v02.1103
微波公司
HMC256
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
特点
高镜频抑制： >30分贝
输入IP3 ： 18分贝
宽带IF ： DC至1.5 GHz的
小大小：1.3毫米× 1.6毫米
典型应用
该HMC256是理想的：
微波无线电& VSAT
测试仪表
军用无线电雷达& ECM
=空间
工作原理图
概述
该HMC256芯片是一款体积小巧， 2.08毫米
2
I / Q
混频器MMIC将可以用作图像
抑制混频器（ IRM ）或单边带上变频器。该
芯片使用了两个标准赫双平衡
混频器单元和一个兰格耦合器实现的GaAs
MESFET技术。所有数据是在芯片
通过0.025毫米（ 50欧姆测试网络连接夹具1
密耳）最小长度<0.51直径焊线
毫米（ <20密耳）。低频正交混合
被用于连接在MMIC IF端口到120
MHz的IF USB输出。这提供了一个例子
在I / Q混频器中的IRM的应用。中频可
可用于从DC到1.5 GHz的。该I / Q混频器是
一个更可靠的，更小的置换，以
混合插入式风格的I / Q混频器组件。
5
调音台 - CHIP
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，作为一个镜像抑制混频器
参数
分钟。
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
镜频抑制（ IR ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
24
22
27
24
IF = 70 - 200兆赫
LO = +18 dBm的
典型值。
5.9 - 12
5.7 - 12
DC - 1.5
8
8
32
30
35
30
18
5
10.5
10.5
20
22
27
24
马克斯。
分钟。
IF = 70 - 200兆赫
LO = +15 dBm的
典型值。
7.1 - 11.7
6.9 - 11.7
DC - 1.5
8
8
30
30
35
30
17
5
10.5
10.5
马克斯。
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
单位
5 - 32
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
v02.1103
微波公司
HMC256
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
转换增益为期望中的边带
主场迎战LO驱动器， IF = 120 MHz的USB
0
+18dBm
转换增益（dB ）
-5
转换增益为期望中的边带
与温度@ LO = +15 dBm时，
IF = 120 MHz的USB
0
-55C
转换增益（dB ）
-5
-10
-10
+14dBm
-15
+16dBm
-20
+12dBm
+85C
-15
+25C
-20
5
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
5
6
7
8
9
10
11
12
13
射频频率（ GHz）的
5
调音台 - CHIP
镜像抑制与温度的关系
LO = +15 dBm时， IF = 120MHz的USB
50
+85C
镜像抑制（分贝）
镜像抑制与
LO驱动器， IF = 120 MHz的USB
50
+18dBm
镜像抑制（分贝）
40
+16dBm
40
30
30
20
-55C
10
+25C
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
射频频率（ GHz）的
20
10
+14dBm
0
5
6
7
8
9
+12dBm
10
11
12
13
射频频率（ GHz）的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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5 - 33
v02.1103
微波公司
HMC256
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
回波损耗@ LO = +15 dBm的
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
隔离@ LO = +15 dBm的
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
射频/中频
LO / RF
-15
-20
-25
LO
-30
-35
-40
RF
LO / IF
5
调音台 - CHIP
中频转换增益& RETURN LOSS（分贝）
0
-5
-10
-15
-20
5
6
7
8
9
10
11
12
13
5
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
频率（GHz ）
中频带宽@ LO = 15 dBm的
中频转换增益
输入IP3主场迎战LO驱动器， IF = 120 MHz的USB
25
三阶截取（ DBM）
+18dBm
20
15
+14dBm
+16dBm
回波损耗
-25
-30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
10
6
6.5
7
频率（GHz ）
7.5
8
5 - 34
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v02.1103
微波公司
HMC256
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.36毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（结死底部）
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+27 dBm的
150 °C
0.61 W
106.8 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
5
调音台 - CHIP
外形绘图
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.键合焊盘0.004 “广场。
3.典型的焊盘间距中心，中心是0.006 “ 。
4.背面金属：金。
5.焊盘金属化：黄金。
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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5 - 35
v02.1103
微波公司
HMC256
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
1
RF
该引脚交流耦合，匹配50欧姆。
2
LO
该引脚交流耦合，匹配50欧姆。
5
3,4
IF1 ， IF2
该引脚的直流耦合。对于操作DC引脚不得
灌/拉电流超过200 mA或故障可能导致。
调音台 - CHIP
背面
GND
管芯的背面必须连接到RF接地。
镜像抑制混频器推荐应用电路
下面
图1
是一张照片，在
图2
该HMC256图像的示意性抑制混频器MMIC芯片连接到一个正交
杂交体（ 120兆赫）由梅里马克工业西考德威尔，NJ制造的（P / N QHZ -2A- 120）。
