HMC1082LP4E
v00.0513
砷化镓
的pHEMT MMIC介质
功放， 5.5 - 18 GHz的
典型应用
该HMC1082LP4E是理想的：
特点
高饱和输出功率： 26 dBm的@ 26 ％ PAE
高输出IP3 ： 35 dBm的
高增益： 22分贝
高的P1dB输出功率： 24 dBm的
DC电源： + 5V @ 220毫安
紧凑型24引脚4×4 mm的SMT封装： 16毫米
2
放大器 - 线性& POWER - SMT
点至点收音机
点到多点收音机
VSAT卫星通信&
海洋雷达
军事EW & ECM
工作原理图
概述
该HMC1082LP4E是GaAs pHEMT的MMIC驱动程序
放大器内置温度补偿
片上其5.5之间运行功率检测器
和18GHz 。该放大器提供增益22分贝， 35
dBm的输出IP3和+24 dBm的输出功率，在1分贝
增益压缩，同时要求220毫安从+ 5V
供应量。该HMC1082LP4E是能够供给
饱和输出功率为+26 dBm的26 ％ PAE
并装在一个紧凑的无铅4×4毫米的塑料
表面贴装封装。
该HMC1082LP4E是一种理想的驱动放大器的
广泛的应用范围，包括点至点
从5.5到18 GHz的无线电和航海雷达在9千兆赫。
该HMC1082LP4E也可以使用618千兆赫
EW和ECM应用。
电气规格
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
T
A
= + 25 ° C， VDD1 = VDD2 = VDD3 = + 5V ，国际长途= 220毫安
[1]
民
典型值。
5.5 - 6.5
21.5
23.5
0.0121
22
10
21
24
25.5
[2]
最大
民
典型值。
6.5 - 17
最大
民
典型值
17 - 18
最大
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
mA
20.5
22.5
0.0101
12
14
20
22
0.015
7.5
17.5
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
21
24
26
35
220
20.5
23.5
24.5
33.5
220
36
220
[1 ]调整VGG -2之间为0V ，实现电流IDD = 220毫安典型
[ 2 ]测量采取噘/音= + 12dBm时
1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司， 2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC1082LP4E
v00.0513
砷化镓
的pHEMT MMIC介质
功放， 5.5 - 18 GHz的
宽带增益&回波损耗
30
20
响应（ dB）的
10
0
-10
-20
16
-30
-40
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
S21
S11
S22
+25 C
增益与温度
30
26
24
增益（dB ）
22
20
18
14
12
5.5
8
10.5
13
15.5
18
频率（GHz ）
+85 C
-40 C
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
5.5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
5.5
8
10.5
13
15.5
18
8
10.5
13
15.5
18
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
P1dB为与温度的关系
30
28
26
P1dB的（ DBM）
P1dB为与电源电压
30
28
26
P1dB的（ DBM）
24
22
20
18
16
14
12
5.5
24
22
20
18
16
14
12
5.5
8
10.5
13
15.5
18
8
10.5
13
15.5
18
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
4V
频率（GHz ）
4.5V
5V
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司， 2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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放大器 - 线性& POWER - SMT
2
28
HMC1082LP4E
v00.0513
砷化镓
的pHEMT MMIC介质
功放， 5.5 - 18 GHz的
PSAT与温度的关系
30
PSAT与电源电压
30
28
26
PSAT （ DBM）
24
22
20
18
16
14
放大器 - 线性& POWER - SMT
28
26
PSAT （ DBM）
24
22
20
18
16
14
12
5.5
8
10.5
13
15.5
18
12
5.5
8
10.5
13
15.5
18
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
4V
频率（GHz ）
4.5V
5V
P1dB为与电源电流
30
28
26
P1dB的（ DBM）
PSAT与电源电流
30
28
26
PSAT （ DBM）
24
22
20
18
16
14
24
22
20
18
16
14
12
5.5
8
10.5
13
15.5
18
12
5.5
8
10.5
13
15.5
18
频率（GHz ）
180毫安
220毫安
250毫安
频率（GHz ）
180毫安
220毫安
250毫安
输出IP3与温度的关系
[1]
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
输出IP3与电源电流
[1]
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
32
30
28
26
24
22
20
5.5
8
10.5
13
15.5
18
20
5.5
8
10.5
13
15.5
18
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
180毫安
频率（GHz ）
220毫安
250毫安
[1]噘/音= +12 dBm的
3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司， 2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
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HMC1082LP4E
v00.0513
砷化镓
的pHEMT MMIC介质
功放， 5.5 - 18 GHz的
输出IP3与电源电压
[1]
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
IM3 （ DBC）
60
输出IM3 @ VDD = + 4V
70
32
30
28
26
24
22
20
5.5
50
40
30
20
8
10.5
13
15.5
18
4
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
4V
4.5V
5V
7 GHz的
9 GHz的
噘嘴/ TONE （ DBM）
12 GHz的
15 GHZ
17 GHz的
输出IM3 @ VDD = 4.5V +
70
60
输出IM3 @ VDD = 5V +
70
60
50
50
40
40
30
30
20
4
6
8
10
12
14
16
噘嘴/ TONE （ DBM）
7 GHz的
9 GHz的
12 GHz的
15 GHZ
17 GHz的
20
4
6
8
10
12
14
16
噘嘴/ TONE （ DBM）
7 GHz的
9 GHz的
12 GHz的
15 GHZ
17 GHz的
功率压缩@ 12 GHz的
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
25
20
15
10
5
0
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
输入功率（dBm ）
噘
收益
国际直拨电话
PAE
500
450
400
IDD （MA ）
350
300
250
200
10
获得&功率与电源电流
28
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
27
26
25
24
23
22
21
20
180
190
200
210
220
230
240
250
IDD （MA ）
收益
P1dB
PSAT
[1]噘/音= +12 dBm的
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放大器 - 线性& POWER - SMT
4
IM3 （ DBC）
IM3 （ DBC）
HMC1082LP4E
v00.0513
砷化镓
的pHEMT MMIC介质
功放， 5.5 - 18 GHz的
获得&功率与电源电压
28
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
反向隔离与温度的关系
-20
-30
放大器 - 线性& POWER - SMT
27
26
隔离度（dB ）
4
4.2
4.4
Vdd的（V）的
收益
P1dB
PSAT
25
24
23
22
21
20
4.6
4.8
5
-40
-50
-60
-70
-80
5.5
8
10.5
13
15.5
18
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
功耗
1.4
功耗（ W）
1.2
检测电压与温度的关系
@ 6 GHz的
10
1
VREF - Vdet中（ V）
1
0.1
0.8
0.01
0.6
0.001
0.4
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
输入功率（dBm ）
7 GHz的
10 GHz的
12 GHz的
14 GHz的
17 GHz的
0.0001
-20
-10
0
10
20
30
输出功率（dBm ）
+25 C
+85 C
- 40 C
检测电压与温度的关系
@ 12 GHz的
10
1
VREF - Vdet中（ V）
检测电压与温度的关系
@ 18 GHz的
10
1
VREF - Vdet中（ V）
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0.001
0.0001
-20
-10
0
10
20
30
0.0001
-20
-10
0
10
20
30
输出功率（dBm ）
+25 C
+85 C
- 40 C
+25 C
输出功率（dBm ）
+85 C
- 40 C
5
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