v01.0701
微波公司
HMC265
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
典型应用
该HMC265是理想的：
微波点对点无线电
LMDS
SATCOM
特点
集成LO放大器ER ： -4 dBm的输入
SUB -谐泵浦（ X2 ） LO
集成IF放大器ER ：3 dB的增益
小尺寸： 1.32毫米X 1.32毫米
工作原理图
概述
该HMC265芯片是一个子谐波泵浦
（ X2 ） MMIC下变频器，集成LO & IF
放大器器。该芯片采用了砷化镓PHEMT技
术导致在一个小型的整体的芯片面积
1.74 mm
2
。该2LO至RF隔离是优秀的
省去了额外的滤波网络。该
LO放大器器是一个偏置（ + 3V至+ 4V ） 2
舞台设计，只有-4 dBm的额定驱动器
要求。所有数据是在一个50的芯片
通过0.025毫米欧姆测试网络连接夹具（ 1密耳）
最小长度<0.31毫米直径引线键合
（ <12密耳）。这下变频器IC是一种性能优良，
更小，并且更可靠置换到混合
基于二极管的下变频器MMIC组件。
5
调音台 - CHIP
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， LO驱动器= -4 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换增益（ RF至IF ）
噪声系数（ SSB ）
2LO至RF隔离
2LO至IF隔离
IP3 （输入）
1 dB压缩（输入）
电源电流（ IDD）
17
40
2
-5
-2
IF = 1 GHz的
VDD = + 4V
典型值。
20 - 32
10 - 16
0.7 - 3.0
3
13
20 ~ 40
50 ~ 60
10
2
50
28
45
9
-2
7
-2
马克斯。
分钟。
IF = 1 GHz的
VDD = + 4V
典型值。
27 - 30
13.5 - 15
0.7 - 3.0
2
13
35
55
13
2
50
5
马克斯。
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
单位
5 - 58
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
微波公司
v01.0701
HMC265
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
转换增益与温度的关系
@ LO = -4 dBm的VDD = + 4V
10
-55 C
5
0
+85 C
-5
+25 C
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
转换增益与温度的关系
@ LO = -4 dBm的VDD = 3V +
10
-55 C
5
0
-5
+85 C
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
+25 C
转换增益（dB ）
转换增益（dB ）
5
调音台 - CHIP
5 - 59
转换增益与LO驱动
@ VDD = + 4V
10
-4dBm
0dBm
5
0
-6dBm
-5
-2dBm
-10
-8dBm
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
转换增益与LO驱动
@ VDD = 3V +
10
5
-4dBm
0
-5
-6dBm
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
-2dBm
隔离@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
10
0
-10
LO / RF
转换增益（dB ）
隔离@ LO = -4 dBm时， VDD = 3V +
10
0
-10
LO / RF
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
射频/中频
-50
-60
2LO/IF
-70
18
20
22
24
2LO/RF
LO / IF
转换增益（dB ）
2LO/RF
-20
-30
-40
-50
LO / IF
-60
-70
2LO/IF
射频/中频
26
28
30
32
34
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v01.0701
微波公司
HMC265
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
IP3主场迎战LO驱动@ VDD = + 4V
20
IP3与温度的关系
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
20
三阶截取（ DBM）
三阶截取（ DBM）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
-6 dBm的
-4 dBm的
-2 dBm的
18
16
+85C
14
12
10
8
6
4
2
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
+25C
-55C
5
调音台 - CHIP
LO & RF回波损耗
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
0
IF回波损耗
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
0
回波损耗（分贝）
-10
RF
-15
LO
-20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率（GHz ）
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
IF
-15
-20
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
3
2
+85 C
1
中频带宽@ LO = -4 dBm的
10
如果在转换增益（dB ）
5
0
-5
VDD = 3V +
-10
-15
-20
VDD = + 4V
P1dB的（ DBM）
0
-55 C
-1
-2
+25 C
-3
-4
-5
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
0
1
2
3
4
5
6
IF频率（GHz ）
5 - 60
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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微波公司
HMC265
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入（VDD = + 4V ）
LO驱动（ VDD = + 4V ）
VDD
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+13 dBm的
+5.5伏
-65至+150°C
-55至+85°C
5
调音台 - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.焊垫间距中心
中心是0.006 “ 。
5.背面金属：金。
6.焊盘金属化：黄金。
7.背面金属接地。
8.连接不需要
未标记的焊垫。
外形绘图
（请参阅处理安装粘接注）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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5 - 61
微波公司
v01.0701
HMC265
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
MIC组装技术
5
调音台 - CHIP
安装&粘接Techiniques的毫米波MMIC的砷化镓
模具应该被直接连接到接地平面共晶或导电环氧树脂（见HMC的一般处理，安装，
合注） 。
50对0.127毫米（ 5 mil）厚的氧化铝薄液膜欧姆微带传输线
衬底被建议用于使射频和从芯片（图1） 。如果
0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄液膜衬底必须使用时，模具应
提高0.150毫米（6密耳），以使得所述模具的表面是共面的
所述基板的表面上。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米
（ 4密耳）厚的模具到0.150毫米（ 6 mil）厚的钼散热器（钼片）
然后将其附连到接地平面（图2） 。
微带基片应使尽可能靠近模具尽可能以
尽量减少焊线长度。典型的模具与基板的间隔是0.076毫米（3-
密耳）。
射频旁路电容应使用在VDD输入。一个100 pF的单层
电容器（共晶或导电环氧树脂装）放置没有进一步的比
从芯片0.762毫米（ 30密耳）的建议。在网络连接gure 3图为
典型的装配为HMC265 MMIC芯片。
图3：
