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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1099页 > HMC1512
传感器产品
应用
线性位移
角位移
电机控制
阀门位置
接近检测
电流尖峰检测
线性/角度/旋转
位移传感器
HMC1501 / HMC1512
H
室内运动场的分辨率,低功耗的MR传感器
能测量的角度的
磁铁<0.07 °分辨率。
测量领域的优势
的磁场从一个方向
方向与磁场强度包括:
不敏感的温度系数
磁铁,不敏感冲击和
振动,并承受能力
大的变化之间的间隙
该传感器和磁铁。这些
传感器可以在3伏电压
与0-5 MHz的带宽响应。
输出是典型的惠斯登电桥。
并非真实尺寸
特点和优点
无稀土磁铁
与霍尔效应器件可能需要钐钴或类似的“稀土”
磁铁的HMC1501和HMC1512可以用磁钢或陶瓷型磁铁的作用。
的HMC1501 -角度范围
±45°
与<0.07 °分辨率。
的HMC1512 -角度范围
±90°
与<0.05 °分辨率。
线性范围8毫米与两个传感器安装在两个端部;范围可以增加
通过多个传感器阵列一起操作。
不像增量“编码”器件,传感器知道确切的位置,不需要
索引的正确位置输出。
无运动部件磨损;没有下降,从破旧的轨道信号,传统
基于旋转传感器联系。
采用8引脚表面贴装的封装外壳尺寸(不包括引脚)
5× 4× 1.2毫米总安装包络,具有小于6mm的方形引脚。
为120mV的带电源的5V满量程输出范围。
广角范围
有效的线性范围
绝对传感
非接触式传感
小型封装
大信号输出
HMC1501 / HMC1512
操作原理
各向异性磁阻( AMR)的发生在亚铁
材料。它是在电阻时的磁性变化
场是在一个薄的铁类材料的条带施加。该mag-
netoresistance是余弦的函数
2
θ
哪里
θ
是角
之间的磁化方向M和电流流动的薄带材。
当施加的磁场大于80奥斯特,所述
磁化对准中的所施加的方向相同
场;这就是所谓的饱和模式。在这种模式下,
θ
施加电场的方向和电流之间的角度
流动; MR传感器是唯一敏感的方向上
应用领域。
该传感器是在一个惠斯登电桥的形式(图1) 。
所有四个电阻器的电阻值R是相同的。桥
电源V
S
使电流流过该电阻器,
如在图中的每个电阻器所指示的方向。
既HMC1501和HMC1512设计中使用
饱和模式。 HMC1501包含一个MR桥,
HMC1512有两个相同的MR桥,共存于一个
单芯片。网桥B的物理旋转,从桥上A. 45 °
该HMC1501具有传感器输出
V=-V
S
单仲偕( 2θ)和
在HMC1512具有传感器输出
V=V
S
单仲偕( 2θ)为森
SOR A和传感器B输出
V
S
=-V
S
S余弦(2θ) ,其中V
S
is
供电电压, S是一个常数,由材料决定的。
霍尼韦尔传感器, S是典型的12mV / V 。
当前
溢流
传感器产品
金属接触
M
θ
应用的
外加磁场方向
坡莫合金
薄膜
(镍铁)
M
R+R
V
+-
M
R-R
M
R-R
I
Vs
M
R+R
图1
引脚图纸
HMC1501
OUT + 1
GND 1 2
3
4
HMC1512
8 OUT-
7 GND 2
6
5 VBRIDGE
OUT-一
OUT- B
VBRIDGEB
VBRIDGEA
1
2
3
4
θ
θ
8
7
6
5
GNDA
GNDB
OUT + B
OUT + A
注意:不要连接GND或电源针脚3,4 &6 。
MR传感器电路
Vbridge
VBRIDGE一
OUT + B
R
R
R
OUT-
OUT +
A
R
GND之间的
R
R
R
网桥A
VBRIDGE B
OUT +
OUT-
A
R
GND B
网桥B
R
R
GND 1
R
GND 2
R
OUT -B
2
HMC1501 / HMC1512
典型的传感器输出
HMC1501的输出电压与磁场角度
60
40
20
0
-20 0
-40
-60
-80
-100
传感器产品
HMC1512的输出电压与磁场角度
100
传感器输出(MV )
传感器输出(MV )
50
0
0
-50
-100
西塔(度)
100
200
300
400
100
200
300
400
西塔(度)
网桥A
B
B
A
应用配置
邻近位置
线性位置
移动方向
阀门
执行器
S
N
N
移动方向
θ
参考
方向
0.5 -1.5英寸
旋转位置
HMC1501 / 1512 MR传感器
磁铁
磁铁
N
S
S
N
N
S
旋转轴
旋转轴
封装图8引脚SOIC
D
A1
A
H
E
符号
A
A1
B
D
E
e
H
h
MILLIMETERS
最大
1.371
1.728
0.101
0.249
0.355
0.483
4.800
4.979
3.810
3.988
1.270 REF
