v02.0404
微波公司
HMC182S14
特点
低插入损耗： 0.8分贝
集成的2 ： 4解码器
14引脚SOIC封装
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
典型应用
该HMC182S14是理想的：
800 - 1000兆赫基站
工作原理图
概述
该HMC182S14是一种低成本的终止SP4T
采用14引脚SOIC封装的切换使用
天线分集，切换滤波器银行，增益/
衰减选择，一般多通道
路复用的应用。该开关可以控制显
的NAL高达2 GHz 。 A 2 ： 4的解码器集成
开关，仅需要2控制线和上
一个负偏压以选择每个RF路径。该
2 ： 4的解码器取代4到8个控制线去甲
需要的砷化镓SP4T开关马利。该
HMC182S14是一个简易替换为
HMC165S14要求低“关闭应用程序
国家“ VSWR 。见正偏压/ TTL SP4T
HMC241QS16.
14
开关 - SMT
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，对于0 / -5V控制和V型= -5V在50欧姆系统
参数
插入损耗
频率
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
“在状态”
“在状态”
“关闭状态”
“关闭状态”
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
50兆赫
0.5 - 2.0 GHz的
50兆赫
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 2.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
25
50
ns
ns
25
41
37
41
36
28
21
16
17
13
分钟。
典型值。
0.7
0.8
45
40
32
25
20
21
17
22
24
30
45
41
马克斯。
1.1
1.2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
（双音输入功率= 7 dBm的每个音）。
开关特性
14 - 26
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
v02.0404
微波公司
HMC182S14
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
砷化镓MMIC
插入损耗
0
SUB -谐泵浦龙头17 - 25 GHz的
隔离
0
-10
RF1关
RF2关
RF3关
RF4关闭
插入损耗（dB ）
-0.5
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-1
RF1上
RF2上
RF3上
RF4上
-1.5
-2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
-60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
回波损耗
0
-5
RFC
RF1,2,3,4在
之间的多个RF升/ O的隔离
-20
14
RF2-4
RF3-1
RF4-1
回波损耗（分贝）
隔离度（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
-30
RF1,2,3,4关闭
-40
-50
-60
1.5
2
2.5
3
0
1
2
3
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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14 - 27
开关 - SMT
RF1-2
v02.0404
微波公司
HMC182S14
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
绝对最大额定值
偏置电压范围（ V型口）
控制电压范围（A & B）
通道温度
热阻
（插入损耗路径）
热阻
（终止路径）
储存温度
工作温度
最大输入功率
-7.0伏
VEE -0.5V至+1.0伏
150 °C
123 ° C / W
A
高
低
高
260 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
+27 dBm的（ <500兆赫）
+30 dBm的（ >500兆赫）
低
真值表
控制输入
B
高
高
低
低
信号路径状态
RFCOM到：
RF1
RF2
RF3
RF4
控制电压
状态
低
偏置条件
0至-3 VDC @ 70 uA的典型。
-5 -4.2 VDC @ 5 uA的典型。
偏置电压电流&
高
14
开关 - SMT
VEE范围= -5.0 VDC±10 ％
VEE
（ VDC）的
-5.0
IEE （典型值）。
（MA ）
4.0
IEE （最大）
（MA ）
7.0
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.引线框架材料：铜合金
3.电镀引脚框：锡/铅焊接
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
6.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
7.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
14 - 28
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v02.0404
微波公司
HMC182S14
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
TTL接口电路
14
开关 - SMT
14 - 29
注意：
控制输入A和B可以直接驱动TTL逻辑与-5伏特适用于HCT逻辑门V形引脚和V型
RF开关（引脚10）。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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v02.0404
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HMC182S14
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
PCB评价
14
开关 - SMT
材料清单
项
J1 - J5
J6 - J9
C1 - C5
C6 - C8
U1
PCB *
描述
PC安装SMA射频连接器
DC引脚
330 pF的电容， 0402 PKG 。
万pF电容， 0603 PKG 。
HMC182S14 SP4T开关
101656 PCB评价
在网络连接最终应用中的电路板应
用适当的射频电路设计技产生
niques 。在RF端口的信号线应该有50
欧姆阻抗和封装接地引线
应直接连接到接地平面
类似于上面所示。估计电路
上面显示板可以从赫梯微
波公司索取。
*电路板材质：罗杰斯4350
14 - 30
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC182S14
/
182S14E
v03.0805
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
典型应用
该HMC182S14 / HMC182S14E是理想的：
800 - 1000兆赫基站
特点
低插入损耗： 0.8分贝
集成的2 ： 4解码器
14引脚SOIC封装
8
开关 - SMT
工作原理图
概述
该HMC182S14 & HMC182S14E是低成本termi-
转换后的SP4T开关采用14引脚SOIC封装的
天线分集使用，开关滤波器组，增益/
选择衰减，而一般的通道multiplex-
ing应用。该开关可以控制信号向2
千兆赫。 A 2 ： 4的解码器集成在交换机上，要求还
，仅就2控制线和一个负偏压以选择
每个RF路径。 2 ： 4的解码器取代4到8个控制
线通常需要由砷化镓SP4T开关。该
HMC182S14 & HMC182S14E是插入式替换 -
ments为HMC165S14在应用中需要
低“关闭状态”电压驻波比。见正偏压/ TTL SP4T
HMC241QS16.
