v02.1202
微波公司
HMC292
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
特点
输入IP3 ： +19 dBm的
LO / RF隔离： 36分贝
被动：无直流偏置要求
小尺寸0.58毫米× 1.04毫米
典型应用
该HMC292是理想的：
微波点对点无线电
LMDS
SATCOM
工作原理图
概述
该HMC292芯片是一个微型无源砷化镓
MMIC双平衡混频器，可用于
从18上变频器和下变频器 - 32
千兆赫在0.66毫米的芯片面积小
2
。优秀
隔离是通过片上非平衡变压器，提供了
无需外部元件，无直流偏置。
所有数据的测量条件为芯片在一个50欧姆
通过0.076毫米（ 3密耳）色带测试网络连接夹具
最小长度<0.31毫米（ <12密耳）的债券。
5
调音台 - CHIP
电气连接特定的阳离子，
T
A
= +25° C
LO = +13 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
IP2 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
31
33
20
17
45
8
典型值。
20 - 30
DC - 8
7.5
7.5
38
40
25
19
50
12
9
9
30
30
17
15
42
8
马克斯。
分钟。
典型值。
18 - 32
DC - 8
8
8
36
40
25
19
50
12
10
10
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
LO = +13 dBm的
单位
5 - 70
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
v02.1202
微波公司
HMC292
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
转换增益与
温度@ LO = +13 dBm的
0
+85 C
隔离@ LO = +13 dBm的
0
射频/中频
-10
转换增益（dB ）
-5
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
LO / RF
LO / IF
-10
+25 C
-15
-55 C
-20
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
-60
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
5
调音台 - CHIP
转换增益与LO驱动
0
+15 dBm的
RF & LO
回波损耗@ LO = + 13dBm的
0
转换增益（dB ）
+13 dBm的
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
+10 dBm的
-15
8 dBm的
-20
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
-10
-15
RF
-20
10
20
30
40
频率（GHz ）
LO
中频带宽@ LO = +13 dBm的
中频转换增益& RETURN LOSS（分贝）
0
上变频器性能
转换增益@ LO = +13 dBm的
0
-5
回波损耗
-10
转换增益
-15
转换增益（dB ）
10
-5
-10
-15
-20
0
2
4
6
8
IF频率（GHz ）
-20
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
5 - 71
v02.1202
微波公司
HMC292
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
输入IP3主场迎战LO驱动器
25
+13 dBm的
20
输入IP3主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的
25
+85C
20
输入IP3 （ dBm的）
输入IP3 （ dBm的）
15
10
+10 dBm的
5
8 dBm的
0
15
+25C
10
-55C
5
0
-5
5
调音台 - CHIP
-5
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
输入IP2主场迎战LO驱动器
80
+10 dBm的
70
+13 dBm的
60
输入IP2主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的
80
70
+85C
60
输入IP2 （ DBM）
输入IP2 （ DBM）
50
40
30
8 dBm的
20
10
0
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
50
40
30
20
10
0
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
-55C
+25C
输入P1dB的对比
温度@ LO = +13 dBm的
15
+25 C
13
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
0
xx
17
1
11
0
70
39
77
93
>110
76
69
>110
86
>110
2
3
4
输入P1dB为
11
-55 C
9
+85 C
1
2
3
7
4
5
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
RF = 21 GHz的@ -10 dBm的
LO = 22 GHz的@ +13 dBm的
在dBc的所有值低于中频功率电平。
5 - 72
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
v02.1202
微波公司
HMC292
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+27 dBm的
-65至+150°C
-55至+85°C
5
调音台 - CHIP
5 - 73
外形绘图
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.背面金属：金。
5.焊盘金属化：黄金。
6.背面金属接地。
7.连接不需要
未标记的焊垫。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
v02.1202
微波公司
HMC292
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
MMIC技术大会
丝带债券
丝带债券
5
调音台 - CHIP
安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓
模具应该被直接连接到接地平面共晶或导电环氧树脂（见HMC的一般处理，安装，
合注） 。
50对0.127毫米（ 5万）欧姆微带传输线厚的氧化铝薄液膜衬底建议将RF和
从芯片（图1） 。如果0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄液膜衬底必须使用时，模具应提高0.150毫米（6-
密耳），以使得所述模具的表面是共面与基板的表面上。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米（4-
密耳）厚的芯片到0.150毫米（ 6密耳）厚的钼散热器（钼片），其随后连接到接地平面（图2） 。
微带基片应使尽可能靠近模具尽可能以最小化键合线长度。典型的管芯到衬底
