'9
9
n
ew
!
微波公司
HMC165S14
V
01.0101
砷化镓MMIC SP4T SWITCH DC至2.0 GHz的
F
EBRUARY
2001
特点
低插入损耗： 0.4分贝
集成的2 ： 4解码器
14引脚SOIC封装
概述
该HMC165S14是一种低成本的SP4T开关
采用14引脚SOIC封装为AN-使用
天线的多样性，开关滤波器组，增益/
选择衰减，而一般的通道
复用的应用。在可以切换
控制信号高达2.5 GHz的带宽，埃斯佩
cially适合800-1000兆赫基站
*应用程序。 A 2 ： 4的解码器集成
开关，仅需要2控制线对
和一个负偏压以选择每个RF路径。
开关输出反射短裤时，
"Off" 。在2：4译码器替换4-8
控制线通常需要由砷化镓
SP4T开关。见正偏压/ TTL SP4T
HMC241QS16.
7
S
女巫
保证性能
0 / -5V控制和V型= -5V在50欧姆系统中， -40到+85摄氏度
参数
Inser化损失
频率
DC - 0.5GHz
DC - 1.0GHz的
DC - 2.0GHz的
直流-0.5GHz
DC - 1.0GHz的
DC - 2.0GHz的
直流-1.0GHz
DC - 2.0GHz的
50兆赫
0.5 - 2.0GHz的
50兆赫
0.5 - 2.0GHz的
DC - 2.0GHz的
25
50
ns
ns
35
28
20
16
8.5
分钟。
典型值。
0.3
0.5
1.0
39
32
24
20
11
22
24
35
42
马克斯。
0.6
0.8
1.3
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
SP4T
SMT
隔离
回波损耗
输入功率的1dB压缩
输入三阶截
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
网站： www.hittite.com
7 - 22
'9
9
HMC165S14
微波公司
ne
w
!
HMC165S14 SP4T开关DC至2.0 GHz的
V
01.0101
F
EBRUARY
2001
插入损耗
0
-0.5
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
-20
-30
-40
-50
-60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
回波损耗
0
7
S
女巫
RF1 ， RF2 ，
RF3 ， RF4
回波损耗（分贝）
-10
射频共
-30
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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7 - 23
SMT
-40
SP4T
-20
'9
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n
ew
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HMC165S14
微波公司
HMC165S14 SP4T开关DC至2.0 GHz的
F
EBRUARY
2001
V
01.0101
工作原理图
GND
RF4
GND
RFC
GND
RF1
GND
销1
2:4
解码器
GND
RF3
VEE
B
A
RF2
GND
7
S
女巫
绝对最大额定值
偏置电压范围（ POR吨VEE）
控制电压范围（A & B）
储存温度
工作温度
最大输入功率
-7.0伏
VEE -0.5V至+1.0伏
-65至+150摄氏度
-40到+85摄氏度
+ 27dBm的（ <500MHz ）
+ 30dBm的（ >500MHz ）
真值表
控制输入
A
H I GH
低
H I GH
低
B
H I GH
H I GH
低
低
信号路径状态
RFCOM到：
F1
F2
F3
F4
SP4T
偏置电压电流&
VEE范围= -5.0 VDC±10 ％
VEE
（ VDC）的
-5.0
IEE （典型值）。
（MA ）
3.0
IEE （最大）
（MA ）
6.0
控制电压
状态
低
高
偏置条件
0至-3 VDC @ 220uA典型。
VEE 0.8 VDC @ 100uA的最大。
SMT
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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7 - 24
'9
9
HMC165S14
微波公司
ne
w
!
HMC165S14 SP4T开关DC至2.0 GHz的
V
01.0101
F
EBRUARY
2001
概要
引脚14
GND RF2
A
0.337/0.344
(8.55/8.75)
B
VEE
RF3 GND
原产地
0.150/0.157
(3.81/4.00)
HMC165S14
GND RF1
GND RFC
GND
RF4 GND
0.229/0.244
(5.82/6.20)
CCCC
XXXXX
YYWW
批号
日期代码
YY = YEAR
WW =周
销1
PIN 1 （ REF ）
0.054/0.068
(1.37/1.73)
0.050
(1.27)
典型值
3度/ 8度
0.014/0.018
(0.36/0.46)
典型值
0.004/0.009
(0.10/0.23)
0.007/0.009
（ 0.18 / 0.25 ） TYP
0.016
（ 0.41 ）最小典型
1)
TTL接口电路
VCC
TTL控制一
5.1V
齐纳
到A
74HCT04 （1/6）
10K V型
欧姆
-5 VDC
VCC
TTL控制B
到B
5.1V
齐纳
74HCT04 （1/6）
10K V型
欧姆
-5 VDC
注意：
控制输入A和B可以直接驱动TTL
逻辑与-5伏特， RF开关施加到HCT逻辑门（ V形）和V型（引脚10）。
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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7 - 25
SMT
SP4T
S
女巫
2.
