HMC226
/
226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2 GHz的
典型应用
该HMC226 / HMC226E是理想的：
900 MHz的ISM /蜂窝
1900 MHz的PCS
特点
低插入损耗： 0.6分贝
超小型封装： SOT26
高输入P1dB为+35至+38 dBm的
高输入IP3 ： +55至+61 dBm的
阳性对照： 0 / + 3V至0 / + 8V
包括在HMC- DK005设计者工具包
工作原理图
概述
该HMC226 & HMC226E是低成本的SPDT swit-
CHES 6引脚SOT26封装于和Transmit使用
接收应用程序需要非常低的失真
在高信号功率电平。该装置可以控制
信号从DC到2.0GHz的，是特别适合
为450兆赫， 900兆赫和1.8 - 2 GHz的应用
用0.5 0.8 dB损耗。该设计提供了例外
tional的P1dB和互调性能;一
+35 dBm的1dB压缩点和+55 dBm的
第三阶截距为3伏偏置。 RF1和RF2
有反光时打开“关闭” 。片内电路
可以在非常低的直流单正电源供电
目前与CMOS兼容控制输入
最TTL逻辑系列。
10
开关 - SMT
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VCTL = 0 / + 3伏， 50欧姆系统
参数
频率
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
0 / 5V控制
0 / 3V控制
0 / 5V控制
0 / 3V控制
0.3 - 2.0 GHz的
0.3 - 2.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
70
140
ns
ns
23
17
12
23
21
14
34
31
分钟。
典型值。
0.5
0.6
0.8
26
20
15
27
25
18
38
35
61
55
马克斯。
0.8
0.9
1.2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
（双音输入功率= 26 dBm的每个音）
开关特性
10 - 54
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC226
/
226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2 GHz的
插入损耗随温度
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
10
开关 - SMT
10 - 55
回波损耗
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
RFC
RF1,RF2
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HMC226
/
226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2 GHz的
输入0.1和1.0 1dB压缩
与控制电压@ 900 MHz的
40
输入压缩（ DBM）
与压缩
控制电压@ 900 MHz的
控制
输入
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
30
33
35
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
35
38
38.5
35
（ VDC）的
+3
30
+5
+7
25
0.1分贝压缩
1 dB压缩
注意：不要在功率水平>1分贝连续工作
压缩和不“热切换”的功率水平更高
超过+ 23dBm的（V
CTL
= +有3Vdc ） 。
7
8
20
2
3
4
5
6
控制电压（VDC ）
10
开关 - SMT
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
控制输入*
A
（ VDC）的
0
+3
0
+5
0
+8
B
（ VDC）的
+3
0
+5
0
+8
0
控制电流
Ia
（ UA）
-5
5
-10
10
-45
45
Ib
（ UA）
5
-5
10
-10
45
-45
信号路径状态
射频到
RF1
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
射频到
RF2
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
DC模块都需要在港口RFC ， RF1和RF2 。
10 - 56
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC226
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226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2 GHz的
绝对最大额定值
马克斯。输入功率
(V
CTL
= 0/+3V)
0.05 GHz的
0.5 - 2 GHz的
+27 dBm的
+36 dBm的
-0.2 + 12VDC
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
控制电压范围（A & B）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
10
开关 - SMT
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC226
HMC226E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H226
XXXX
226E
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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HMC226
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226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2.0 GHz的
典型应用电路
10
开关 - SMT
注意事项：
1.设置逻辑门和开关VDD = + 3V至+ 5V和使用HCT系列逻辑提供TTL驱动器接口。
2.控制输入端的A / B可以直接驱动CMOS逻辑（HC）与施加到CMOS逻辑门电路3-8伏特的Vdd 。
3.隔直流电容器所需要的每个RF端口，如图所示。电容值决定了操作的最低频率。
4.最高的射频信号功率能力与V设置为+ 10V达到。该交换机能够正常工作（但在较低的射频功率
能力）的偏置电压低至3V + 。
10 - 58
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