间距是0.076毫米（3密耳）。 0.076毫米的基本长度为X 0.013毫米（ 3万×0.5密耳） <0.31毫米（ <12密耳）金丝带是中建议
谁料，以减少电感的RF端口。
5 - 74
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
典型应用
该HMC292是理想的：
微波点对点无线电点
LMDS
SATCOM
特点
输入IP3 ： +19 dBm的
LO / RF隔离： 38分贝
被动：无直流偏置要求
小尺寸： 1.04 X 0.58 X 0.1毫米
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
工作原理图
概述
该HMC292芯片是一个微型无源的GaAs MMIC
双平衡混频器可被用作
上变频器，下变频器，或从18 - 32 GHz的一个
的0.66毫米芯片面积小
2
。优良的隔离度
通过片上非平衡变压器，这不需要克斯特提供
最终的组件和无直流偏置。所有数据被测量
在50欧姆测试网络连接的芯片，通过夹具连接
0.076毫米（ 3密耳），最小长度为<0.31色带债券
毫米（ <12密耳）。
电气电源规格，
T
A
= +25° C
LO = +13 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
IP2 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
30
31
20
17
45
8
典型值。
20 - 30
DC - 8
7.5
7.5
38
40
24
19
50
12
9.5
9.5
30
28
17
15
42
8
马克斯。
分钟。
典型值。
18 - 32
DC - 8
9
9
38
40
24
19
50
12
11
11
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
LO = +13 dBm的
单位
4 - 48
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
隔离@ LO = +13 dBm的
0
LO / RF
LO / IF
射频/中频
转换增益与
温度@ LO = +13 dBm的
0
转换增益（dB ）
-10
-5
隔离度（dB ）
-20
-10
-30
-15
+25 C
+85 C
-55 C
-40
4
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
转换增益与LO驱动
0
8 dBm的
+10 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
RF & LO
回波损耗@ LO = + 13dBm的
0
LO
RF
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-15
-15
-20
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
-20
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
中频带宽@ LO = +13 dBm的
中频转换增益& RETURN LOSS（分贝）
0
上变频器性能
转换增益@ LO = +13 dBm的
0
转换增益（dB ）
-5
-5
-10
-10
-15
转换增益（dB ）
Retrun损失
-15
-20
0
2
4
6
8
10
IF频率（GHz ）
-20
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
4 - 49
调音台 - 双平衡 - CHIP
-20
-50
转换增益（dB ）
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
输入IP3主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的
25
输入IP3主场迎战LO驱动器
25
20
15
IP3 （ dBm的）
20
IP3 （ dBm的）
15
-55C
+25C
+85C
10
5
0
-5
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
8 dBm的
+10 dBm的
+13 dBm的
10
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
5
0
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
输入IP2主场迎战LO驱动器
80
70
60
IP2 （ dBm的）
输入IP2主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的
80
70
60
IP2 （ dBm的）
50
40
30
20
10
0
-55C
+25C
+85C
50
40
30
20
10
0
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
8分贝，
+10 dBm的
+13 dBm的
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
输入P1dB的对比
温度@ LO = +13 dBm的
15
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
xx
17
1
11
0
70
39
77
93
>110
76
69
>110
86
>110
2
3
4
13
0
1
2
11
P1dB
-55C
+25C
+85C
9
3
4
7
RF = 21 GHz的@ -10 dBm的
LO = 22 GHz的@ +13 dBm的
在dBc的所有值低于中频功率电平。
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
5
4 - 50
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免4毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（结死底部）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+13 dBm的
+27 dBm的
150 °C
260毫瓦
250 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
1C类
静电敏感器件
观察处理注意事项
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.背面金属：金。
5.焊盘金属化：黄金。
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP-5
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
4 - 51
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
1
LO
该引脚的直流耦合
并匹配到50欧姆。
4
2
RF
该引脚的直流耦合
并匹配到50欧姆。
调音台 - 双平衡 - CHIP
3
IF
该引脚的直流耦合。如果不需要操作
以DC ，这个端口应该是DC阻断外部采用了一系列
电容，其值已经选择通过必要的IF
频率范围。对于操作的DC ，这脚不能源/
灌电流超过200 mA或死于非功能和可能的
模具失效将导致。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
4 - 52
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
