HMC327MS8G
/
327MS8GE
v06.1209
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
典型应用
该HMC327MS8G （ E）是理想的：
无线本地环路
&的WiMAX固定无线
接入点
特点
高增益： 21分贝
饱和功率： +30 dBm的@ 45 ％ PAE
输出P1dB为+27 dBm的
单电源： + 5V
掉电功能
低外部元件数量
紧凑型MSOP封装： 14.8毫米
2
11
线性&功率放大器 - SMT
用户设备
工作原理图
概述
该HMC327MS8G （ E）是一种高效率砷化镓
的InGaP异质结双极晶体管（ HBT ） MMIC
功率放大器，其工作3至4 GHz的。
放大器被封装在一个较低的成本，表面钼
UNT 8引线封装，带有裸基地
改进的射频性能和热性能。随着微型
外部元件的妈妈，放大器提供
21分贝增益，饱和功率为+30 dBm的45 ％
PAE从单一的+ 5V电源。掉电功能
是可用的，以节省电流消耗时
放大器是没有被使用。
电气电源规格，
T
A
= +25 ° C， VS = 5V ， VCTL = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
控制电流（ IPD ）
开关速度
*请参阅应用电路进行偏置配置。
VCTL * = 0V / 5V
VCTL * = 5V
吨， Toff的
36
24
17
分钟。
典型值。
3-4
21
0.025
15
8
27
30
40
5
0.002 / 250
7
40
24
0.035
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
mA
ns
11 - 2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC327MS8G / 327MS8GE
v05.0509
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
增益与温度
24
20
15
响应（ dB）的
5
增益（dB ）
S21
S11
S22
16
+25 C
+85 C
-40 C
12
-5
8
-15
11
4
4.5
4
-25
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
2.5
3
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
2.5
+25 C
+85 C
-40 C
输出回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-40 C
-3
-6
-9
-12
-15
3
3.5
频率（GHz ）
4
4.5
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
34
PSAT与温度的关系
34
30
30
P1dB的（ DBM）
26
PSAT （ DBM）
26
+25 C
+85 C
-40 C
22
+25 C
+85 C
-40 C
22
18
18
14
2.5
3
3.5
4
4.5
14
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
11 - 3
线性&功率放大器 - SMT
回波损耗（分贝）
HMC327MS8G / 327MS8GE
v05.0509
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
功率压缩@ 3.5 GHz的
48
输出IP3与温度的关系
44
39
34
IP3 （ dBm的）
29
24
19
14
2.5
+25 C
+85 C
-40 C
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
噘
收益
PAE
32
24
11
线性&功率放大器 - SMT
16
8
0
-5
-1
3
7
11
15
3
3.5
频率（GHz ）
4
4.5
输入功率（dBm ）
噪声系数与温度
10
+25 C
+85 C
-40 C
获得&功率与电源电压
28
32
8
噪声系数（dB ）
26
30
P1dB的（ DBM） & PSAT （ DBM）
增益（dB ）
6
24
28
4
22
26
2
20
收益
P1dB
PSAT
24
0
3
3.5
4
4.5
18
4.75
5
VCC电源电压（ V）
频率（GHz ）
22
5.25
反向隔离与温度的关系
0
-10
掉电隔离
0
隔离度（dB ）
-20
-30
隔离度（dB ）
4
4.5
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-20
-40
-30
-50
-60
2.5
3
3.5
-40
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
11 - 4
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC327MS8G / 327MS8GE
v05.0509
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
增益，功率&静态电源
电流与VPD @ 3.5 GHz的
30
250
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
控制电压（ VPD ）
+5.5V
+5.5V
+16 dBm的
150 °C
1.88 W
34 ° C / W
-65至+150°C
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
25
200
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = VCTL = + 5V ）
结温
ICQ （毫安）
20
ICQ
150
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免29毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结点到地面桨）
15
P1dB
PSAT
收益
100
10
50
11
线性&功率放大器 - SMT
11 - 5
储存温度
工作温度
5
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
-40至+85 C
VCTL （ V）
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC327MS8G
HMC327MS8GE
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H327
XXXX
H327
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC327MS8G / 327MS8GE
v05.0509
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
VPD
11
线性&功率放大器 - SMT
2, 4, 7
GND
3
RFIN
电源控制引脚。对于适当的控制偏差，此引脚应CON
连接至5V通过130欧姆的串联电阻。更高的电压
不推荐使用。为降低无功电流，该电压可以降低。
地面：包背面有裸露的金属接地焊盘，
必须连接到地直通短路径。该设备在过孔
是必需的。
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
5, 6
RFOUT
RF输出和偏置输出级。对于电源
输出设备需要被提供给这些引脚。
8
VCC
电源电压对所述第一放大器级。一个外部旁路
330 pF的电容。该电容应尽可能
靠近器件成为可能。
应用电路
TL1
阻抗
长
50 OHM
0.038”
TL2
50 OHM
0.231”
TL3
50 OHM
0.1”
注： C3应该从引脚8 （ VCC）位于<0.020 “
注： C2应该从L1位于< 0.020 “
11 - 6
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC327MS8G
