v00.1102
微波公司
HMC335G16
1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器， DC - 3 GHz的
特点
1分贝LSB步骤31分贝
一根控制线，每位
+/- 0.5 dB的典型误码
16引脚密封SMT封装
典型应用
该HMC335G16是理想的：
9
衰减器 - SMT
电信基础设施
军用无线电，雷达& ECM
空间应用
测试仪表
工作原理图
概述
该HMC335G16是宽带5位的砷化镓集成电路
在16铅玻璃/金属数字衰减器（密闭）
表面贴装封装。覆盖直流到3 GHz时，
插入损耗小于2.3 dB的典型。在衰减
员的比特值是1 （LSB） ，2，4 ，8和16分贝
31 dB的总衰减。衰减精度
是优良的，在±0.5 dB的典型用的最多的IIP3
+44 dBm的。五位控制电压输入，切换
介于0和-5V ，用于选择每个衰减
化状态，每次不少于70 μA 。一个单一的V形偏置
-5V允许运作，了解直流。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， V型= -5V & VCTL = 0 / V型
参数
插入损耗
频率
DC - 1.5 GHz的
1.5 - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
分钟。
典型
2.0
2.3
31
13
安泰信± 0.3 ±5 ％ 。设置最大
安泰信± 0.3 ±5 ％ 。设置最大
安泰信± 0.3 + 8 ％ 。设置最大
安泰信± 0.3 ±5 ％ 。设置最大
安泰信± 0.3 + 8 ％ 。设置最大
±安泰信0.5 ±10％。设置最大
24
44
马克斯。
2.5
2.8
单位
dB
dB
dB
dB
衰减范围
回波损耗（ RF1 & RF2 ，所有安泰信。国）
衰减精度： （参考插入损耗）
1 - 31分贝美国
1 - 27分贝美国
28 - 31分贝美国
1 - 23分贝美国
24 - 27分贝美国
28 - 31分贝美国
输入功率0.1 1dB压缩
输入三阶截点
（双音输入功率= 0 dBm的每个音）
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
140
160
ns
ns
9 - 56
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC335G16
1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器， DC - 3 GHz的
回波损耗RF1 ， RF2
插入损耗
0
-1
插入损耗（dB ）
（唯一的主要状态示）
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31分贝
9
衰减器 - SMT
9 - 57
-2
-3
-4
-5
-6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
归一化衰减
（唯一的主要状态示）
0
归一化的衰减量（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31分贝
误码
主场迎战衰减状态
3
2
错误（分贝）
1
0
-1
-2
-3
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
衰减状态（分贝）
0.12 GHz的
1.0 GHz的
2.0 GHz的
3.0 GHz的
误码与频率的关系
（唯一的主要状态示）
5
4
3
错误（分贝）
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31分贝
相对相位与频率的关系
（唯一的主要状态示）
100
80
RELATVIE相位（度）
60
40
20
0
-20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31分贝
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器， DC - 3 GHz的
最坏的情况下步骤错误
之间连续衰减状态
3
9
步骤错误（分贝）
2
1
0
-1
-2
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
衰减器 - SMT
偏置电压电流&
VEE范围= -5.0伏
±
10%
VEE （ VDC ）
-5.0
李（典型值） （MA ）
3
李（最大） （MA ）
6
真值表
控制电压输入
V1
16分贝
低
低
低
V2
8分贝
低
低
低
低
高
低
高
V3
4分贝
低
低
低
高
低
低
高
V4
2分贝
低
低
高
低
低
低
高
V5
1分贝
低
高
低
低
低
低
高
衰减
状态
RF1 - RF2
参考I.L.
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31分贝
马克斯。安泰信。
控制电压
状态
低
高
偏置条件
0 -2V @ 70 μA典型值。
VEE至VEE + 0.8V @ 5 μA典型值。
低
低
高
高
注： V型= -5V
±
10%
绝对最大额定值
控制电压（ V1 - V5 ）
偏置电压（ VEE）
储存温度
工作温度
RF输入功率（ 0.5 - 3 GHz的）
VEE - 0.5伏
-7.0伏
-65至+150°C
-40至+85 C
+26 dBm的
在上述状态中的任何组合将提供一个衰减
近似等于所选择的比特的总和。
9 - 58
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1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器， DC - 3 GHz的
外形绘图
9
衰减器 - SMT
注意事项：
1.包装材料：氧化铝受压硼硅玻璃。
2.线索， BASE ， COVER MATEIRAL ： KOVARTM （ ＃ 7052 CORNING ） 。
3.电镀：电解金50微英寸最小。
OVER电解镍75微英寸最小。
4.所有尺寸以英寸[毫米]为单位。
5.公差： 0.005 [ 0.013 ]除非另有规定。
6.将字符HELVETICA MEDIUM 0.030 HIGH ，
BLACK INK位于约。如图所示。
7.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地。
引脚说明
引脚数
1
功能
VEE
描述
电源电压-5V ±10 ％
接口示意图
2, 4-9, 11
GND
包底部也必须连接到RF接地。
3, 10
RF1 ， RF2
这些引脚的直流耦合，匹配50欧姆。
隔直电容是必需的。
12-16
V1-V5
见真值表和控制电压表。
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应用电路
9
衰减器 - SMT
隔直流电容器C1 C2 &上需要RF1 & RF2 。选择C1 = C2 = 100pF的 0.1 uF的，让客户最低
特定网络连接C频率通过以最小的损失。 R 1 = 5K欧姆需要通过任一引脚3或供电电压给电路
引脚10 。
建议的驱动电路
（一电路所需要的每比特控制输入）
使用廉价的标准逻辑IC的简单的驱动程序提供了快速开关用最小的直流电流。 ·推荐值
以抑制不需要的RF信号， V1 - V5控制线。
9 - 60
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