5.816
6.198
0.381
0.762
英寸
最大
.068
.054
.010
.004
.019
.014
.196
.189
.157
.150
.050参考
.244
.229
.030
.015
e
B
高x 45
1
3
HMC1501 / HMC1512
特定网络阳离子
特征
桥电源
电桥电阻
角度范围
条件*
Vbridge参考GND
桥电流- 1毫安
>饱和场
Vbridge = 5V , 80场大江,
(1) @零交叉
( 2 ) @过零,平均
在45 °的范围内
Vbridge = 5V ,字段= 80奥斯特
80场大江,
θ
=0°
网桥A
网桥B
100
-7
80
0
0.07
30
1.7x10
-2
0.28
-0.32
-0.01
10 0
5
5
1
4
-45
2.1
1.8
120
3
140
7
100
0
-4
80
0
HMC1501
典型值
最大
5
5
25
6.5
+45
传感器产品
HMC1512
典型值
最大
1
2.0
-90
2.1
1.8
120
2.5
0
140
5
1
5
2.1
25
2.8
+90
单位
V
K
灵敏度
毫伏/ ℃
-to峰峰值电压
桥偏移
饱和场
带宽
决议
滞后误差
温度系数
灵敏度温度系数
桥偏置温度系数
噪声密度
耗电量
mV
mV / V的
G
重复性<0.03 %FS
磁信号
带宽= 10Hz的, Vbridge = 5V
磁场>saturation场,
Vbridge = 5V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
Vbridge = 5V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
噪声为1Hz , Vbridge = 5V
Vbridge = 5V
5
0.05
30
1.7x10
-2
0.28
-0.32
-0.01
70
23
MH
°
V
%/° C
%/° C
% / ° C, FS
纳伏赫
mW
*除非另有说明,测试在25 ℃。
灵敏度温度系数
s
= S
t
-S
o
= -0.32%/°C
S
o
*t
哪里
S
o
=在零温度敏感性
T =温度范围为-40 ° C至125°C
S
t
=在温度T的敏感性
偏移温度系数
o
= V
o
(T ) - V
o
(
o
) = -0.01%/°C
V
P-P
*t
哪里
V
o
(
o
) =桥偏置在零温度
V
P-P
=峰 - 峰电压
T =温度范围为-40 ° C至125°C
V
o
(吨)=在温度t偏移
消耗功率P =
哪里
V
2
R
1千安/米= 12.5高斯
1特斯拉= 10
4
高斯
V =桥电源电压
R =电桥电阻
霍尼韦尔公司保留更改本文以提高可靠性,功能或设计的任何产品或技术的权利。霍尼韦尔公司不承担任何责任
因应用或使用本文所描述的任何产品或电路的;它也没有传达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
固体电子学研究中心
12001国道55
普利茅斯, MN 55441
1-800-323-8295
http://www.ssec.honeywell.com
900246
8-00版本B
4
传感器产品
应用
线性位移
角位移
电机控制
阀门位置
接近检测
电流尖峰检测
线性/角度/旋转
位移传感器
HMC1501 / HMC1512
H
室内运动场的分辨率,低功耗的MR传感器
能测量的角度的
磁铁<0.07 °分辨率。
测量领域的优势
的磁场从一个方向
方向与磁场强度包括:
不敏感的温度系数
磁铁,不敏感冲击和
振动,并承受能力
大的变化之间的间隙
该传感器和磁铁。这些
传感器可以在3伏电压
与0-5 MHz的带宽响应。
输出是典型的惠斯登电桥。
并非真实尺寸
特点和优点
无稀土磁铁
与霍尔效应器件可能需要钐钴或类似的“稀土”
磁铁的HMC1501和HMC1512可以用磁钢或陶瓷型磁铁的作用。
的HMC1501 -角度范围
±45°
与<0.07 °分辨率。
的HMC1512 -角度范围
±90°
与<0.05 °分辨率。
线性范围8毫米与两个传感器安装在两个端部;范围可以增加
通过多个传感器阵列一起操作。
不像增量“编码”器件,传感器知道确切的位置,不需要
索引的正确位置输出。
无运动部件磨损;没有下降,从破旧的轨道信号,传统
基于旋转传感器联系。
采用8引脚表面贴装的封装外壳尺寸(不包括引脚)
5× 4× 1.2毫米总安装包络,具有小于6mm的方形引脚。
为120mV的带电源的5V满量程输出范围。
广角范围
有效的线性范围
绝对传感
非接触式传感
小型封装
大信号输出
HMC1501 / HMC1512
操作原理
各向异性磁阻( AMR)的发生在亚铁
材料。它是在电阻时的磁性变化
场是在一个薄的铁类材料的条带施加。该mag-