呈现为HMC256 MMIC IRM的数据是使用这里所描述的电路中获得。请注意，图像载波抑制
和隔离性能是依赖于低频的杂交体的选择。低性能的特定连接的阳离子
频率正交混合以及接口电路的相位平衡和VSWR的HMC256 MMIC将影响
IRM的整体性能。
图1：
完整的MIC IRM大会
图2：
HMC256 IRM MMIC的原理图连接到正交混合
5 - 36
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
典型应用
该HMC256是理想的：
微波无线电& VSAT
特点
高镜频抑制： >30分贝
输入IP3 ： 18分贝
宽带IF ： DC至1.5 GHz的
模具尺寸： 1.6× 1.3× 0.1毫米
3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
测试仪表
军用无线电雷达& ECM
=空间
工作原理图
概述
该HMC256芯片是一款体积小巧， 2.08毫米
2
I / Q混频器
MMIC将可以被用作一个镜像抑制混频器
（ IRM ）或单边带（ SSB ）上变频器。该
芯片使用了两个标准赫双平衡
混频器单元和一个兰格耦合器实现的GaAs
MESFET技术。所有数据是在一个芯片
50欧姆测试夹具通过0.025毫米连接（ 1密耳）
最小长度<0.51毫米直径引线键合（ <20
密耳）。低频正交混合使用
接口的MMIC IF端口为120 MHz的IF USB
输出。这提供了在I / Q混频器的一个例子
在信息资源管理中的应用。中频可从DC使用
1.5 GHz的。这个I / Q混频器是一种更可靠，更
较小的替代混合动力的插入式风格的I / Q混频器
集会。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C，作为IRM
参数
分钟。
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
镜频抑制（ IR ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
24
22
27
24
IF = 70 - 200兆赫
LO = +18 dBm的
典型值。
5.9 - 12
5.7 - 12
DC - 1.5
8
8
32
30
35
30
18
5
10.5
10.5
20
22
27
24
马克斯。
分钟。
IF = 70 - 200兆赫
LO = +15 dBm的
典型值。
7.1 - 11.7
6.9 - 11.7
DC - 1.5
8
8
30
30
35
30
17
5
10.5
10.5
马克斯。
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
单位
3-2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
转换增益为期望中的边带
与温度@ LO = +15 dBm时，
IF = 120 MHz的USB
0
转换增益（dB ）
转换增益为期望中的边带
主场迎战LO驱动器， IF = 120 MHz的USB
0
-5
转换增益（dB ）
-5
3
LO = +12 dBm的
LO = +14 dBm的
LO = +16 dBm的
LO = +18 dBm的
-10
-10
-15
-40C
+25C
+85C
-15
-20
5
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
-20
5
6
7
8
9
10
11
12
13
射频频率（ GHz）的
镜像抑制与温度的关系
LO = +15 dBm时， IF = 120 MHz的USB
50
镜像抑制与
LO驱动器， IF = 120 MHz的USB
50
镜像抑制（分贝）
30
镜像抑制（分贝）
40
40
30
20
-30C
+25C
+85C
20
- 12 dBm的
- 14 dBm的
- 16 dBm的
- 18 dBm的
10
10
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
射频频率（ GHz）的
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
射频频率（ GHz）的
回波损耗@ LO = +15 dBm的
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
隔离@ LO = +15 dBm的
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
射频/中频
LO / IF
LO / RF
-15
-20
-25
-30
-35
-40
5
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
RF
LO
5
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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3-3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
中频带宽@ LO = 15 dBm的
中频转换增益& RETURN LOSS（分贝）
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
中频转换增益
IF回波损耗
输入IP3主场迎战LO驱动器， IF = 120 MHz的USB
25
三阶截取（ DBM）
3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
20
15
-14 dBm的
-16 dBm的
-18 dBm的
10
6
6.5
7
频率（GHz ）
7.5
8
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.36毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（结死底部）
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+27 dBm的
150 °C
0.61 W
106.8 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
3-4
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
外形绘图
3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
3-5
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.键合焊盘0.004 “广场。
3.典型的焊盘间距中心，中心是0.006 “ 。
4.背面金属：金。
5.焊盘金属化：黄金。
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
芯片封装信息
[1]
标准
WP - 3 （华夫包）
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
1
RF
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
2
LO
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
