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v01.0801
微波公司
HMC110
1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器, DC - 10 GHz的
特点
带宽: DC - 10 GHz的
低插入损耗: 6.2分贝
31分贝衰减范围
快速开关: 6纳秒
典型应用
- 基站基础设施
便携式无线
2
衰减器 - CHIP
CATV & DBS
MMDS & WirelessLAN
无线本地环路
UNII &的HiperLAN
工作原理图
概述
该HMC110芯片是一个5位数字衰减器与
31 dB范围内以1 dB步。每个比特被激活
通过将0V至端口A和禁用-5 V至
端口A端口B (如适用)偏置与
端口A.见SMT封装版本补
HMC110G16 (密封) 。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25°C ,0 / -5V控制
参数
参考Inser化损失
衰减范围
回波损耗
衰减精度:
1 - 7分贝美国
8 - 15分贝美国
16 - 23分贝美国
24 - 31分贝美国
开关特性
TRISE , TFALL (10 /90% RF)
的tON , tOFF的(50%的CTL 10 /90% RF)的
输入功率0.2 1dB压缩
闵安泰信:
最大安泰信:
闵安泰信:
最大安泰信:
DC - 10 GHz的
3
6
+22
+5
+44
+32
ns
ns
DBM
DBM
DBM
DBM
频率
DC - 5 GHz的
DC - 10 GHz的
DC - 10 GHz的
DC - 2 GHz的
DC - 10 GHz的
分钟。
典型值。
5.2
6.2
马克斯。
6.0
7.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
27
12
8
31
15
10
DC - 10 GHz的
DC - 10 GHz的
DC - 10 GHz的
DC - 10 GHz的
+/- 0.5分贝+/- 5 %设置最大的。
+/- 0.6分贝+/- 5 %设置最大的。
+/- 0.6分贝+/- 8 %设定最大的。
+/- 0.6设置最大的分贝+/- 10 % 。
dB
dB
dB
dB
0.5 - 10 GHz的
输入三阶截
0.5 - 10 GHz的
2-2
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
请访问我们的www.hittite.com ,或发送电子邮件至sales@hittite.com
v01.0801
微波公司
HMC110
1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器, DC - 10 GHz的
插入损耗
0
插入损耗(dB )
-2
-4
-6
-8
-10
0
2
4
6
8
10
频率(GHz )
相对衰减
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
相对衰减( dB)的
2
0
2
4
6
频率(GHz )
8
10
相对相位
90
相对相位( DEG)
70
50
30
16分贝
8分贝
10
-10
0
2
4
6
频率(GHz )
1分贝,2个分贝, 4分贝
8
10
回波损耗
0
回波损耗(分贝)
31分贝
-10
-20
-30
0
2
4
6
8
10
频率(GHz )
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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2-3
衰减器 - CHIP
v01.0801
微波公司
HMC110
1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器, DC - 10 GHz的
真值表
控制输入
4分贝位
A1
B1
1分贝
A2
2分贝
A3
8分贝位
A4
B4
16分贝位
A5
B5
REF
1dB
2dB
4dB
8dB
16dB
ATT
SET
控制电压
状态
偏置条件
0 -0.2V @ 20微安最大。
-3V @ 50uA的典型,以-8V @ 500 uA的最大值。
2
衰减器 - CHIP
室内运动场
绝对最大额定值
控制电压范围
储存温度
工作温度
RF输入功率( 0.5 - 4千兆赫)
Inser化国家损失
任何衰减状态
+0.5至-8.5伏
-65至+150摄氏度
-55至+125摄氏度
在上述状态中的任何组合将提供一个衰减
近似等于所选择的比特的总和。
+27 dBm的
+13 dBm的
外形绘图
(详见第8 DIE搬运注意事项)
1.676 (0.066)
0.178 (0.007)
0.102 (0.004)
0.127 (0.005)
9位等于@ 0.152 ( 0.006 ),每个
0.279 (0.011)
0.864 (0.034)
A1
RF1
B1
A2
A3 A4
4306
B4
A5
B5
A6
B6
RF2
0.102 (0.004)
0.076 (0.003)
以毫米为单位所有尺寸(英寸)
所有的公差是+/- 0.025 ( 0.001 )
DIE厚度为0.203 ( 0.008 ) ,背侧金属化不
键合焊盘0.100 ( 0.004 ) SQUARE
所有未标记的键合焊盘接地。
BOND焊盘金属:黄金。
背面金属化:无
2-4
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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v01.0801
微波公司
HMC110
1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器, DC - 10 GHz的
建议的驱动电路
2
衰减器 - CHIP
2-5
使用廉价的标准逻辑IC的简单的驱动程序提供了快速开关用最小的直流电流。
*推荐值,以抑制在A / B控制线不需要的RF信号。您可以调整开关速度CON-
siderations 。
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
请访问我们的www.hittite.com ,或发送电子邮件至sales@hittite.com
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
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微波公司
HMC110
概述
该HMC110芯片是一个5位数字衰减
TOR与31 dB范围内以1 dB步。每个位
通过施加0V至端口A和激活
与-5 V至端口A端口B禁用(如
适用)有偏见的补
端口A.应用包括军事ECM
和通信以及商业
微波炉收音机。见SMT封装ver-
sions ; HMC110G16 (气密性)和
