增益： 17分贝
非常稳定的增益与供应&温度
单电源： + 5V @ 136毫安
50欧姆匹配输出
工作原理图
概述
该HMC375LP3 & HMC375LP3E高动态
范围的GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器是
理想的用于GSM & CDMA蜂窝基站前端
接收器之间的1.7和2.2 GHz的运行。这
LNA进行了优化，以提供0.9分贝噪音
图17 dB增益和+33 dBm的输出IP3从
单电源的+ 5V @ 136毫安。输入和输出
回波损耗14 dB（典型）的低噪声放大器要求
极少的外部元件来优化RF输入
匹配， RF地线和直流偏置。对于应用程序
需要改进的噪声系数，请参阅
HMC618LP3(E).
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VS = + 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
输出功率
1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
（每个音-20 dBm的输入功率，
1 MHz的音调间隔）
电源电流（ IDD）
16
16.5
分钟。
典型值。
1.8 - 1.9
18.5
0.014
1.0
12
13
35
18.5
19.5
34
136
16
0.021
1.35
15.5
马克斯。
分钟。
典型值。
1.9 - 2.0
17.5
0.014
0.95
13
16
34
18.5
19.5
33.5
136
15
0.021
1.2
15
马克斯。
分钟。
典型值。
2.0 - 2.1
17
0.014
0.9
14
11
34
18
19.5
33
136
14.5
0.021
1.2
13
马克斯。
分钟。
典型值。
2.1 - 2.2
15
0.014
0.9
15
8
34
17.5
19.5
32.5
136
0.021
1.3
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
7 - 74
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC375LP3
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v03.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
15
5
-5
-15
-25
-35
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
S21
S11
S22
噪声系数与温度
1.5
+25 C
+85 C
-40 C
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7 - 75
1.3
噪声系数（dB ）
响应（ dB）的
1.1
0.9
0.7
0.5
1.7
1.8
1.9
2
频率（GHz ）
2.1
2.2
增益与温度
24
22
噪声系数与Vdd的
1.5
+4.5 V
+5.0 V
+5.5 V
1.3
20
增益（dB ）
18
16
14
12
10
1.7
1.8
1.9
2
频率（GHz ）
2.1
2.2
0.5
1.7
1.8
+25 C
+85 C
-40 C
噪声系数（dB ）
1.1
0.9
0.7
1.9
2
频率（GHz ）
2.1
2.2
增益与Vdd的
22
反向隔离与温度的关系
-15
-20
20
隔离度（dB ）
-25
-30
-35
-40
-45
-50
1.8
1.9
2
频率（GHz ）
2.1
2.2
1.7
1.8
1.9
2
频率（GHz ）
2.1
2.2
+25 C
+85 C
-40 C
增益（dB ）
18
16
+4.5 V
+5.0 V
+5.5 V
14
12
1.7
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375LP3E
v03.0610
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
7
放大器 - 低噪声 - SMT
输入回波损耗随温度的变化
0
+25 C
-40 C
+85 C
输出回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-40 C
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
2.1
2.2
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
1.7
1.8
1.9
2
频率（GHz ）
-25
1.7
1.8
1.9
2
频率（GHz ）
2.1
2.2
输出IP3与温度的关系
40
+25 C
+85 C
-40 C
P1dB为& PSAT与温度的关系
24
PSAT
+25 C
+85 C
-40 C
36
压缩（ dBm的）
38
22
IP3 （ dBm的）
20
34
18
32
16
P1dB
30
1.7
1.8
1.9
2
频率（GHz ）
2.1
2.2
14
1.7
1.8
1.9
2
2.1
2.2
频率（GHz ）
输出IP3与Vdd的
40
+4.5 V
+5.0 V
+5.5 V
P1dB为与Vdd的
24
22
输出P1dB为（ DBM）
20
18
16
14
12
38
IP3 （ dBm的）
36
34
32
+4.5 V
+5.0 V
+5.5 V
30
1.7
1.8
1.9
2
频率（GHz ）
2.1
2.2
1.7
1.8
1.9
2
频率（GHz ）
2.1
2.2
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375LP3E
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砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免15.6毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
8.0伏
+10 dBm的
150 °C
1.015 W
64.1 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
135
136
137
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7 - 77
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议的土地格局。
包装信息
产品型号
HMC375LP3
HMC375LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
375
XXXX
375
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
7
放大器 - 低噪声 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 3, 4, 6-10,
12, 14, 16
2
功能
N / C
RFIN
描述
无连接需要。
这些引脚可以连接到射频/ DC接地。
该引脚匹配50欧姆与13 nH的
电感接地。见应用电路。
接口示意图
5
ACG
AC接地 - 0.01μF的外部电容
地面所需的低频旁路。
见应用电路的进一步细节。
11
RFOUT
该引脚交流耦合，匹配50欧姆。
13,15
VDD2 ， VDD1
电源电压。扼流电感和旁路
电容是必需的。见应用电路。
GND
包底部必须被连接到射频/ DC接地。
应用电路
注： L1 ， L2 ， L3和C1应尽可能靠近引脚放置。
7 - 78
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