HMC266
v02.0406
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦搅拌机， 20 - 40 GHz的
安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓
模具应该被直接连接到接地平面共晶或与
导电环氧树脂（见HMC一般搬运，安装，焊接注） 。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
引线键合
0.076mm
(0.003”)
3
调音台 - CHIP
50对0.127毫米（ 5 mil）厚的氧化铝薄液膜欧姆微带传输线
衬底被建议用于使射频和从芯片（图1） 。如果
0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜基片必须用的模具应
提高0.150毫米（6密耳），以使得所述模具的表面是共面的表面
衬底。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米（4密耳）厚
死到0.150毫米（ 6密耳）厚的钼散热器（钼片）中，然后
附连到接地平面（图2） 。
微带基片应使以尽可能靠近模具尽可能
最大限度地减少色带键长。典型的模具与基板的间隔是0.076毫米（3密耳）。
0.075毫米（ 3密耳）的宽度和长度最小<0.31毫米（ <12密耳）金丝带是
建议在RF ， LO & IF端口减小电感。
射频接地平面
0.127毫米（ 0.005 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图1 。
操作注意事项
遵守这些注意事项，以避免造成永久性损坏。
储存：
所有的裸模被放置在任何华夫或凝胶基于ESD保护
容器，然后密封在防静电保护袋发货。一旦
密封防静电保护袋已经被打开，所有的模具应存放在干燥
氮气环境。
清洁度：
处理芯片在一个干净的环境。不要试图清理
使用液体清洁系统的芯片。
静态灵敏度：
按照ESD防范措施，以防止> ± 250V ESD
罢工。
瞬变：
抑制手段和偏置电源瞬变而施加偏压。
使用屏蔽信号和偏置电缆，以减少电感回升。
常规处置：
手柄沿边缘的芯片，具有一真空夹头或
锋利的一对弯曲的镊子。在芯片的表面具有脆弱空气桥和
不应该触及真空夹套，镊子，或手指。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
引线键合
0.076mm
(0.003”)
射频接地平面
0.150毫米（ 0.005 “）厚
钼标签
0.254毫米（ 0.010 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图2中。
MOUNTING
该芯片背面金属化和可模安装有金锡共晶型坯
或用导电环氧树脂。安装面应洁净，平整。
共晶芯片粘接：
甲二十零分之八十零金锡预成型件，建议用255 ℃的工作表面温度和模具温度
265℃ 。当热90/10氮气/氢气应用，刀尖温度应在290℃ 。请勿将芯片
到温度高于320 ℃下进行20秒以上。应所需的擦洗的不超过3秒
附件。
环氧树脂模具附件：
适用的环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂圆角绕观察
一旦芯片的外围被放置到的位置。治愈按照制造商的时间表环氧树脂。
引线键合
RF债券取得与0.003 “× 0.0005 ”丝带建议。这些债券应热超声键合的力量
40-60克。 0.001 “ （0.025毫米）的DC债券，超声波热合，推荐。球债券应
用40-50克和楔形债券在18-22克的力量。所有键的应用150的标称阶段温度下进行
℃。超声波能量的最小量，应适用于实现可靠的债券。所有键应该是尽可能地短，
小于12密耳（0.31mmol毫米）。
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