HMC341
v01.1007
砷化镓MMIC低噪声
放大器， 24 - 30 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
典型应用
该HMC341是理想的：
毫米波点对点Point收音机
LMDS
VSAT卫星通信&
特点
卓越的噪声图： 2.5分贝
增益： 13分贝
单电源： + 3V @ 30毫安
小尺寸： 1.42 X 1.06 X 0.1毫米
工作原理图
概述
该HMC341芯片是GaAs MMIC低噪声
扩增fi er （ LNA） ，涵盖的频率范围
的24至30千兆赫。该芯片可以很容易地集成
成多芯片模块（ MCM的），由于它的小
（1.51 mm2）的大小。该芯片采用了砷化镓PHEMT
过程中提供13 dB的增益从单一的偏置电源
为+ 3V @ 30 mA的2.5分贝的噪声系数。所有
数据是与连接在一个50欧姆的测试夹具的芯片
通过0.025毫米（ 1密耳）线径最小的债券
长度0.31毫米（ <12密耳）。
电气电源规格
,
T
A
= + 25 ° C， VDD = 3V +
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
26 - 30 GHz的
24 - 26 GHz的
9
9
25
2
6
12
10
分钟。
典型值。
24 - 30
13
0.03
2.5
2.9
13
13
30
6
10
16
30
40
16
0.04
3.5
3.9
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
1-8
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v01.1007
砷化镓MMIC低噪声
放大器， 24 - 30 GHz的
增益与温度的关系@ VDD = 3V +
20
增益与温度的关系@ VDD = 5V +
20
1
低噪声放大器 - CHIP
1-9
15
增益（dB ）
增益（dB ）
+25C
-55C
+85C
15
10
10
5
5
+25C
-55C
+85C
0
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
0
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
回波损耗@ VDD = 3V +
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
S11
S22
回波损耗@ VDD = 5V +
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
S11
S22
噪声系数
与温度的关系@ VDD = 3V +
7
6
噪声系数（dB ）
5
4
3
2
1
0
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
+25C
-55C
+85C
噪声系数
与温度的关系@ VDD = 5V +
7
6
噪声系数（dB ）
5
4
3
2
1
0
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
+25C
-55C
+85C
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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砷化镓MMIC低噪声
放大器， 24 - 30 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
获得&噪声系数
与电源电压@ 28 GHz的
13.6
13.4
13.2
增益dB ）
13
12.8
12.6
12.4
12.2
12
2.5
3
3.5
4
4.5
5
3.8
3.6
3.4
噪声系数（dB ）
3.2
3
2.8
2.6
2.4
2.2
5.5
隔离
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
VDD = 3V +
VDD = 5V +
VDD供电电压（VDC ）
输出P1dB为@ VDD = 3V +
16
14
12
P1dB的（ DBM）
10
8
6
4
2
0
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
+25 C
-55 C
+85 C
输出P1dB为@ VDD = 5V +
16
14
12
P1dB的（ DBM）
10
8
6
4
2
0
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
+25 C
-55 C
+85 C
输出IP3 @ VDD = 3V +
25
输出IP3 @ VDD = 5V +
25
20
隔离度（dB ）
IP3 （ dBm的）
20
IP3 （ dBm的）
15
+25 C
-55 C
+85 C
15
+25 C
-55 C
+85 C
10
10
5
5
0
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
0
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
1 - 10
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砷化镓MMIC低噪声
放大器， 24 - 30 GHz的
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = 3.0 V直流）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免3.44毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+5.5伏
+3 dBm的
175 °C
0.310 W
290 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
1
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注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的债券0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP-2
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
这片被AC耦合，匹配50欧姆。
接口示意图
2
RFOUT
这片被AC耦合，匹配50欧姆。
3
VDD
电源为2级放大器。外部射频旁路电容
100器 - 300 pF的需要。键长为电容应
是尽可能地短。电容器的接地侧应
连接到所述外壳接地。
装配图
1 - 12
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