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，对于0 / -5V控制和V型= -5V在50欧姆系统
参数
插入损耗
频率
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
“在状态”
“在状态”
“关闭状态”
“关闭状态”
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
50兆赫
0.5 - 2.0 GHz的
50兆赫
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 2.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
25
50
ns
ns
25
41
37
41
36
28
21
16
17
13
分钟。
典型值。
0.7
0.8
45
40
32
25
20
21
17
22
24
30
45
41
马克斯。
1.1
1.2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
（双音输入功率= 7 dBm的每个音）。
开关特性
8-2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC182S14
/
182S14E
v03.0805
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
插入损耗
0
隔离
0
-10
插入损耗（dB ）
-0.5
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
RF1关
RF2关
RF3关
RF4关闭
-1
-1.5
RF1上
RF2上
RF3上
RF4上
8
2
2.5
3
频率（GHz ）
-2
频率（GHz ）
回波损耗
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
之间的多个RF升/ O的隔离
-20
RFC
RF1,2,3,4在
RF1,2,3,4关闭
-30
隔离度（dB ）
RF1-2
-40
RF4-1
RF3-1
RF2-4
-50
-60
0
1
2
3
频率（GHz ）
偏置电压电流&
VEE范围= -5.0 VDC±10 ％
VEE
（ VDC）的
-5.0
IEE （典型值）。
（MA ）
4.0
IEE （最大）
（MA ）
7.0
真值表
控制输入
A
高
低
高
B
高
高
低
低
信号路径状态
RFCOM到：
RF1
RF2
RF3
RF4
控制电压
状态
低
高
偏置条件
0至-3 VDC @ 70 uA的典型。
-5 -4.2 VDC @ 5 uA的典型。
低
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
8-3
开关 - SMT
HMC182S14
/
182S14E
v03.0805
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
绝对最大额定值
偏置电压范围（ V型口）
控制电压范围（A & B）
通道温度
热阻
（插入损耗路径）
-7.0伏
VEE -0.5V至+1.0伏
150 °C
123 ° C / W
260 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
+27 dBm的（ <500兆赫）
+30 dBm的（ >500兆赫）
静电敏感器件
观察处理注意事项
8
开关 - SMT
热阻
（终止路径）
储存温度
工作温度
最大输入功率
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC182S14
HMC182S14E
包主体材料
低应力注塑成型塑料硅胶
与硅浸渍
符合RoHS标准的低应力注塑
塑料二氧化硅和硅浸渍
电镀引脚框
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
HMC182
XXXX
HMC182
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
8-4
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC182S14
/
182S14E
v03.0805
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
TTL接口电路
8
开关 - SMT
注意：
控制输入A和B可以直接驱动TTL逻辑与-5伏
适用于theHCT逻辑门V形引脚和V型射频开关（引脚10 ） 。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8-5
HMC182S14
/
182S14E
v03.0805
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 2.0 GHz的
PCB评价
8
开关 - SMT
材料的评价PCB 101672一览
[1]
项
J1 - J5
J6 - J9
C1 - C5
C6 - C8
U1
PCB
[2]
描述
印刷电路板安装SMA射频连接器
DC引脚
330 pF的电容， 0402 PKG 。
万pF电容， 0603 PKG 。
HMC182S14 / HMC182S14E
SP4T开关
101656 PCB评价
在网络连接纳尔申请中使用的电路板
应该用适当的射频电路设计中产生
技术。在RF端口的信号线应具有
50欧姆的阻抗和封装接地引线
应直接连接到接地平面
类似于上面所示。估计电路
上面显示板可以从赫梯微
波公司索取。
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350
8-6
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QQ：2881677436 复制
