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HMC329
v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
特点
被动：无直流偏置要求
输入IP3 ： +19 dBm的
LO / RF隔离： 42分贝
小尺寸： 0.85× 0.55× 0.1毫米
典型应用
该HMC329是理想的：
LMDS
微波点对点无线电点
SATCOM
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
工作原理图
概述
该HMC329芯片是一个微型无源双
平衡混频器可被用作上变频器
或从25-40千兆赫中的小芯片的下变频器
面积0.85 * 0.55毫米。优良的隔离度
通过片上平衡不平衡转换器提供，并在芯片不需要
外部元件和无直流偏置。测量
与芯片作了安装和色带结合
成在一个50欧姆微带测试夹具，它包含
芯片之间的5密耳的氧化铝基板和
K-连接器。测得的数据包括寄生
大会的作用。射频连接到芯片
与0.076毫米（ 3密耳）色带债券作了
最小长度<0.31毫米（ <12万美元）。
电气电源规格，
T
A
= +25° C
LO = +13 dBm时， IF = 1 GHz的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
IP2 （输入）
1 dB压缩（输入）
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器， IF = 1千兆赫。
38
25
21
16
45
8
典型值。
25 - 40
DC - 8
9.5
9.5
42
35
28
19
55
11
11.5
11.5
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
单位
4 - 48
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC329
v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
隔离@ LO = +13 dBm的
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
转换增益与
温度@ LO = +13 dBm的
0
转换增益（dB ）
-4
LO / RF
射频/中频
LO / IF
-8
-12
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
-16
4
22
26
30
34
38
42
频率（GHz ）
22
26
30
34
38
42
频率（GHz ）
转换增益与LO驱动
0
+ 7 dBm的
+ 9 dBm的
+ 11 dBm的
+ 13 dBm的
+ 15 dBm的
上变频器性能
转换增益@ LO = +13 dBm的
0
转换增益（dB ）
-8
转换增益（dB ）
-4
-4
-8
-12
-12
-16
-16
-20
22
26
30
34
38
42
频率（GHz ）
-20
22
25
28
31
34
37
40
频率（GHz ）
中频带宽@ LO = +13 dBm的
0
-4
响应（ dB）的
-8
-12
IF回波损耗
-16
转换增益
-20
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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4 - 49
调音台 - 双平衡 - CHIP
-20
HMC329
v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
输入IP3主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
25
输入IP3主场迎战LO驱动器*
25
20
20
IP3 （ dBm的）
15
+ 11 dBm的
+ 13 dBm的
+ 15 dBm的
IP3 （ dBm的）
15
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
10
10
5
5
0
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
0
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
输入IP2主场迎战LO驱动器*
70
65
60
IP2 （ dBm的）
55
50
45
40
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
+ 11 dBm的
+ 13 dBm的
+ 15 dBm的
输入IP2主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
70
65
60
IP2 （ dBm的）
55
50
45
40
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
MXN杂散输出
作为下变频器
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
RF = 31千兆赫@ -10 dBm的
LO = 32 GHz的@ +13 dBm的
在dBc的所有值低于中频输出功率电平。
0
xx
19
1
7
2
3
4
输入P1dB的对比
温度@ LO = +13 dBm的
15
13
P1dB的（ DBM）
0
69
41
57
74
67
69
74
71
74
11
9
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
7
5
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
*双音输入功率= -5 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。
4 - 50
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC329
v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
中频直流电流
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+13 dBm的
+27 dBm的
= 2毫安
-65至+150°C
-55至+85°C
1B类
静电敏感器件
观察处理注意事项
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
4 - 51
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP- 5 （胶装）
备用
[2]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.背面金属：金。
5.焊盘金属化：黄金。
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC329
v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓
模具应该被直接连接到接地平面共晶或与
导电环氧树脂（见HMC一般搬运，安装，焊接注） 。
50对0.127毫米（ 5 mil）厚的氧化铝薄液膜欧姆微带传输线
衬底被建议用于使射频和从芯片（图1） 。如果
0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜基片必须用的模具应