3.
材质：
A） PACKAGE BODY低应力注塑成型塑料，硅&硅浸
B）引线框架材料：铜合金
电镀：铅 - 锡焊料板
尺寸单位为英寸（毫米），除非另有规定TOL 。为± 0.005 （ ± 0.13 ）
7
'9
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n
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!
微波公司
HMC165S14
V
01.0101
砷化镓MMIC SP4T SWITCH DC至2.0 GHz的
F
EBRUARY
2001
特点
低插入损耗： 0.4分贝
集成的2 ： 4解码器
14引脚SOIC封装
概述
该HMC165S14是一种低成本的SP4T开关
采用14引脚SOIC封装为AN-使用
天线的多样性，开关滤波器组，增益/
选择衰减，而一般的通道
复用的应用。在可以切换
控制信号高达2.5 GHz的带宽，埃斯佩
cially适合800-1000兆赫基站
*应用程序。 A 2 ： 4的解码器集成
开关，仅需要2控制线对
和一个负偏压以选择每个RF路径。
开关输出反射短裤时，
"Off" 。在2：4译码器替换4-8
控制线通常需要由砷化镓
SP4T开关。见正偏压/ TTL SP4T
HMC241QS16.
7
S
女巫
保证性能
0 / -5V控制和V型= -5V在50欧姆系统中， -40到+85摄氏度
参数
Inser化损失
频率
DC - 0.5GHz
DC - 1.0GHz的
DC - 2.0GHz的
直流-0.5GHz
DC - 1.0GHz的
DC - 2.0GHz的
直流-1.0GHz
DC - 2.0GHz的
50兆赫
0.5 - 2.0GHz的
50兆赫
0.5 - 2.0GHz的
DC - 2.0GHz的
25
50
ns
ns
35
28
20
16
8.5
分钟。
典型值。
0.3
0.5
1.0
39
32
24
20
11
22
24
35
42
马克斯。
0.6
0.8
1.3
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
SP4T
SMT
隔离
回波损耗
输入功率的1dB压缩
输入三阶截
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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7 - 22
'9
9
HMC165S14
微波公司
ne
w
!
HMC165S14 SP4T开关DC至2.0 GHz的
V
01.0101
F
EBRUARY
2001
插入损耗
0
-0.5
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
-20
-30
-40
-50
-60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
回波损耗
0
7
S
女巫
RF1 ， RF2 ，
RF3 ， RF4
回波损耗（分贝）
-10
射频共
-30
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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7 - 23
SMT
-40
SP4T
-20
'9
9
n
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!
HMC165S14
微波公司
HMC165S14 SP4T开关DC至2.0 GHz的
F
EBRUARY
2001
V
01.0101
工作原理图
GND
RF4
GND
RFC
GND
RF1
GND
销1
2:4
解码器
GND
RF3
VEE
B
A
RF2
GND
7
S
女巫
绝对最大额定值
偏置电压范围（ POR吨VEE）
控制电压范围（A & B）
储存温度
工作温度
最大输入功率
-7.0伏
VEE -0.5V至+1.0伏
-65至+150摄氏度
-40到+85摄氏度
+ 27dBm的（ <500MHz ）
+ 30dBm的（ >500MHz ）
真值表
控制输入
A
H I GH
低
H I GH
低
B
H I GH
H I GH
低
低
信号路径状态
RFCOM到：
F1
F2
F3
F4
SP4T
偏置电压电流&
VEE范围= -5.0 VDC±10 ％
VEE
（ VDC）的
-5.0
IEE （典型值）。
（MA ）
3.0
IEE （最大）
（MA ）
6.0
控制电压
状态
低
高
偏置条件
0至-3 VDC @ 220uA典型。
VEE 0.8 VDC @ 100uA的最大。
SMT
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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7 - 24
'9
9
HMC165S14
微波公司
ne
w
!
HMC165S14 SP4T开关DC至2.0 GHz的
V
01.0101
F
EBRUARY
2001
概要
引脚14
GND RF2
A
0.337/0.344
(8.55/8.75)
B
VEE
RF3 GND
原产地
0.150/0.157
(3.81/4.00)
HMC165S14
GND RF1
GND RFC
GND
RF4 GND
0.229/0.244
(5.82/6.20)
CCCC
XXXXX
YYWW
批号
日期代码
YY = YEAR
WW =周
销1
PIN 1 （ REF ）
0.054/0.068
(1.37/1.73)
0.050
(1.27)
典型值
3度/ 8度
0.014/0.018
(0.36/0.46)
典型值
0.004/0.009
(0.10/0.23)
0.007/0.009
（ 0.18 / 0.25 ） TYP
0.016
（ 0.41 ）最小典型
1)
TTL接口电路
VCC
TTL控制一
5.1V
齐纳
到A
74HCT04 （1/6）
10K V型
欧姆
-5 VDC
VCC
TTL控制B
到B
5.1V
齐纳
74HCT04 （1/6）
10K V型
欧姆
-5 VDC
注意：
控制输入A和B可以直接驱动TTL
逻辑与-5伏特， RF开关施加到HCT逻辑门（ V形）和V型（引脚10）。
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
网站： www.hittite.com
7 - 25
SMT
SP4T
S
女巫
2.
