HMC313
/
313E
v04.0307
砷化镓的InGaP HBT MMIC宽带
放大器增益模块， DC - 6.0 GHz的
特点
的P1dB输出功率： +14 dBm的
输出IP3 ： +27 dBm的
增益： 17分贝
单电源： + 5V
高可靠性的GaAs HBT工艺
超小型封装： SOT26
包括在HMC- DK001设计者工具包
5
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
典型应用
理想的驾驶&放大器：
2.2 - 2.7 GHz的微波系统
3.5 GHz的无线本地环路
5.0 - 6.0 GHz的UNII &的HiperLAN
工作原理图
概述
该HMC313 & HMC313E是砷化镓的InGaP
异质结双极晶体管（ HBT ） MMIC
从单一的Vcc电源供电放大器。该
表面贴装SOT26扩增fi er可以用作一个
宽带增益级或外部配套使用
优化窄带应用。随着Vcc的
偏置在+ 5V时， HMC313 & HMC313E提供17分贝
增益和+15 dBm的饱和功率，而仅
需要电流为50 mA 。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= +25 ° C， VCC = + 5.0V
VCC = 5V +
参数
分钟。
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
输出功率为1 dB压缩（ P1dB的） @ 1.0 GHz的
饱和输出功率（ PSAT ） @ 1.0 GHz的
输出三阶截取点（ IP3 ） @ 1.0 GHz的
噪声系数
电源电流（ ICC）
注：随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
24
11
14
典型值。
DC - 6
17
0.02
7
6
30
14
15
27
6.5
50
20
0.03
马克斯。
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
单位
5 - 28
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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砷化镓的InGaP HBT MMIC宽带
放大器增益模块， DC - 6.0 GHz的
增益与温度
25
获得&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
5
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
5 - 29
20
增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
0
1
2
3
S11
S21
S22
15
+ 25 C
+ 85 C
- 40 C
10
5
0
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
频率（GHz ）
&输入输出回波损耗
0
反向隔离
0
-10
回波损耗（分贝）
-5
隔离度（dB ）
S11
S22
-20
-10
-30
-15
-40
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
-50
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
25
PSAT与温度的关系
25
+ 25 C
+ 85 C
- 40 C
20
P1dB的（ DBM）
+ 25 C
+ 85 C
- 40 C
20
PSAT （ DBM）
15
15
10
10
5
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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放大器增益模块， DC - 6.0 GHz的
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输出IP3与温度的关系
40
35
30
IP3 （ dBm的）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
+ 25 C
+ 85 C
- 40 C
功率压缩@ 1.0 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
15
10
5
0
-5
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
-10
-22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4
输入功率（dBm ）
-2
0
2
4
功率压缩@ 3.0 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
15
10
5
0
-5
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
-10
-22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6
输入功率（dBm ）
-4
-2
0
2
5 - 30
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放大器增益模块， DC - 6.0 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VCC = 5.0 V直流）
结温
连续PDISS （T = 85
°C)
（减免3.99毫瓦/ ° C以上85
°C)
热阻
（交界处领导）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
+20 dBm的
150 °C
0.259 W
251 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
5
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面
包装信息
产品型号
HMC313
HMC313E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H313
XXXX
313E
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
RFOUT
该引脚的直流耦合。一个片外隔直电容
是必须的。
3
RFIN
该引脚的直流耦合。一个片外隔直电容
是必须的。
2, 4-6
GND
这些引脚必须连接到RF / DC接地。
应用电路
推荐偏置电阻值
国际商会= 50 mA时， Rbias两端= （ VS - 5.0 ） /国际商会
电源电压（ Vs）的
R
BIAS
V
ALUE
R
BIAS
P
OWER
R
阿婷
5V
0Ω
6V
20 Ω
W
8V
62 Ω
½W
注意：
1.选择Rbias两端，以达到所需的电压Vcc引脚1 。
2.外部隔直电容是必需的引脚1 & 3 。
5 - 32
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