提高0.150毫米（6密耳），以使得所述模具的表面是共面的表面
衬底。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米（4密耳）厚
死到0.150毫米（ 6密耳）厚的钼散热器（钼片）中，然后
附连到接地平面（图2） 。
微带基片应使以尽可能靠近模具尽可能
最大限度地减少色带键长。典型的模具与基板的间隔是0.076毫米（3密耳）。
0.075毫米（ 3密耳）的宽度和长度最小<0.31毫米（ <12密耳）金丝带是
建议在RF ， LO & IF端口减小电感。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
3密耳带式连接
0.076mm
(0.003”)
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
射频接地平面
0.127毫米（ 0.005 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图1 。
操作注意事项
遵守这些注意事项，以避免造成永久性损坏。
储存：
所有的裸模被放置在任何华夫或凝胶基于ESD保护
容器，然后密封在防静电保护袋发货。一旦
密封防静电保护袋已经被打开，所有的模具应存放在干燥
氮气环境。
清洁度：
处理芯片在一个干净的环境。不要试图清理
使用液体清洁系统的芯片。
静态灵敏度：
按照ESD防范措施，以防止ESD冲击。
瞬变：
抑制手段和偏置电源瞬变而施加偏压。
使用屏蔽信号和偏置电缆，以减少电感回升。
常规处置：
手柄沿边缘的芯片，具有一真空夹头或
锋利的一对弯曲的镊子。在芯片的表面具有脆弱空气桥和
不应该触及真空夹套，镊子，或手指。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
3密耳带式连接
0.076mm
(0.003”)
射频接地平面
0.150毫米（ 0.005 “）厚
钼标签
0.254毫米（ 0.010 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图2中。
MOUNTING
该芯片背面金属化和可模安装有金锡共晶型坯
或用导电环氧树脂。安装面应洁净，平整。
共晶芯片粘接：
甲二十零分之八十零金锡预成型件，建议用255 ℃的工作表面温度和模具温度
265℃ 。当热90/10氮气/氢气应用，刀尖温度应在290℃ 。请勿将芯片
到温度高于320 ℃下进行20秒以上。应所需的擦洗的不超过3秒
附件。
环氧树脂模具附件：
适用的环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂圆角绕观察
一旦芯片的外围被放置到的位置。治愈按照制造商的时间表环氧树脂。
引线键合
RF债券取得与0.003 “× 0.0005 ”丝带建议。这些债券应热超声键合的力量
40-60克。 0.001 “ （0.025毫米）的DC债券，超声波热合，推荐。球债券应
用40-50克和楔形债券在18-22克的力量。所有键的应用150的标称阶段温度下进行
℃。超声波能量的最小量，应适用于实现可靠的债券。所有键应该是尽可能地短，
小于12密耳（0.31mmol毫米）。
4 - 52
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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微波公司
v01.0301
HMC329
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
特点
被动：无直流偏置要求
输入IP3 ： +19 dBm的
LO / RF隔离： 42分贝
小尺寸： 0.47毫米
2
典型应用
该HMC329是理想的：
LMDS
微波点对点无线电点
SATCOM
工作原理图
概述
该HMC329芯片是一个微型无源双
平衡混频器可被用作upcon-
变频器或下变频器从在25-40 GHz的
小的芯片面积0.84毫米X 0.55毫米。优秀
隔离用片上平衡不平衡转换器提供，并
该芯片无需外部组件，没有
直流偏置。测量是与芯片制成
安装和色带结合成一个50欧姆
包含5万氧化铝微带测试夹具连接
芯片和K-连接器之间的衬底。
测得的数据包括的寄生效应
装配。射频连接到芯片分别
与0.076毫米（ 3密耳）色带债券取得
最小长度<0.31毫米（ <12万美元）。
5
调音台 - CHIP
电气连接特定的阳离子，
T
A
= +25° C
LO = +13 dBm时， IF = 1 GHz的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
IP2 （输入）
1 dB压缩（输入）
38
25
21
16
45
8
典型值。
25 - 40
DC - 8
9.5
9.5
42
35
28
19
55
11
11.5
11.5
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
单位
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器， IF = 1千兆赫。
5 - 82
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
微波公司
v01.0301
HMC329
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
转换增益与
温度@ LO = +13 dBm的
0
隔离@ LO = +13 dBm的
0
-10
LO / RF
射频/中频
LO / IF
转换增益（dB ）
-4
隔离度（dB ）
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
-20
-30
-40
-50
-60
-8
-12
-16
-20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
频率（GHz ）
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
频率（GHz ）
5
调音台 - CHIP
转换增益与LO驱动
0
+ 7 dBm的
+ 9 dBm的
+ 11 dBm的
+ 13 dBm的
+ 15 dBm的
上变频器性能
转换增益@ LO = +13 dBm的
0
转换增益（dB ）
-8
转换增益（dB ）
42
-4
-4
-8
-12
-12
-16
-16
-20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
-20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
中频带宽@ LO = +13 dBm的
0
-4
响应（ dB）的
-8
-12
IF回波损耗
转换增益
-16
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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5 - 83
微波公司
v01.0301
HMC329
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
输入IP3主场迎战LO驱动器*
25
输入IP3主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
25
20
20
IP3 （ dBm的）
15
IP3 （ dBm的）
15
10
+ 11 dBm的
+ 13 dBm的
+ 15 dBm的
10