3.
材质：
A） PACKAGE BODY低应力注塑成型塑料，硅&硅浸
B）引线框架材料：铜合金
电镀：铅 - 锡焊料板
尺寸单位为英寸（毫米），除非另有规定TOL 。为± 0.005 （ ± 0.13 ）
7
v01.0101
HMC165S14
砷化镓MMIC SP4T开关
DC - 2.0 GHz的
特点
低插入损耗： 0.4 dBm的
集成的2 ： 4解码器
14引脚SOIC封装
典型应用
该HMC165S14是理想的：
基站基础设施
CATV & DBS
工作原理图
概述
该HMC165S14是在低成本的SP4T开关
14引脚SOIC封装中使用的天线
多样性，切换滤波器银行，增益/衰减
选择，和一般信道复用应用程序
阳离子。该开关可以控制信号达到2.0
GHz和特别适用于800-1000兆赫
基站应用。 A 2 ： 4的解码器是英特
磨碎的交换机上，只需要2个控制
线和一个负偏压以选择每个RF路径。
开关输出重新FL ective短裤的时候“关闭” 。
2 ： 4的解码器取代4到8个控制线去甲
需要的砷化镓SP4T开关马利。见POS-
可持续的竞争偏置/ TTL SP4T HMC241QS16 。
14
开关 - SMT
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，对于0 / -5V控制和V型= -5V在50欧姆系统
参数
频率
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
50兆赫
0.5 - 2.0 GHz的
50兆赫
0.5 - 2.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
25
50
ns
ns
35
28
20
16
8.5
分钟。
典型值。
0.3
0.5
1.0
39
32
24
20
11
22
24
35
42
马克斯。
0.6
0.8
1.3
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
输入功率的1dB压缩
输入三阶截
开关特性
14 - 8
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
阿尔法路20切姆斯福德， MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
v01.0101
HMC165S14
砷化镓MMIC SP4T开关
DC - 2.0 GHz的
砷化镓MMIC
插入损耗
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
SUB -谐泵浦龙头17 - 25 GHz的
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
回波损耗
0
14
射频共
RF1 ， RF2 ，
RF3 ， RF4
回波损耗（分贝）
-10
-20
-30
-40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
阿尔法路20切姆斯福德， MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
14 - 9
开关 - SMT
v01.0701
HMC165S14
砷化镓MMIC SP4T开关
DC - 2.0 GHz的
偏置电压电流&
VEE范围= -5.0 VDC±10 ％
VEE
（ VDC）的
-5.0
IEE （典型值）。
（MA ）
3.0
IEE （最大）
（MA ）
6.0
控制电压
状态
低
高
偏置条件
0至-3 VDC @ 220uA典型。
VEE -0.8 VDC @ 100uA的最大。
真值表
控制输入
A
高
低
高
低
B
高
高
低
低
信号路径状态
RFCOM到：
RF1
RF2
RF3
RF4
14
TTL接口电路
开关 - SMT
注意：
控制输入A和B可直接驱动TTL逻辑为-5伏施加到HCT逻辑门（ V型），并
V形的RF开关（引脚10）。
14 - 10
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
阿尔法路20切姆斯福德， MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
v01.0701
HMC165S14
砷化镓MMIC SP4T开关
DC - 2.0 GHz的
绝对最大额定值
偏置电压范围（ V型口）
控制电压范围（A & B）
储存温度
工作温度
最大输入功率
-7.0伏
VEE -0.5V至+1.0伏
-65至+150°C
-40至+85 C
+27 dBm的（ <500MHz ）
+30 dBm的（ >500MHz ）
外形绘图
14
开关 - SMT
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.引线框架材料：铜合金
3.电镀引脚框：锡/铅焊接
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
6.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
7.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
阿尔法路20切姆斯福德， MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
14 - 11
v01.0701
HMC165S14
砷化镓MMIC SP4T开关
DC - 2.0 GHz的
PCB评价
14
开关 - SMT
材料清单
项
J1 - J5
J6 - J9
C1 - C5
C6 - C8
U1
PCB *
描述
PC安装SMA射频连接器
DC引脚
330 pF的电容， 0402 PKG 。
万pF电容， 0603 PKG 。
HMC165S14 SP4T开关
101656 PCB评价
在网络连接最终应用中的电路板应
用适当的射频电路设计技产生
niques 。在RF端口的信号线应该有50
欧姆阻抗和封装接地引线
应直接连接到接地平面
类似于上面所示。估计电路
上面显示板可以从赫梯微
波公司索取。
*电路板材质：罗杰斯4350
14 - 12
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
阿尔法路20切姆斯福德， MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
QQ：2881677436 复制