典型HMC265大会
5 - 62
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
典型应用
该HMC265是理想的：
微波点对点无线电点
特点
集成LO放大器ER ： -4 dBm的输入
SUB -谐泵浦（ X2 ） LO
集成IF放大器ER ：3 dB的增益
小尺寸： 1.32 X 1.32 X 0.1毫米
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
LMDS
SATCOM
工作原理图
概述
该HMC265芯片是一个子谐波泵浦（×2）
MMIC下变频器集成了LO & IF amplifi-
ERS 。该芯片采用了砷化镓PHEMT技术，
结果在1.74毫米的小整体的芯片面积
2
。该
2LO到RF隔离性优异省去
额外的滤波。本振放大器是单
偏置（ + 3V至+ 4V ）两阶段的设计，只有-4 dBm的
变频器额定要求。所有数据是在芯片
通过0.025毫米一个50欧姆的测试夹具连接（1密耳）的
最小长度<0.31毫米直径引线键合（ <12
密耳）。这下变频器IC是一个很好的，规模较小，
和更可靠的替代混合动力基于二极管
下变频器MMIC组件。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， LO驱动器= -4 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换增益（ RF至IF ）
噪声系数（ SSB ）
2LO至RF隔离
2LO至IF隔离
IP3 （输入）
1 dB压缩（输入）
电源电流（ IDD）
17
40
2
-5
-2
IF = 1 GHz的
VDD = + 4V
典型值。
20 - 32
10 - 16
0.7 - 3.0
3
13
20 ~ 40
50 ~ 60
10
2
50
67
28
45
9
-2
7
-2
马克斯。
分钟。
IF = 1 GHz的
VDD = + 4V
典型值。
27 - 30
13.5 - 15
0.7 - 3.0
2
13
35
55
13
2
50
67
5
马克斯。
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
单位
3 - 22
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
转换增益与温度的关系
@ LO = -4 dBm的VDD = + 4V
10
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
+25C
+85C
-55C
转换增益与温度的关系
@ LO = -4 dBm的VDD = 3V +
10
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
转换增益（dB ）
转换增益（dB ）
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
3 - 23
+25C
+85C
-55C
转换增益与LO驱动
@ VDD = + 4V
10
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
-8 dBm的
-6 dBm的
-4 dBm的
-2 dBm的
0 dBm的
转换增益与LO驱动
@ VDD = 3V +
10
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
+25C
+85C
-55C
转换增益（dB ）
隔离@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
10
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
射频/中频
-50
-60
2LO/IF
-70
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
2LO/RF
LO / IF
LO / RF
隔离@ LO = -4 dBm时， VDD = 3V +
10
0
-10
隔离度（dB ）
2LO/RF
-20
-30
-40
-50
LO / IF
-60
-70
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
2LO/IF
射频/中频
LO / RF
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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转换增益（dB ）
HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
输入P3与温度的关系
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
20
18
16
14
IP3 （ dBm的）
12
10
8
6
-6 dBm的
-4 dBm的
-2 dBm的
-55C
+25C
+85C
输入P3与LO驱动@ VDD = + 4V
20
18
16
IP3 （ dBm的）
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
14
12
10
8
6
4
2
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
4
2
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
LO & RF回波损耗
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
0
IF回波损耗
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
0
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
IF
-15
LO
RF
-15
-20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率（GHz ）
-20
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
输入P1dB为与温度的关系
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
3
2
1
P1dB的（ DBM）
0
-1
-2
-3
-4
-5
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
+25C
-55C
+85C
中频带宽@ LO = -4 dBm的
10
如果在转换增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
0
1
2
3
4
5
6
IF频率（GHz ）
VDD = + 4V
VDD = 3V +
3 - 24
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
1
VDD
电源为LO放大器呃。外部射频旁路
100电容 - 330 pF的需要。一个MIM电容边框
值得推荐。键长为电容应
尽可能地短。电容器的接地侧应
被连接到所述外壳接地。
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
3 - 25
2
RF
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
3
IF
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
4
LO
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
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HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入（VDD = + 4V ）
LO驱动（ VDD = + 4V ）
VDD
储存温度
+13 dBm的
+13 dBm的
+5.5伏
-65至+150°C
-55至+85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
工作温度
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP-2
备用
[2]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.焊垫间距中心，中心是0.006 “ 。
5.背面金属：金。
6.焊盘金属化：黄金。
7.背面金属接地。
8.连接不需要的未标记的焊垫。
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
3 - 26
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20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