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
5
5
5
调音台 - CHIP
0
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
0
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
输入IP2主场迎战LO驱动器*
70
65
60
输入IP2主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
70
65
60
IP2 （ dBm的）
55
50
45
40
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
+ 11 dBm的
+ 13 dBm的
+ 15 dBm的
IP2 （ dBm的）
55
50
45
40
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
MXN杂散输出
作为下变频器
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
RF = 31千兆赫@ -10 dBm的
LO = 32 GHz的@ +13 dBm的
在dBc的所有值低于中频输出功率电平。
0
xx
19
1
7
0
69
41
2
3
4
输入P1dB的对比
温度@ LO = +13 dBm的
15
13
P1dB的（ DBM）
57
74
67
69
74
71
74
11
9
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
7
5
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
*双音输入功率= -5 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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5 - 84
微波公司
v01.0301
HMC329
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
中频直流电流
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+27 dBm的
= 2毫安
-65至+150°C
-55至+85°C
5
调音台 - CHIP
5 - 85
外形绘图
（见模具搬运，安装，焊接注）
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.背面金属：金。
5.焊盘金属化：黄金。
6.背面金属接地。
7.连接不需要
未标记的焊垫。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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微波公司
v01.0301
HMC329
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
MIC组装技术
3密耳带式连接
3密耳带式连接
5
调音台 - CHIP
安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓
模具应该被直接连接到接地平面共晶或导电环氧树脂（见HMC的一般处理，安装，
合注） 。
50对0.127毫米（ 5万）欧姆微带传输线厚的氧化铝薄液膜衬底建议将RF和
从芯片（图1） 。如果0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄液膜衬底必须使用时，模具应提高0.150毫米（6-
密耳），以使得所述模具的表面是共面与基板的表面上。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米（4-
密耳）厚的芯片到0.150毫米（ 6密耳）厚的钼散热器（钼片），其随后连接到接地平面（图2） 。
微带基片应使尽可能靠近模具尽可能以最小化色带键长。典型的管芯到子
施特拉特间距是0.076毫米（3密耳）。 0.075毫米（ 3密耳）的宽度和长度最小<0.31毫米（ <12密耳）金丝带建议
对RF ， LO & IF端口减小电感。
5 - 86
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
典型应用
该HMC329是理想的：
LMDS
特点
被动：无直流偏置要求
输入IP3 ： +19 dBm的
LO / RF隔离： 42分贝
小尺寸： 0.85× 0.55× 0.1毫米
3
调音台 - CHIP
微波点对点无线电点
SATCOM
工作原理图
概述
该HMC329芯片是一个微型无源双
平衡混频器可被用作上变频器
或从25-40千兆赫中的小芯片的下变频器
面积0.85 * 0.55毫米。优良的隔离度
通过片上平衡不平衡转换器提供，并在芯片不需要
外部元件和无直流偏置。测量
与芯片作了安装和色带结合
成在一个50欧姆微带测试夹具，它包含
芯片之间的5密耳的氧化铝基板和
K-连接器。测得的数据包括寄生
大会的作用。射频连接到芯片
与0.076毫米（ 3密耳）色带债券作了
最小长度<0.31毫米（ <12万美元）。
电气电源规格，
T
A
= +25° C
LO = +13 dBm时， IF = 1 GHz的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
IP2 （输入）
1 dB压缩（输入）
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器， IF = 1千兆赫。
38
25
21
16
45
8
典型值。
25 - 40
DC - 8
9.5
9.5
42
35
28
19
55
11
11.5
11.5
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
单位
3 - 52
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HMC329
v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
转换增益与
温度@ LO = +13 dBm的
0
隔离@ LO = +13 dBm的
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
LO / RF
射频/中频
LO / IF
转换增益（dB ）
-4
-8
3
调音台 - CHIP
3 - 53
-12
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
-16
-20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
频率（GHz ）
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
频率（GHz ）
转换增益与LO驱动
0
+ 7 dBm的
+ 9 dBm的
+ 11 dBm的
+ 13 dBm的
+ 15 dBm的
上变频器性能
转换增益@ LO = +13 dBm的
0
转换增益（dB ）
-8
转换增益（dB ）
38
40
42
-4
-4
-8
-12
-12
-16
-16
-20
22
24
26
28
30
32
34
36
频率（GHz ）
-20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