3, 4
IF1 ， IF2
该引脚的直流耦合。对于操作
DC引脚不能吸收比/源多
可能会导致电流或故障2毫安。
背面
GND
管芯的背面必须连接到RF接地。
3-6
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
典型应用
该HMC256是理想的：
微波无线电& VSAT
特点
高镜频抑制： >30分贝
输入IP3 ： 18分贝
宽带IF ： DC至1.5 GHz的
模具尺寸： 1.6× 1.3× 0.1毫米
3
调音台 - CHIP
测试仪表
军用无线电雷达& ECM
=空间
工作原理图
概述
该HMC256芯片是一款体积小巧， 2.08毫米
2
I / Q混频器
MMIC将可以被用作一个镜像抑制混频器
（ IRM ）或单边带（ SSB ）上变频器。该
芯片使用了两个标准赫双平衡
混频器单元和一个兰格耦合器实现的GaAs
MESFET技术。所有数据是在一个芯片
50欧姆测试夹具通过0.025毫米连接（ 1密耳）
最小长度<0.51毫米直径引线键合（ <20
密耳）。低频正交混合使用
接口的MMIC IF端口为120 MHz的IF USB
输出。这提供了在I / Q混频器的一个例子
在信息资源管理中的应用。中频可从DC使用
1.5 GHz的。这个I / Q混频器是一种更可靠，更
较小的替代混合动力的插入式风格的I / Q混频器
集会。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C，作为IRM
参数
分钟。
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
镜频抑制（ IR ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
24
22
27
24
IF = 70 - 200兆赫
LO = +18 dBm的
典型值。
5.9 - 12
5.7 - 12
DC - 1.5
8
8
32
30
35
30
18
5
10.5
10.5
20
22
27
24
马克斯。
分钟。
IF = 70 - 200兆赫
LO = +15 dBm的
典型值。
7.1 - 11.7
6.9 - 11.7
DC - 1.5
8
8
30
30
35
30
17
5
10.5
10.5
马克斯。
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
单位
3-2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
转换增益为期望中的边带
与温度@ LO = +15 dBm时，
IF = 120 MHz的USB
0
转换增益（dB ）
转换增益为期望中的边带
主场迎战LO驱动器， IF = 120 MHz的USB
0
-5
转换增益（dB ）
-5
3
LO = +12 dBm的
LO = +14 dBm的
LO = +16 dBm的
LO = +18 dBm的
-10
-10
-15
-40C
+25C
+85C
-15
-20
5
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
-20
5
6
7
8
9
10
11
12
13
射频频率（ GHz）的
镜像抑制与温度的关系
LO = +15 dBm时， IF = 120MHz的USB
50
镜像抑制与
LO驱动器， IF = 120 MHz的USB
50
镜像抑制（分贝）
30
镜像抑制（分贝）
40
40
30
20
-30C
+25C
+85C
20
- 12 dBm的
- 14 dBm的
- 16 dBm的
- 18 dBm的
10
10
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
射频频率（ GHz）的
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
射频频率（ GHz）的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
3-3
调音台 - CHIP
HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
回波损耗@ LO = +15 dBm的
0
-5
隔离@ LO = +15 dBm的
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
射频/中频
LO / IF
LO / RF
3
调音台 - CHIP
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
5
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
RF
LO
5
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
中频带宽@ LO = 15 dBm的
中频转换增益& RETURN LOSS（分贝）
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
中频转换增益
IF回波损耗
输入IP3主场迎战LO驱动器， IF = 120 MHz的USB
25
三阶截取（ DBM）
20
15
-14 dBm的
-16 dBm的
-18 dBm的
10
6
6.5
7
频率（GHz ）
7.5
8
3-4
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.36毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（结死底部）
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+27 dBm的
150 °C
0.61 W
106.8 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
3
调音台 - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.键合焊盘0.004 “广场。
3.典型的焊盘间距中心，中心是0.006 “ 。
4.背面金属：金。
5.焊盘金属化：黄金。
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
WP-3
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
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HMC256
v03.1007
砷化镓MMIC I / Q混频器
5.9 - 12 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
3
调音台 - CHIP
1
RF
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
2
LO
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
3, 4
IF1 ， IF2
该引脚的直流耦合。对于操作
DC引脚不能吸收比/源多
可能会导致电流或故障2毫安。
背面
GND
管芯的背面必须连接到RF接地。
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