v01.0300
微波公司
HMC224MS8
砷化镓MMIC T / R开关
5.0 - 6.0 GHz的
特点
低成本5-6 GHz的开关
超小型封装： MSOP8
高输入P1dB为+33 dBm的
单正电源： +3至+ 8V
典型应用
该HMC224MS8是理想的：
UNII &的HiperLAN
PCMCIA WirelessLAN
工作原理图
概述
该HMC224MS8是在低成本的SPDT开关
8引脚MSOP封装于和Transmit使用
接受申请。该装置可以控制显
的NAL从5.0至6.0千兆赫，是特别适合
5.2 GHz的UNII和5.8 GHz的ISM应用
与只有1.2 dB损耗。该设计提供了例外
tional动力操控性能;输入的P1dB =
+33 dBm的5伏偏置。 RF1和RF2被重新EC- FL
略去短裤时， “OFF” 。片内电路允许
在非常低的直流单正电源供电
目前与CMOS兼容控制输入
最TTL逻辑系列。无隔直流
电容器上需要的RF I / O端口。
14
开关 - SMT
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = +5 VDC， 50欧姆系统
参数
频率
5.0 - 6.0 GHz的
5.1 - 5.4 GHz的
5.4 - 5.9 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.1 - 5.4 GHz的
5.4 - 5.9 GHz的
射频共
回波损耗
RF1 RF2 &
5.0 - 6.0 GHz的
5.1 - 5.9 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.1 - 5.9 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
10
25
ns
ns
20
26
22
11
12
11
11
27
29
31
33
分钟。
典型值。
1.3
1.2
1.3
24
31
27
15
16
14
15
31
33
35
37
马克斯。
1.6
1.5
1.6
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
输入功率为1 dB压缩
0 / 3V控制
0 / 5V控制
0 / 3V控制
0 / 5V控制
输入三阶截
开关特性
14 - 72
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v01.0300
HMC224MS8
砷化镓MMIC T / R开关
5.0 - 6.0 GHz的
插入损耗
0
-0.5
隔离
0
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
回波损耗
0
-5
绝对最大额定值
偏置电压范围（ VDD）
控制电压范围（A & B）
-0.2 + 12VDC
-0.2 Vdd的伏
-65至+150°C
-40至+85 C
14
开关 - SMT
14 - 73
回波损耗（分贝）
S22
-10
-15
-20
-25
-30
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
S11 RFC
储存温度
工作温度
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
BIAS
VDD
（ VDC）的
3
3
3
5
5
5
控制
输入*
A
（ VDC）的
0
0
VDD
0
0
VDD
B
（ VDC）的
0
VDD
0
0
VDD
0
偏置电流
国际直拨电话
（ UA）
10
10
10
45
45
115
控制
当前
Ia
（ UA）
-5
-10
0
-22
-5
-40
控制
当前
Ib
（ UA）
-5
0
-10
-23
-40
-5
信号
路州
射频到
RF1
关闭
ON
关闭
关闭
ON
关闭
射频到
RF2
关闭
关闭
ON
关闭
关闭
ON
注意：不要在1dB压缩时的功率电平以上+33 dBm的操作，但不会“热切换”
功率大于+23 dBm的（ VDD = 5V直流+ ） 。
不需要的DC块在港口的RFC ， RF1和RF2 。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v01.0300
微波公司
HMC224MS8
砷化镓MMIC T / R开关
5.0 - 6.0 GHz的
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
14
开关 - SMT
典型应用电路
2.引线框架材料：铜合金
3.电镀引脚框：锡/铅焊接
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
6.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
7.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
注意事项：
1.控制输入A和B可直接驱动CMOS逻辑
（HC）具有3至8伏特V施加到CMOS逻辑门电路
和引脚4的RF开关。
2.将V至5伏和使用HCT系列逻辑提供TTL
驱动程序接口。
3.最高的射频信号功率的能力，实现与V设置为
+ 10V 。然而，交换机能够正常工作（但
较低的射频功率能力）的偏置电压低至3V + 。
4.射频旁路：不要在Vdd时， A或B使用射频旁路电容器
端口。电阻R1，R2 ，R3 = 100欧姆应置于
靠近VDD ， A和B的端口。使用电阻的大小来0402
减小寄生电感和电容。
不需要为每个RF端口5. DC阻断电容。
6.评估PCB可用。
14 - 74
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v01.0300
HMC224MS8
砷化镓MMIC T / R开关
5.0 - 6.0 GHz的
PCB评价
14
开关 - SMT
14 - 75
材料清单
项
J1 - J3
J4 - J7
R1, R3
U1
PCB *
描述
PC安装SMA射频连接器
DC引脚
100
电阻器， 0402 PKG 。
HMC224MS8 T / R开关
104518 PCB评价
在网络连接纳尔申请中使用的电路板
应该用适当的射频电路设计中产生
技术。在RF端口的信号线应
有50欧姆的阻抗和所述包地
引线应直接连接到接地
平面类似于上面所示。该evalua-
如上图所示化电路板可以从
赫梯Microwave公司索取。
*电路板材质：罗杰斯4350
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC224MS8
/
224MS8E
v02.0805
砷化镓MMIC T / R开关
5.0 - 6.0 GHz的
典型应用
该HMC224MS8 / HMC224MS8E是理想的：
UNII &的HiperLAN
PCMCIA WirelessLAN
特点
低成本5-6 GHz的开关
超小型封装： MSOP8
高输入P1dB为+33 dBm的
单正电源： +3至+ 8V