典型应用
该HMC265是理想的：
微波点对点无线电点
特点
集成LO放大器ER ： -4 dBm的输入
SUB -谐泵浦（ X2 ） LO
集成IF放大器ER ：3 dB的增益
小尺寸： 1.32 X 1.32 X 0.1毫米
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
LMDS
SATCOM
工作原理图
概述
该HMC265芯片是一个子谐波泵浦（×2）
MMIC下变频器集成了LO & IF amplifi-
ERS 。该芯片采用了砷化镓PHEMT技术，
结果在1.74毫米的小整体的芯片面积
2
。该
2LO到RF隔离性优异省去
额外的滤波。本振放大器是单
偏置（ + 3V至+ 4V ）两阶段的设计，只有-4 dBm的
变频器额定要求。所有数据是在芯片
通过0.025毫米一个50欧姆的测试夹具连接（1密耳）的
最小长度<0.31毫米直径引线键合（ <12
密耳）。这下变频器IC是一个很好的，规模较小，
和更可靠的替代混合动力基于二极管
下变频器MMIC组件。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， LO驱动器= -4 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换增益（ RF至IF ）
噪声系数（ SSB ）
2LO至RF隔离
2LO至IF隔离
IP3 （输入）
1 dB压缩（输入）
电源电流（ IDD）
17
40
2
-5
-2
IF = 1 GHz的
VDD = + 4V
典型值。
20 - 32
10 - 16
0.7 - 3.0
3
13
20 ~ 40
50 ~ 60
10
2
50
67
28
45
9
-2
7
-2
马克斯。
分钟。
IF = 1 GHz的
VDD = + 4V
典型值。
27 - 30
13.5 - 15
0.7 - 3.0
2
13
35
55
13
2
50
67
5
马克斯。
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
单位
3 - 22
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
转换增益与温度的关系
@ LO = -4 dBm的VDD = + 4V
10
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
+25C
+85C
-55C
转换增益与温度的关系
@ LO = -4 dBm的VDD = 3V +
10
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
转换增益（dB ）
转换增益（dB ）
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
3 - 23
+25C
+85C
-55C
转换增益与LO驱动
@ VDD = + 4V
10
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
-8 dBm的
-6 dBm的
-4 dBm的
-2 dBm的
0 dBm的
转换增益与LO驱动
@ VDD = 3V +
10
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
+25C
+85C
-55C
转换增益（dB ）
隔离@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
10
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
2LO/IF
-70
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
射频/中频
2LO/RF
LO / IF
LO / RF
隔离@ LO = -4 dBm时， VDD = 3V +
10
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
LO / IF
-60
-70
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
2LO/IF
射频/中频
2LO/RF
LO / RF
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20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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转换增益（dB ）
HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
输入P3与温度的关系
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
20
18
16
14
IP3 （ dBm的）
12
10
8
6
-6 dBm的
-4 dBm的
-2 dBm的
-55C
+25C
+85C
输入P3与LO驱动@ VDD = + 4V
20
18
16
IP3 （ dBm的）
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
14
12
10
8
6
4
2
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
4
2
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
LO & RF回波损耗
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
0
IF回波损耗
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
0
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
IF
-15
LO
RF
-15
-20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率（GHz ）
-20
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
输入P1dB为与温度的关系
@ LO = -4 dBm时， VDD = + 4V
3
2
1
P1dB的（ DBM）
0
-1
-2
-3
-4
-5
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
+25C
-55C
+85C
中频带宽@ LO = -4 dBm的
10
如果在转换增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
0
1
2
3
4
5
6
IF频率（GHz ）
VDD = + 4V
VDD = 3V +
3 - 24
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HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入（VDD = + 4V ）
LO驱动（ VDD = + 4V ）
VDD
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+13 dBm的
+5.5伏
-65至+150°C
-55至+85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.焊垫间距中心，中心是0.006 “ 。
5.背面金属：金。
6.焊盘金属化：黄金。
7.背面金属接地。
8.连接不需要的未标记的焊垫。
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
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3 - 25
HMC265
v02.1007
砷化镓MMIC SUB-谐
泵浦下变频器， 20 - 32 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
3
调音台 - 次谐波 - CHIP
1
VDD
电源为LO放大器呃。外部射频旁路
100电容 - 330 pF的需要。一个MIM电容边框
值得推荐。键长为电容应
尽可能地短。电容器的接地侧应
被连接到所述外壳接地。
2
RF
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
3
IF
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
4
LO
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
3 - 26
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