netoresistance是余弦的函数
2
θ
哪里
θ
是角
之间的磁化方向M和电流流动的薄带材。
当施加的磁场大于80奥斯特,所述
磁化对准中的所施加的方向相同
场;这就是所谓的饱和模式。在这种模式下,
θ
施加电场的方向和电流之间的角度
流动; MR传感器是唯一敏感的方向上
应用领域。
该传感器是在一个惠斯登电桥的形式(图1) 。
所有四个电阻器的电阻值R是相同的。桥
电源V
S
使电流流过该电阻器,
如在图中的每个电阻器所指示的方向。
既HMC1501和HMC1512设计中使用
饱和模式。 HMC1501包含一个MR桥,
HMC1512有两个相同的MR桥,共存于一个
单芯片。网桥B的物理旋转,从桥上A. 45 °
该HMC1501具有传感器输出
V=-V
S
单仲偕( 2θ)和
在HMC1512具有传感器输出
V=V
S
单仲偕( 2θ)为森
SOR A和传感器B输出
V
S
=-V
S
S余弦(2θ) ,其中V
S
is
供电电压, S是一个常数,由材料决定的。
霍尼韦尔传感器, S是典型的12mV / V 。
当前
溢流
传感器产品
金属接触
M
θ
应用的
外加磁场方向
坡莫合金
薄膜
(镍铁)
M
R+R
V
+-
M
R-R
M
R-R
I
Vs
M
R+R
图1
引脚图纸
HMC1501
OUT + 1
GND 1 2
3
4
HMC1512
8 OUT-
7 GND 2
6
5 VBRIDGE
OUT-一
OUT- B
VBRIDGEB
VBRIDGEA
1
2
3
4
θ
θ
8
7
6
5
GNDA
GNDB
OUT + B
OUT + A
注意:不要连接GND或电源针脚3,4 &6 。
MR传感器电路
Vbridge
VBRIDGE一
OUT + B
R
R
R
OUT-
OUT +
A
R
GND之间的
R
R
R
网桥A
VBRIDGE B
OUT +
OUT-
A
R
GND B
网桥B
R
R
GND 1
R
GND 2
R
OUT -B
2
HMC1501 / HMC1512
典型的传感器输出
HMC1501的输出电压与磁场角度
60
40
20
0
-20 0
-40
-60
-80
-100
传感器产品
HMC1512的输出电压与磁场角度
100
传感器输出(MV )
传感器输出(MV )
50
0
0
-50
-100
西塔(度)
100
200
300
400
100
200
300
400
西塔(度)
网桥A
B
B
A
应用配置
邻近位置
线性位置
移动方向
阀门
执行器
S
N
N
移动方向
θ
参考
方向
0.5 -1.5英寸
旋转位置
HMC1501 / 1512 MR传感器
磁铁
磁铁
N
S
S
N
N
S
旋转轴
旋转轴
封装图8引脚SOIC
D
A1
A
H
E
符号
A
A1
B
D
E
e
H
h
MILLIMETERS
最大
1.371
1.728
0.101
0.249
0.355
0.483
4.800
4.979
3.810
3.988
1.270 REF
5.816
6.198
0.381
0.762
英寸
最大
.068
.054
.010
.004
.019
.014
.196
.189
.157
.150
.050参考
.244
.229
.030
.015
e
B
高x 45
1
3
HMC1501 / HMC1512
特定网络阳离子
特征
桥电源
电桥电阻
角度范围
条件*
Vbridge参考GND
桥电流- 1毫安
>饱和场
Vbridge = 5V , 80场大江,
(1) @零交叉
( 2 ) @过零,平均
在45 °的范围内
Vbridge = 5V ,字段= 80奥斯特
80场大江,
θ
=0°
网桥A
网桥B
100
-7
80
0
0.07
30
1.7x10
-2
0.28
-0.32
-0.01
10 0
5
5
1
4
-45
2.1
1.8
120
3
140
7
100
0
-4
80
0
HMC1501
典型值
最大
5
5
25
6.5
+45
传感器产品
HMC1512
典型值
最大
1
2.0
-90
2.1
1.8
120
2.5
0
140
5
1
5
2.1
25
2.8
+90
单位
V
K
灵敏度
毫伏/ ℃
-to峰峰值电压
桥偏移
饱和场
带宽
决议
滞后误差
温度系数
灵敏度温度系数
桥偏置温度系数
噪声密度
耗电量
mV
mV / V的
G
重复性<0.03 %FS
磁信号
带宽= 10Hz的, Vbridge = 5V
磁场>saturation场,
Vbridge = 5V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
Vbridge = 5V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
噪声为1Hz , Vbridge = 5V
