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HMC311LP3
/
311LP3E
v04.1108
的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器, DC - 6 GHz的
典型应用
特点
的P1dB输出功率: 15.5 dBm的
输出IP3 : +32 dBm的
增益: 14.5分贝
50欧姆的I / O
16引脚3x3mm的SMT封装:9毫米
2
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
该HMC311LP3 ( E)是理想的:
蜂窝/ PCS / 3G
固定无线WLAN &
CATV &电缆调制解调器
微波无线
工作原理图
概述
该HMC311LP3 ( E)是GaAs的InGaP异质结
双极晶体管( HBT )增益模块MMIC
SMT DC到6GHz的放大器。这种采用3x3mm
QFN封装的放大器可以被用作一个
可级联50欧姆增益级或驱动的LO
HMC混频器具有高达+17 dBm的输出功率。该
HMC311LP3 ( E)提供的增益和输出的14.5分贝
+32 dBm的同时,需要从一个只有56毫安IP3
+ 5V电源。达林顿的反馈对使用结果
在正常的工艺变化的敏感性降低
和过热产量出色的增益稳定性
而需要外部偏压的最小数量
组件。
电气电源规格,
VS = 5V , Rbias两端= 22欧姆,T
A
= +25° C
参数
收益
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 6.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
2.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 6.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 6.0 GHz的
DC - 6 GHz的
DC - 2.0 GHz的
2.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 6.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 6.0 GHz的
DC - 6 GHz的
13.5
12.0
10.0
分钟。
13.0
12.5
12.0
典型值。
14.5
14.3
14.0
0.005
0.008
0.012
13
11
15
18
15.5
15.0
13.0
32
30
28
24
4.5
55
74
0.008
0.012
0.016
马克斯。
单位
dB
dB
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
mA
增益随温度变化
回波损耗输入/输出
反向隔离
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流(WinSock )
注:随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
9-8
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC311LP3 / 311LP3E
v04.1108
的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器, DC - 6 GHz的
获得&回波损耗
20
15
10
响应( dB)的
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
频率(GHz )
增益与温度
20
9
+25 C
+85 C
-40 C
17
14
11
8
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗(分贝)
-10
回波损耗(分贝)
-5
+25 C
+85 C
-40 C
-5
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-15
-15
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率(GHz )
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率(GHz )
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度(dB )
噪声系数与温度
10
+25C
+85C
-40C
-5
+25 C
+85 C
-40 C
8
噪声系数(dB )
-10
6
-15
4
-20
2
-25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率(GHz )
0
1
2
3
4
5
6
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频率(GHz )
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9-9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
增益(dB )
S21
S11
S22
HMC311LP3 / 311LP3E
v04.1108
的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器, DC - 6 GHz的
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
20
PSAT与温度的关系
20
16
P1dB的( DBM)
PSAT ( DBM)
16
12
12
+25 C
+85 C
-40 C
8
+25 C
+85 C
-40 C
8
4
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率(GHz )
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率(GHz )
功率压缩@ 1 GHz的
20
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
15
10
5
0
-5
-10
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
收益
PAE
功率压缩@ 6 GHz的
20
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
15
10
5
0
-5
-10
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
收益
PAE
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
-6
-4
-2
0
2
4
6
输入功率(dBm )
输入功率(dBm )
输出IP3与温度的关系
34
30
26
IP3 ( dBm的)
22
18
14
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
增益,功率,输出IP3 &电源电流
与电源电压@ 1 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , IP3 ( dBm的)
40
35
30
25
ICQ (毫安)
20
15
10
5
0
4.5
4.75
5
VS ( V)
5.25
0
5.5
20
40
60
80
9 - 10
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HMC311LP3 / 311LP3E
v04.1108
的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器, DC - 6 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压(VCC )
RF输入功率( RFIN ) ( VS = + 5V )
结温
连续PDISS (T = 85°C )
(减免5.21毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(结点到地面桨)
储存温度
工作温度
+7V
+10 dBm的
150 °C
0.339 W
192 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC311LP3
HMC311LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
311
XXXX
311
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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9 - 11
HMC311LP3 / 311LP3E
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的InGaP HBT增益模块
MMIC放大器, DC - 6 GHz的
引脚说明
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
引脚数
1, 2, 4 - 9,
11 - 16
功能
N / C
描述
该管脚可被连接到RF接地。
接口示意图
3
RFIN
该引脚的直流耦合。
一芯片外的隔直流电容。
10
RFOUT
RF输出和直流偏置的输出级。
GND
包底部必须被连接到射频/ DC接地。
应用电路
注意:
1.选择Rbias两端用以下公式来实现ICQ,
RBIAS > 22欧姆。
2.外部隔直电容,需要在
RFIN和RFOUT 。
ICQ = VS - 3.8
RBIAS
推荐元件值
频率(MHz)
部件
50
L1
C1, C2
270 nH的
0.01 μF
900
56 nH的
100 pF的
1900
18 nH的
100 pF的
2200
18 nH的
100 pF的
2400
15 nH的
100 pF的
3500
8.2 nH的
100 pF的
5200
3.3 nH的
100 pF的
5800
3.3 nH的
100 pF的
9 - 12
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