'9
9
n
ew
!
微波公司
HMC132
概述
该HMC132芯片是一种快速，宽带SPDT
开关具有高（ > 50分贝）在隔离
整个频带，通过片上地面提供
过孔。
该开关是无反射的两
砷化镓高隔离度SPDT开关DC - 15 GHz带宽
F
EBRUARY
2001
特点
带宽： DC- 15 GHz的
高隔离： > 50分贝
无反光设计
RF1和RF2端口。负电压控制
0 / -5 VDC年龄为0 / -7伏直流控制
通道选择。冗余的A / B控制
行贷款的多功能性为MIC布局。
7
SPDT S
女巫
保证性能
参数
Inser化损失
隔离
回波损耗
0 / -5V控制， 50欧姆系统， -55至+85摄氏度
频率
DC - 6 GHz的
DC - 15 GHz的
DC - 6 GHz的
DC - 15 GHz的
DC - 6 GHz的
DC - 15 GHz的
0.5 - 15 GHz的
0.5 - 15 GHz的
0.5 - 15 GHz的
DC - 15 GHz的
45
40
14
9.5
+20
+22
+38
分钟。
典型值。
1.9
4.0
55
50
17
11
+25
+28
+42
3
6
马克斯。
2.4
4.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
分贝米
ns
ns
DIE
输入功率0.1 1dB压缩
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
网站： www.hittite.com
7-2
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9
HMC132
微波公司
ne
w
!
HMC132高隔离度SPDT开关DC - 15 GHz带宽
F
EBRUARY
2001
插入损耗
0
-1
隔离
0
-10
插入损耗（dB ）
-20
隔离度（dB ）
-2
-3
-4
-5
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
14
16
-30
-40
-50
-60
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
回波损耗
0
7
SPDT S
女巫
回波损耗（分贝）
-10
-20
-30
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
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DIE
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
14
16
'9
9
n
ew
!
HMC132
微波公司
HMC132高隔离度SPDT开关DC - 15 GHz带宽
F
EBRUARY
2001
概要
RF COM
B
A
B
A
真值表
控制输入
A
B
低
H I GH
信号路径状态
射频到RF1
ON
关闭
射频到RF2
关闭
ON
1FR
2FR
H I GH
低
A
B
A
） DNG SI KCAB （
控制电压
绝对最大额定值
控制电压范围
储存温度
工作温度
+0.5至-7.5伏
-65至+150摄氏度
-55至+125摄氏度
状态
低
H I GH
偏置条件
0 -0.2V @的20uA最大。
-5V @ 200uA典型为-7V @ 600uA最大
7
SPDT S
女巫
概要
建议的驱动电路
V 5 = 1
我z5t0 = U一
P ENSAT
COM
DEVIC S
4 D 6C 8 9
LT
OR
SOMC
10K
） S 0 M C （ 40 H 7
5 - VC
DNG
VC
GDN
VC
A
G A的Si牛逼S·C W H
LORTN
B
70T4CH(L)
使用廉价的标准逻辑简单的驱动程序
芯片提供了使用最小直流快速开关
电流。
DIE
DIE厚度为0.004 ，背侧GROUND
键合焊盘0.004 ， SQUARE
外形尺寸为英寸± 0.001
焊盘金属化：金
背面金属：黄金
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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9
HMC132
微波公司
ne
w
!
HMC132高隔离度SPDT开关DC - 15 GHz带宽
F
EBRUARY
2001
操作注意事项
遵守这些注意事项，以避免永久性的损害：
清洁度：处理芯片在一个干净的环境。不要试图用液体清洁片
清洗系统。
静态灵敏度：按照ESD防范措施，以防止
＆ GT ;
± 250V ESD冲击（
请参阅第8 - 2
).
瞬变：禁止仪和偏置电源瞬变而施加偏压。使用屏蔽信号
偏置电缆，以减少电感回升。
常规处置：处理沿边缘的芯片用真空夹套或用锋利的一对弯曲的twee-
zers 。在芯片的表面具有易碎的空气桥和不应该与真空夹头， twee-触摸
zers ，或手指。
MOUNTING
该芯片背面金属化和可模安装有金锡共晶坯或与电
导电环氧树脂。安装面应洁净，平整。
共晶芯片粘接：
80/20金锡预成型件，建议用255 ℃的工作表面温度。 C和工具温
perature 265度。 C.当热90/10的氮气/氢气气体被施加，刀尖温度应
290度。 C.
