HMC210MS8
/
210MS8E
v02.0705
砷化镓MMIC压控
衰减器， 1.5 - 2.3 GHz的
典型应用
特点
单正电压控制： 0 + 2.5V
高衰减范围： >50分贝@ 1.9 GHz的
高输入IP3 ： +15 dBm的典型
（所有衰减状态）
超小型封装： MSOP
6
衰减器 - SMT
该HMC210MS8 / HMC210MS8E是理想的：
- 基站基础设施
便携式无线
MMDS
工作原理图
概述
该HMC210MS8 & HMC210MS8E的缩影
8引脚吸收可变电压衰减器
MSOP封装。该器件工作在正
供电电压（+ 2.5V） ，和一正的控制电压。
一个独特的特点是高三阶截取点
所有衰减状态。运行在高达2.3 GHz的是
可能为31 dB的降低衰减范围。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 2.5伏， 50欧姆系统
参数
插入损耗
（ VCTL = 0 V最小安泰信。 ）
衰减范围
（ VCTL = 0 + 2.5V ）
回波损耗
（ VCTL = 0 + 2.5V ）
输入功率0.1 1dB压缩
（ F = 1.9千兆赫）
输入功率1.0 1dB压缩
（ F = 1.9千兆赫）
输入三阶截
（ F = 1.9 GHz的双音输入功率= + 5dBm的每个音）
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
条件
1.8 - 2.0 GHz的
1.7 - 2.1 GHz的
1.5 - 2.3 GHz的
1.8 - 2.0 GHz的
1.7 - 2.1 GHz的
1.5 - 2.3 GHz的
1.5 - 2.0 GHz的
2.0 - 2.3 GHz的
最小安泰信。
安泰信。 >2.0
最小安泰信。
安泰信。 >2.0
最小安泰信。
安泰信。 >2.0
1.5 - 2.3 GHz的
17
0
30
10
44
39
31
分钟。
典型
3.3
3.4
5.0
55
43
40
9
6
15
-5
20
3
35
15
0.9
2.6
马克斯。
4.9
5.5
7.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
μS
μS
6-2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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砷化镓MMIC压控
衰减器， 1.5 - 2.3 GHz的
输入IP3主场迎战
控制电压@ 1.9 GHz的
40
35
相对衰减对比
控制电压@ 1.9和2.2 GHz的
0
相对衰减（ dB）的
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
0
0.5
1
1.5
2
2.5
F = 1.9 GHz的
F = 2.2 GHz的
6
衰减器 - SMT
插入损耗（dB ）
输入IP3 （ dBm的）
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
+25 C
-40 C
+85 C
控制电压（V）
控制电压（V）
衰减与温度的关系
归一化到+ 25°C @ 1.9 GHz的
归一化的衰减量（dB ）
15
10
5
0
-5
-10
-15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
+85 C
-40 C
典型输入P1dB压缩
@ 1.9 GHz的与温度的关系
输入功率为1 dB压缩点
测试条件
化（ 1.9千兆赫）
分钟。
衰减
马克斯。
衰减
最坏的情况下
P1dB
VCTL
（ VDC）的
0.0
+2.5
+1.0
VDD
（ VDC）的
+2.5
+2.5
+2.5
+25C
20
19
3
+85C
20
16
4
-40C
21
25
3
单位
DBM
DBM
DBM
控制电压（V）
宽带插入损耗
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
1.5
+25 C
-40 C
+85 C
宽带最大相对
衰减和回波损耗
0
相对衰减器（分贝）
+85 C
插件。损失
+25 C
插件。损失
-40 C
插件。损失
0
插入损耗（dB ）
-20
-2
-40
-4
-60
-6
-80
+85 C
安泰信。
+25 C
安泰信。
-40 C
安泰信。
-8
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
-100
1.5
-10
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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砷化镓MMIC压控
衰减器， 1.5 - 2.3 GHz的
1.9 GHz的典型应用性能
6
衰减器 - SMT
衰减与
控制电压@ 1.9 GHz的
0
回波损耗与
控制电压@ 1.9 GHz的
0
相对衰减（ dB）的
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
0
0.5
1
1.5
2
2.5
输入回波损耗（dB ）
-4
-8
+25 C
-40 C
+85 C
-12
+25 C
-40 C
+85 C
-16
-20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
控制电压（V）
控制电压（V）
2.2 GHz的典型应用性能
衰减与
控制电压@ 2.2 GHz的
0
回波损耗与
控制电压@ 2.2 GHz的
0
相对衰减（ dB）的
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
0
0.5
1
1.5
2
2.5
+25 C
-40 C
+85 C
输入回波损耗（dB ）
-4
-8
-12
+25 C
-40 C
+85 C
-16
-20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
控制电压（V）
控制电压（V）
6-4
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砷化镓MMIC压控
衰减器， 1.5 - 2.3 GHz的
绝对最大额定值
VCTL
VDD
最大输入
动力
（ VDD = 2.5 V直流）
存储
温度
操作
温度
-0.2伏到Vdd
8伏
+26 dBm的@敏。衰减， VCTL = + 0.0V
+20 dBm的@安泰信。 >2分贝
-65至+150°C
-40至+85 C
控制和偏置电压
VCTL
VDD
0至+2.5伏直流@ -100 μA至100 μA
+2.5伏+/- 0.1伏@ 100 μA
6
衰减器 - SMT
6-5
*注：隔直流电容器所需的RF端口。
100 pF的射频芯片电容器（ 0603尺寸）推荐
在RF1 & RF2端口..
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC210MS8
HMC210MS8E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H210
XXXX
H210
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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砷化镓MMIC压控
衰减器， 1.5 - 2.3 GHz的
评估电路板
6
衰减器 - SMT
材料的评价PCB 101827一览
项
J1, J2
J3 - J5
C1, C2
C3, C4
U1
PCB
[2]
描述
印刷电路板安装SMA射频连接器
DC引脚
330 pF的电容， 0402封装
万pF电容， 0603封装
HMC210MS8 / HMC210MS8E VVA
101825评估板
[1]
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350
在网络连接纳尔申请中使用的电路板
应该用适当的RF电路产生
设计技术。在RF端口的信号线
应为50欧姆的阻抗和所述包
接地引线和封装底部应
直接连接到印刷电路板的RF接地平面，
类似于上面所示。评价税务局局长
如上图所示CUIT板可以从赫梯
Microwave公司索取。
6-6
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QQ：2880707522 复制