/
327MS8GE
v06.1209
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
典型应用
该HMC327MS8G （ E）是理想的：
无线本地环路
&的WiMAX固定无线
接入点
特点
高增益： 21分贝
饱和功率： +30 dBm的@ 45 ％ PAE
输出P1dB为+27 dBm的
单电源： + 5V
掉电功能
低外部元件数量
紧凑型MSOP封装： 14.8毫米
2
11
线性&功率放大器 - SMT
用户设备
工作原理图
概述
该HMC327MS8G （ E）是一种高效率砷化镓
的InGaP异质结双极晶体管（ HBT ） MMIC
功率放大器，其工作3至4 GHz的。
放大器被封装在一个较低的成本，表面钼
UNT 8引线封装，带有裸基地
改进的射频性能和热性能。随着微型
外部元件的妈妈，放大器提供
21分贝增益，饱和功率为+30 dBm的45 ％
PAE从单一的+ 5V电源。掉电功能
是可用的，以节省电流消耗时
放大器是没有被使用。
电气电源规格，
T
A
= +25 ° C， VS = 5V ， VCTL = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
控制电流（ IPD ）
开关速度
*请参阅应用电路进行偏置配置。
VCTL * = 0V / 5V
VCTL * = 5V
吨， Toff的
36
24
17
分钟。
典型值。
3-4
21
0.025
15
8
27
30
40
5
0.002 / 250
7
40
24
0.035
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
mA
ns
11 - 2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC327MS8G / 327MS8GE
v05.0509
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
增益与温度
24
20
15
响应（ dB）的
5
增益（dB ）
S21
S11
S22
16
+25 C
+85 C
-40 C
12
-5
8
-15
11
4
4.5
4
-25
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
2.5
3
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
2.5
+25 C
+85 C
-40 C
输出回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-40 C
-3
-6
-9
-12
-15
3
3.5
频率（GHz ）
4
4.5
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
34
PSAT与温度的关系
34
30
30
P1dB的（ DBM）
26
PSAT （ DBM）
26
+25 C
+85 C
-40 C
22
+25 C
+85 C
-40 C
22
18
18
14
2.5
3
3.5
4
4.5
14
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
11 - 3
线性&功率放大器 - SMT
回波损耗（分贝）
HMC327MS8G / 327MS8GE
v05.0509
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
功率压缩@ 3.5 GHz的
48
输出IP3与温度的关系
44
39
34
IP3 （ dBm的）
29
24
19
14
2.5
+25 C
+85 C
-40 C
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
噘
收益
PAE
32
24
11
线性&功率放大器 - SMT
16
8
0
-5
-1
3
7
11
15
3
3.5
频率（GHz ）
4
4.5
输入功率（dBm ）
噪声系数与温度
10
+25 C
+85 C
-40 C
获得&功率与电源电压
28
32
8
噪声系数（dB ）
26
30
P1dB的（ DBM） & PSAT （ DBM）
增益（dB ）
6
24
28
4
22
26
2
20
收益
P1dB
PSAT
24
0
3
3.5
4
4.5
18
4.75
5
VCC电源电压（ V）
频率（GHz ）
22
5.25
反向隔离与温度的关系
0
-10
掉电隔离
0
隔离度（dB ）
-20
-30
隔离度（dB ）
4
4.5
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-20
-40
-30
-50
-60
2.5
3
3.5
-40
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
11 - 4
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC327MS8G / 327MS8GE
v05.0509
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
增益，功率&静态电源
电流与VPD @ 3.5 GHz的
30
250
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
控制电压（ VPD ）
+5.5V
+5.5V
+16 dBm的
150 °C
1.88 W
34 ° C / W
-65至+150°C
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
25
200
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = VCTL = + 5V ）
结温
ICQ （毫安）
20
ICQ
150
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免29毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结点到地面桨）
15
P1dB
PSAT
收益
100
10
50
11
线性&功率放大器 - SMT
11 - 5
储存温度
工作温度
5
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
-40至+85 C
VCTL （ V）
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC327MS8G
HMC327MS8GE
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H327
XXXX
H327
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC327MS8G / 327MS8GE
v05.0509
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
VPD
11
线性&功率放大器 - SMT
2, 4, 7
GND
3
RFIN
电源控制引脚。对于适当的控制偏差，此引脚应CON
连接至5V通过130欧姆的串联电阻。更高的电压
不推荐使用。为降低无功电流，该电压可以降低。
地面：包背面有裸露的金属接地焊盘，
必须连接到地直通短路径。该设备在过孔
是必需的。
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
5, 6
RFOUT
RF输出和偏置输出级。对于电源
输出设备需要被提供给这些引脚。
8
VCC
电源电压对所述第一放大器级。一个外部旁路
330 pF的电容。该电容应尽可能
靠近器件成为可能。
应用电路
TL1
阻抗
长
50 OHM
0.038”
TL2
50 OHM
0.231”
TL3
50 OHM
0.1”
注： C3应该从引脚8 （ VCC）位于<0.020 “
注： C2应该从L1位于< 0.020 “
11 - 6
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2881677436 复制