请勿芯片暴露在温度高于320 ℃的下超过20秒。不再
比应需要的附着洗涤3秒。
环氧树脂模具附件：
适用的环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂圆角附近观测到
一旦在芯片的周边被置入位置。
治愈按照制造商的时间表环氧树脂。
7
SPDT S
女巫
DIE
引线键合
球或楔形接合用直径1.0纯金线。热超声引线键合，其标称阶段
温度为150度。 C和40 50克或1822中的楔焊力的球的结合力
克建议。使用超声波能量的最低水平，以达到可靠的引线接合。
线接合应该开始在芯片上，并终止于该包。 RF债券应尽可能短，
可能。
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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v02.1201
微波公司
HMC132
砷化镓MMIC高隔离
SPDT开关， DC - 15 GHz的
特点
带宽： DC - 15 GHz的
高隔离度： >40分贝
非再FL ective设计
典型应用
该HMC132是理想的：
无线本地环路
MMDS &无线局域网
UNII &的HiperLAN
光纤
工作原理图
概述
该HMC132芯片是一种快速，宽带SPDT
开关具有高（40 dB）隔离在
整个频带，通过片上的接地过孔提供。
该开关是不可重佛罗里达州ective同时在RF1和
RF2端口。 0 / -5负的控制电压
Vdc至0 / -7伏直流控制通道选择。
冗余的A / B控制线借给通用性
MIC布局。
7
开关 - CHIP
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25°C ，0 / -5V控制， 50欧姆系统
参数
Inser化损失
频率
DC - 6 GHz的
DC - 15 GHz的
DC - 6 GHz的
DC - 15 GHz的
DC - 6 GHz的
DC - 15 GHz的
0.5 - 15 GHz的
0.5 - 15 GHz的
0.5 - 15 GHz的
45
37
14
9.5
+20
+22
+38
分钟。
典型值。
1.9
4.0
55
40
17
11
+25
+28
+42
马克斯。
2.4
4.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
隔离
回波损耗
输入功率0.1 1dB压缩
输入功率的1dB压缩
输入三阶截
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
DC - 15 GHz的
3
6
ns
ns
7-2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
请访问我们的www.hittite.com ，或发送电子邮件至sales@hittite.com
v02.1201
微波公司
HMC132
砷化镓MMIC高隔离
SPDT开关， DC - 15 GHz的
插入损耗
0
-1
插入损耗（dB ）
-2
-3
-4
隔离
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
RF1
RF2
-5
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
14
16
隔离度（dB ）
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
回波损耗
0
回波损耗（分贝）
7
开关 - CHIP
7-3
-10
-20
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
请访问我们的www.hittite.com ，或发送电子邮件至sales@hittite.com
v02.1201
微波公司
HMC132
砷化镓MMIC高隔离
SPDT开关， DC - 15 GHz的
真值表
控制输入
A
高
低
B
低
高
单路径州
射频到RF1
ON
关闭
射频到RF2
关闭
ON
控制电压
状态
低
高
偏置条件
0 -0.2V @的20uA最大。
-5V @ 200uA典型为-7V @ 600uA最大
绝对最大额定值
控制电压范围
储存温度
工作温度
+0.5至-7.5伏
-65到+175摄氏度
-55至+125摄氏度
7
开关 - CHIP
外形绘图
DIE厚度为0.004 ，背侧GROUND
键合焊盘0.004 ， SQUARE
外形尺寸为英寸± 0.001
焊盘金属化：金
背面金属：黄金
7-4
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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v02.1201
微波公司
HMC132
砷化镓MMIC高隔离
SPDT开关， DC - 15 GHz的
建议的驱动电路
Vz=5.1V
Izt=50uA
补偿
器件
CD4689
TTL
OR
CMOS
VCC
GND
VCC
GND
A
砷化镓开关
控制
B
10K
74HCT04 （ TTL ）
74HC04 （ CMOS）的
-5 VDC
使用廉价的标准逻辑IC的简单的驱动程序提供了快速开关用最小的直流电流。
7
开关 - CHIP
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
请访问我们的www.hittite.com ，或发送电子邮件至sales@hittite.com
7-5
v02.1201
微波公司
HMC132
砷化镓MMIC高隔离
SPDT开关， DC - 15 GHz的
操作注意事项
遵守这些注意事项，以避免造成永久性损坏。
清洁度：
处理芯片在一个干净的环境。不要试图用液体清洁片
清洗系统。
静态灵敏度：
按照ESD防范措施，以防止> ± 250V的ESD冲击。
瞬变：
抑制手段和偏置电源瞬变而施加偏压。使用屏蔽信号
偏置电缆，以减少电感回升。
常规处置：
手柄沿边缘的芯片，具有一真空夹头或用锋利的一对弯曲的
镊子。在芯片的表面具有易碎的空气桥和不应该与真空夹头触摸时，
镊子或网络NGERS 。
MOUNTING
该芯片背面金属化和可模安装有金锡共晶坯或与电CON-
导电的环氧树脂。安装面应清洁和佛罗里达州的。
7
开关 - CHIP
共晶芯片粘接：
80/20金锡预成型件，建议用255 ℃的工作表面温度。 C与工具
温度265度。 C.当热90/10氮气/氢气应用，刀尖温度应
是290度。 C.做芯片不暴露在温度高于320度。下超过20
秒。不应该被要求用于附擦洗超过3秒。
环氧树脂模具附件：
适用的环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂音响llet
围绕芯片的周边观察到，一旦它被放置到的位置。
治愈按照制造商的时间表环氧树脂。
引线键合
球或楔形接合用0.025毫米（ 1密耳）直径纯金线（ DC偏置）或带式连接（ RF端口）
0.076毫米X 0.013毫米（ 3万×0.5密耳）的大小建议。热超声引线键合与标称
150度阶段的温度。 C和40 50克或18的楔焊力的球的结合力
到22克，现建议。使用超声波能量的最低水平，以达到可靠的引线接合。
线接合应该开始在芯片上并终止在封装或基板上。所有的债券应
尽可能短<0.31毫米（12密耳）。
7-6
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
请访问我们的www.hittite.com ，或发送电子邮件至sales@hittite.com
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