典型应用
该HMC292是理想的：
微波点对点无线电点
LMDS
SATCOM
特点
输入IP3 ： +19 dBm的
LO / RF隔离： 38分贝
被动：无直流偏置要求
小尺寸： 1.04 X 0.58 X 0.1毫米
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
工作原理图
概述
该HMC292芯片是一个微型无源的GaAs MMIC
双平衡混频器可被用作
上变频器，下变频器，或从18 - 32 GHz的一个
的0.66毫米芯片面积小
2
。优良的隔离度
通过片上非平衡变压器，这不需要克斯特提供
最终的组件和无直流偏置。所有数据被测量
在50欧姆测试网络连接的芯片，通过夹具连接
0.076毫米（ 3密耳），最小长度为<0.31色带债券
毫米（ <12密耳）。
电气电源规格，
T
A
= +25° C
LO = +13 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
IP2 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
30
31
20
17
45
8
典型值。
20 - 30
DC - 8
7.5
7.5
38
40
24
19
50
12
9.5
9.5
30
28
17
15
42
8
马克斯。
分钟。
典型值。
18 - 32
DC - 8
9
9
38
40
24
19
50
12
11
11
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
LO = +13 dBm的
单位
4 - 42
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
隔离@ LO = +13 dBm的
0
LO / RF
LO / IF
射频/中频
转换增益与
温度@ LO = +13 dBm的
0
转换增益（dB ）
-5
隔离度（dB ）
-10
-20
-10
-30
-15
+25 C
+85 C
-55 C
-40
4
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
转换增益与LO驱动
0
8 dBm的
+10 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
RF & LO
回波损耗@ LO = + 13dBm的
0
LO
RF
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-15
-15
-20
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
-20
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
中频带宽@ LO = +13 dBm的
中频转换增益& RETURN LOSS（分贝）
0
上变频器性能
转换增益@ LO = +13 dBm的
0
转换增益（dB ）
-5
-5
-10
-10
-15
转换增益（dB ）
Retrun损失
-15
-20
0
2
4
6
8
10
IF频率（GHz ）
-20
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
4 - 43
调音台 - 双平衡 - CHIP
-20
-50
转换增益（dB ）
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
输入IP3主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的
25
输入IP3主场迎战LO驱动器
25
20
15
10
5
0
-5
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
8 dBm的
+10 dBm的
+13 dBm的
20
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
15
-55C
+25C
+85C
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
10
5
0
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
输入IP2主场迎战LO驱动器
80
70
60
IP2 （ dBm的）
输入IP2主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的
80
70
60
IP2 （ dBm的）
50
40
30
20
10
0
-55C
+25C
+85C
50
40
30
20
10
0
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
8分贝，
+10 dBm的
+13 dBm的
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
输入P1dB的对比
温度@ LO = +13 dBm的
15
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
xx
17
1
11
0
70
39
77
93
>110
76
69
>110
86
>110
2
3
4
13
0
1
2
P1dB
11
-55C
+25C
+85C
9
3
4
7
RF = 21 GHz的@ -10 dBm的
LO = 22 GHz的@ +13 dBm的
在dBc的所有值低于中频功率电平。
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
5
4 - 44
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免4毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（结死底部）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+13 dBm的
+27 dBm的
150 °C
260毫瓦
250 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
1C类
静电敏感器件
观察处理注意事项
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.背面金属：金。
5.焊盘金属化：黄金。
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP- 5 （胶装）
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
4 - 45
HMC292
v06.1007
砷化镓MMIC双平衡
调音台， 18 - 32 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
1
LO
该引脚的直流耦合
并匹配到50欧姆。
4
2
RF
该引脚的直流耦合
并匹配到50欧姆。
调音台 - 双平衡 - CHIP
3
IF
该引脚的直流耦合。如果不需要操作
以DC ，这个端口应该是DC阻断外部采用了一系列
电容，其值已经选择通过必要的IF
频率范围。对于操作的DC ，这脚不能源/
灌电流超过200 mA或死于非功能和可能的
模具失效将导致。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
4 - 46
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2881677436 复制