中频带宽@ LO = +13 dBm的
0
-4
响应（ dB）的
-8
-12
IF回波损耗
-16
转换增益
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率（GHz ）
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v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
输入IP3主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
25
输入IP3主场迎战LO驱动器*
25
20
20
IP3 （ dBm的）
15
+ 11 dBm的
+ 13 dBm的
+ 15 dBm的
IP3 （ dBm的）
3
调音台 - CHIP
15
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
10
10
5
5
0
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
0
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
输入IP2主场迎战LO驱动器*
70
65
60
IP2 （ dBm的）
55
50
45
40
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
+ 11 dBm的
+ 13 dBm的
+ 15 dBm的
输入IP2主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
70
65
60
IP2 （ dBm的）
55
50
45
40
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
MXN杂散输出
作为下变频器
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
RF = 31千兆赫@ -10 dBm的
LO = 32 GHz的@ +13 dBm的
在dBc的所有值低于中频输出功率电平。
0
xx
19
1
7
2
3
4
输入P1dB的对比
温度@ LO = +13 dBm的
15
13
P1dB的（ DBM）
0
69
41
57
74
67
69
74
71
74
11
9
+ 25 C
+ 85 C
- 55 C
7
5
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
*双音输入功率= -5 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。
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HMC329
v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
中频直流电流
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+13 dBm的
+27 dBm的
= 2毫安
-65至+150°C
-55至+85°C
1B类
3
调音台 - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.背面金属：金。
5.焊盘金属化：黄金。
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP-5
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
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HMC329
v04.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 25 - 40 GHz的
安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓
模具应该被直接连接到接地平面共晶或与
导电环氧树脂（见HMC一般搬运，安装，焊接注） 。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
3密耳带式连接
0.076mm
(0.003”)
3
调音台 - CHIP
50对0.127毫米（ 5 mil）厚的氧化铝薄液膜欧姆微带传输线
衬底被建议用于使射频和从芯片（图1） 。如果
0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜基片必须用的模具应
提高0.150毫米（6密耳），以使得所述模具的表面是共面的表面
衬底。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米（4密耳）厚
死到0.150毫米（ 6密耳）厚的钼散热器（钼片）中，然后
附连到接地平面（图2） 。
微带基片应使以尽可能靠近模具尽可能
最大限度地减少色带键长。典型的模具与基板的间隔是0.076毫米（3密耳）。
0.075毫米（ 3密耳）的宽度和长度最小<0.31毫米（ <12密耳）金丝带是
建议在RF ， LO & IF端口减小电感。
射频接地平面
0.127毫米（ 0.005 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图1 。
操作注意事项
遵守这些注意事项，以避免造成永久性损坏。
储存：
所有的裸模被放置在任何华夫或凝胶基于ESD保护
容器，然后密封在防静电保护袋发货。一旦
密封防静电保护袋已经被打开，所有的模具应存放在干燥
氮气环境。
清洁度：
处理芯片在一个干净的环境。不要试图清理
使用液体清洁系统的芯片。
静态灵敏度：
按照ESD防范措施，以防止ESD冲击。
瞬变：
抑制手段和偏置电源瞬变而施加偏压。
使用屏蔽信号和偏置电缆，以减少电感回升。
常规处置：
手柄沿边缘的芯片，具有一真空夹头或
锋利的一对弯曲的镊子。在芯片的表面具有脆弱空气桥和
不应该触及真空夹套，镊子，或手指。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
3密耳带式连接
0.076mm
(0.003”)
射频接地平面
0.150毫米（ 0.005 “）厚
钼标签
0.254毫米（ 0.010 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图2中。
MOUNTING
该芯片背面金属化和可模安装有金锡共晶坯或
用导电环氧树脂。安装面应清洁和佛罗里达州的。
共晶芯片粘接：
甲二十零分之八十零金锡预成型件，建议用255 ℃的工作表面温度和模具温度
265℃ 。当热90/10氮气/氢气应用，刀尖温度应在290℃ 。请勿将芯片
到温度高于320 ℃下进行20秒以上。应所需的擦洗的不超过3秒
附件。
环氧树脂模具附件：
适用的环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂圆角绕观察
一旦芯片的外围被放置到的位置。治愈按照制造商的时间表环氧树脂。
引线键合
RF债券取得与0.003 “× 0.0005 ”丝带建议。这些债券应热超声键合的力量
40-60克。 0.001 “ （0.025毫米）的DC债券，超声波热合，推荐。球债券应
用40-50克和楔形债券在18-22克的力量。所有键的应用150的标称阶段温度下进行
℃。超声波能量的最小量，应适用于实现可靠的债券。所有键应该是尽可能地短，
小于12密耳（0.31mmol毫米）。
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