HMC110C14 (非密封) 。
砷化镓MMIC 5 - 位数字衰减器DC - 10 GHz的
F
EBRUARY
2001
特点
带宽: DC - 10GHz的
低插入损耗:
<6分贝
2
A
TTENUATORS
DIE
31分贝衰减范围
快速开关: 6纳秒
保证性能
0 / -5V控制, -55至+85摄氏度
参数
参考插入损耗
衰减范围
回波损耗
衰减精度
1 - 7分贝美国
8 - 15分贝美国
16 - 23分贝美国
24 - 31分贝美国
开关特性
TRISE , TFALL (10 /90% RF)
的tON , tOFF的(50%的CTL 10 /90% RF)的
输入功率0.2分贝
闵安泰信:
比较。
最大安泰信:
输入三阶截
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
频率。
- 5 GHz的
- 10 GHz的
- 10 GHz的
- 2 GHz的
- 10 GHz的
- 10
- 10
- 10
- 10
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
分钟。
典型值。
5.2
6.2
31
15
10
dB
dB
dB
dB
马克斯。
6.0
7.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
DBM
DBM
DBM
DBM
网站: www.hittite.com
27
12
8
+/- 0.5
+/- 0.6
+/- 0.6
+/- 0.6
+/- 5 %设置最大的。
+/- 5 %设置最大的。
+/- 8 %设定最大的。
设置最大为+/- 10%。
3
6
+22
+5
+44
+32
DC - 10 GHz的
0.5 - 10 GHz的
闵安泰信:
0.5 - 10 GHz的
最大安泰信:
电话: 978-250-3343
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824
传真: 978-250-3373
2-2
HMC110
微波公司
HMC110
5 - 位数字衰减器DC - 10 GHz的
F
EBRUARY
2001
插入损耗
0
插入损耗(dB )
相对衰减
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-2
-4
-6
-8
-10
0
2
4
6
8
10
频率(GHz )
相对衰减( dB)的
2
A
TTENUATORS
0
2
相对相位
90
回波损耗
0
31分贝
相对相位( DEG)
70
50
30
回波损耗(分贝)
-10
16分贝
8分贝
-20
10
-10
0
2
4
6
频率(GHz )
1分贝,2个分贝, 4分贝
8
10
-30
0
2
4
6
8
10
频率(GHz )
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
网站: www.hittite.com
2-3
DIE
4
6
频率(GHz )
8
10
HMC110
微波公司
HMC110
F
EBRUARY
2001
5 - 位数字衰减器DC - 10 GHz的
概要
A1 B1
A2
A3
A4 B4
A5 B5
RF1
A
TTENUATORS
4dB
1dB
2dB
8dB
16dB
HMC110
GND GND
GND GND
GND GND
GND GND
GND GND
DIE
绝对最大额定值
控制电压范围
储存温度
工作温度
RF输入功率( 0.5 - 4千兆赫)
插入损耗状态
任何衰减状态
+0.5至-8.5伏
-65至+150摄氏度
-55至+125摄氏度
+27 dBm的
+13 dBm的
真值表
控制输入
4分贝位
A1
Hi
B1
Lo
Lo
Lo
Hi
Lo
Lo
1dB
A2
Hi
Lo
Hi
Hi
Hi
Hi
2dB
A3
Hi
Hi
Lo
Hi
Hi
Hi
8分贝位
A4
Hi
Hi
Hi
Hi
Lo
Hi
B4
Lo
Lo
Lo
Lo
Hi
Lo
16分贝位
A5
Hi
Hi
Hi
Hi
Hi
Lo
B5
Lo
Lo
Lo
Lo
Lo
Hi
REF
1dB
2dB
4dB
8dB
16dB
ATT
SET
控制电压
状态
偏置条件
0至-0.2V@20uA最大
-3V @ 50uA的典型,以-8V @电流降至500uA最大
Hi
Hi
Lo
Hi
Hi
上述状态中的任何组合将提供一个衰减
近似等于所选择的比特的总和。
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
网站: www.hittite.com
2-4
RF2
2
HMC110
微波公司
HMC110
5 - 位数字衰减器DC - 10 GHz的
F
EBRUARY
2001
模具大纲
(请参见第8 - 2
0.178 (0.007)
0.102 (0.004)
8 - 3 DIE搬运注意事项)
1.676 (0.066)
0.127 (0.005)
9位等于@ 0.152 ( 0.006 ),每个
2
0.864 (0.034)
0.102 (0.004)
0.076 (0.003)
以毫米为单位所有尺寸(英寸)
所有公差为± 0.025 ( 0.001 )
DIE厚度为0.203 ( 0.008 ) ,背侧金属化不
键合焊盘0.100 ( 0.004 ) SQUARE
所有未标记的键合焊盘接地。
焊盘金属化:金
背面金属化:无
建议的驱动电路
Vz=5.1V
Izt=50uA
补偿
器件
CD4689
TTL
OR
CMOS
VCC
GND
VCC
GND
74HCT04 ( TTL )
74HC04 ( CMOS)的
100
*
100pF
*
100
*
A
砷化镓
衰减器
控制
10K
B
100pF
*
-5 VDC
使用廉价的标准逻辑IC的简单的驱动程序提供了快速开关用最小的直流电流。
*推荐值,以抑制在A / B控制线不需要的RF信号。您可以调整切换
速度考虑。
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
网站: www.hittite.com
2-5
DIE
A
TTENUATORS
0.279 (0.011)
A1
RF1
B1
A2
A3 A4
4306
B4
A5
B5
A6
B6
RF2
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HMC110
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HMC110
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8543
贴◆插
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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9766
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