8
开关 - SMT
工作原理图
概述
该HMC224MS8 & HMC224MS8E是低成本
SPDT开关采用8引线MSOP封装中使用
发射 - 接收申请。该装置可以控制
信号从5.0至6.0千兆赫，是特别适合
5.2 GHz的UNII和5.8 GHz的ISM应用
只有1.2 dB损耗。该设计提供了卓越的
动力操控性能;输入的P1dB = +33 dBm的
在5伏偏置。 RF1和RF2是反射短裤
当“关”。片上电路允许单阳性
在与控制非常低的直流电源供电
输入与CMOS兼容的，最TTL逻辑
家庭。无隔直流电容器，需要在
RF I / O端口。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = +5 VDC， 50欧姆系统
参数
插入损耗
频率
5.0 - 6.0 GHz的
5.1 - 5.4 GHz的
5.4 - 5.9 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.1 - 5.4 GHz的
5.4 - 5.9 GHz的
射频共
回波损耗
RF1 RF2 &
0 / 3V控制
0 / 5V控制
0 / 3V控制
0 / 5V控制
5.0 - 6.0 GHz的
5.1 - 5.9 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.1 - 5.9 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
5.0 - 6.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
10
25
ns
ns
20
26
22
11
12
11
11
27
29
31
33
分钟。
典型值。
1.3
1.2
1.3
24
31
27
15
16
14
15
31
33
35
37
马克斯。
1.6
1.5
1.6
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
隔离
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
开关特性
8 - 42
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC224MS8
/
224MS8E
v02.0805
砷化镓MMIC T / R开关
5.0 - 6.0 GHz的
插入损耗
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
8
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
-40
回波损耗
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
S11 RFC
S22
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
BIAS
VDD
（ VDC）的
3
3
3
5
5
5
A
（ VDC）的
0
0
VDD
0
0
VDD
控制
输入*
B
（ VDC）的
0
VDD
0
0
VDD
0
偏置电流
国际直拨电话
（ UA）
10
10
10
45
45
115
控制
当前
Ia
（ UA）
-5
-10
0
-22
-5
-40
控制
当前
Ib
（ UA）
-5
0
-10
-23
-40
-5
信号
路州
射频到RF1
关闭
ON
关闭
关闭
ON
关闭
射频到RF2
关闭
关闭
ON
关闭
关闭
ON
注意事项：
不要在1dB压缩时的功率电平以上+33 dBm的操作，但不会“热切换”的功率电平大于+23 dBm的
（ VDD = 5V直流+ ） 。不需要的DC块在港口的RFC ， RF1和RF2 。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 43
开关 - SMT
HMC224MS8
/
224MS8E
v02.0805
砷化镓MMIC T / R开关
5.0 - 6.0 GHz的
绝对最大额定值
偏置电压范围（ VDD）
控制电压范围（A & B）
储存温度
工作温度
-0.2 + 12VDC
-0.2 Vdd的伏
-65至+150°C
-40至+85 C
8
开关 - SMT
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC224MS8
HMC224MS8E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H224
XXXX
H224
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
8 - 44
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC224MS8
/
224MS8E
v02.0805
砷化镓MMIC T / R开关
5.0 - 6.0 GHz的
典型应用电路
8
开关 - SMT
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
控制输入A和B可直接驱动CMOS逻辑（HC）与施加到CMOS逻辑的3至8伏特V
盖茨和引脚4 RF开关。
集V至5伏和使用HCT系列逻辑提供TTL驱动器接口。
最高的射频信号功率能力与V设置为+ 10V达到。然而，交换机能够正常工作（但
较低的射频功率能力）的偏置电压低至3V + 。
射频旁路：不要在Vdd时， A或B口使用的射频旁路电容。电阻R1，R2 ，R3 = 100欧姆应
放在靠近VDD ， A和B的端口。使用电阻大小0402 ，以减少寄生电感和电容。
不需要为每个RF端口DC阻断电容。
评估PCB可用。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 45
HMC224MS8
/
224MS8E
v02.0805
砷化镓MMIC T / R开关
5.0 - 6.0 GHz的
PCB评价
8
开关 - SMT
材料的评价PCB 104771一览
项
J1 - J3
J4 - J7
R1, R3
U1
PCB
[2]
描述
印刷电路板安装SMA射频连接器
DC引脚
100
Ω
电阻器， 0402 PKG 。
HMC224MS8 / HMC224MS8E
T / R开关
104518 PCB评价
[1]
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350
在网络连接纳尔申请中使用的电路板
应该用适当的射频电路设计中产生
技术。在RF端口的信号线应
有50欧姆的阻抗和所述包地
引线应直接连接到接地
平面类似于上面所示。该evalua-
如上图所示化电路板可以从
赫梯Microwave公司索取。
8 - 46
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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