Vbridge = 5V
5
0.05
30
1.7x10
-2
0.28
-0.32
-0.01
70
23
MH
°
V
%/° C
%/° C
% / ° C, FS
纳伏赫
mW
*除非另有说明,测试在25 ℃。
灵敏度温度系数
s
= S
t
-S
o
= -0.32%/°C
S
o
*t
哪里
S
o
=在零温度敏感性
T =温度范围为-40 ° C至125°C
S
t
=在温度T的敏感性
偏移温度系数
o
= V
o
(T ) - V
o
(
o
) = -0.01%/°C
V
P-P
*t
哪里
V
o
(
o
) =桥偏置在零温度
V
P-P
=峰 - 峰电压
T =温度范围为-40 ° C至125°C
V
o
(吨)=在温度t偏移
消耗功率P =
哪里
V
2
R
1千安/米= 12.5高斯
1特斯拉= 10
4
高斯
V =桥电源电压
R =电桥电阻
霍尼韦尔公司保留更改本文以提高可靠性,功能或设计的任何产品或技术的权利。霍尼韦尔公司不承担任何责任
因应用或使用本文所描述的任何产品或电路的;它也没有传达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
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8-00版本B
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单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HMC1512
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
HMC1512
Honeywell(霍尼韦尔)
24+
8000
-
全新原装正品,热卖价优
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
HMC1512
HONEYWELL
24+
8000
SOP-8
100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
HMC1512
HONEYWE
2404+
1500
SOP8
自家现货!原装特价供货!一片起卖!
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电话:0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人:何
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
HMC1512
HONEYWELL
24+
6000
十五年专营 金牌供应商
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
HMC1512
2406+
11260
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
HMC1512
FREE
19+
161
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联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
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HONEYWELL
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32883
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公司现货,全新原厂原装正品!
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电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
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Honeywell(霍尼韦尔)
24+
10200
-
原装正品热卖
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
HMC1512
HONEYWELL
2443+
23000
SOP8
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
HMC1512
HONEYWELL
24+
27200
SOP-8
全新原装现货,原厂代理。
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