1和2轴磁传感器
HMC1001/1002/1021/1022
该
HONEYWELL
HMC100x
和
HMC102x
磁传感器是1和2轴表面
专为低场磁感应器安装
感应。通过添加辅助信号处理，
高性价比磁力或罗盘
溶液被启用。日ESE小，成本低
解决方案很容易就可以组装为高体积
OEM设计。应用程序的HMC100x和
HMC102x
传感器
包括
罗盘，
导航系统，磁和电流
感应。
该HMC100x和HMC102x传感器采用霍尼韦尔各向异性磁阻（ AMR）技术，可提供
在线圈的优点基于磁传感器。他们是非常敏感的，低磁场，固态磁传感器
设计为测量方向的地球磁场和大小，从几十微高斯至6高斯。
霍尼韦尔公司的磁传感器是在同行业中最敏感，最可靠的低磁场传感器之一。
霍尼韦尔公司将继续引进创新的固态磁保持产品的卓越性能和
传感器解决方案。这些都是在承诺交付高度可靠，性能最好的产品。霍尼韦尔
磁传感器解决方案提供真正的解决方案，你可以指望。
特点
4
4
4
4
4
4
4
表面贴装1和2轴传感器
低成本
4元惠斯通电桥
低电压操作（ 2.0V ）
可在磁带&卷轴包装
专利的偏移量和置位/复位背带
宽视场范围（高达±6大江）
好处
4
易于组装&兼容高速SMT组装
4
专为高容量，低成本的OEM设计
4
低噪声无源元件设计
4
兼容电池供电应用
4
大批量OEM装配
4
杂散磁场补偿
4
传感器可用于在强磁场环境
HMC1001/1002/1021/1022
HMC1001 / 1002规格
特征
大桥元素
供应
阻力
工作温度
储存温度
场范围
线性误差
Vbridge （VB ）参考GND
桥电流≤10mA
每个桥
环境
环境，偏见
满量程（ FS ） - 总外加磁场
最佳拟合直线
± 1高斯
± 2高斯
跨越± 2高斯3扫描
跨越± 2高斯3扫描
之后交替S / R脉冲输出变化
VB = 5V ，我
SR
= 3A
桥偏移
灵敏度
噪声密度
决议
带宽
令人不安场
灵敏度温度系数
桥偏置温度系数
大桥欧姆温度系数
交叉轴效应
马克斯。现场曝光
置位/复位背带
阻力
当前
电阻温度系数
胶印背带
阻力
偏置式
从OFF +测量到场外
直流电流
现场应用中的敏感方向
46
2.5
51
0.39
3.5
56
欧
毫安/高斯
%/°C
从S / R +至S / R-测量
0.1 ％的占空比，或更小， 2微秒的电流脉冲
T
A
= -40 125 ℃的
2.0
1.5
3.0
0.37
1.8
5
欧
AMP
%/°C
偏移量= （ OUT + ） - （室外）
设置脉冲，VB = 8V后场= 0高斯
置位/复位电流= 3A
@ 1Hz的，VB = 5V
带宽为10Hz ，VB = 5V
磁信号（下限= DC）的
敏感性开始下降。
使用S / R脉冲恢复灵敏度。
T
A
= -40 125 ℃， Vb的= 8V
T
A
= -40 125 ℃，的iBridge = 5毫安
T
A
= -40 125°C ，无置位/复位
T
A
= -40 125 ℃，用置位/复位
T
A
= -40 125 ℃的
十字字段= 1高斯， Happlied = ± 1高斯
与置位/复位
零读数不烫发效果
5
-0.32
-0.30
-0.06
±0.03
±0.001
0.25
±3
±0.5
10000
高斯
-0.28
-60
2.5
-15
3.2
29
27
5
100
+30
4.0
V
mV
毫伏/ V /高斯
内华达州/ Hz的平方根
μgauss
兆赫
高斯
%/°C
%/°C
%/°C
％ FS
-
600
-55
-55
-2
0.1
1.0
0.05
0.05
5.0
850
12
1200
150
175
+2
0.5
2.0
0.10
0.10
伏
欧
°C
°C
高斯
％ FS
％ FS
％ FS
条件*
民
典型值
最大
单位
滞后误差
重复性误差
S / R重复性
电阻温度系数
T
A
= -40 125 ℃的
*除非另有说明，测试在25 ℃。
2
www.honeywell.com
HMC1001/1002/1021/1022
HMC1021 / 1022规格
特征
大桥元素
供应
阻力
工作温度
储存温度
场范围
线性误差
Vbridge （VB ）参考GND
桥电流≤10mA
每个桥
环境
环境，偏见
满量程（ FS ） - 总外加磁场
最佳拟合直线
± 1高斯
± 3高斯
± 6高斯
跨越± 2高斯3扫描
跨越± 2高斯3扫描
偏移量= （ OUT + ） - （室外）
设置脉冲，VB = 5V后场= 0高斯
置位/复位电流= 0.5A
@ 1Hz的，VB = 5V
带宽为10Hz ，VB = 5V
磁信号（下限= DC）的
敏感性开始下降。
使用S / R脉冲恢复灵敏度。
T
A
= -40 125 ℃， Vb的= 5V
T
A
= -40 125 ℃，的iBridge = 5毫安
T
A
= -40 125°C ，无置位/复位
T
A
= -40 125 ℃，用置位/复位
T
A
= -40 125 ℃的
十字字段= 1高斯， Happlied = ± 1高斯
零读数不烫发效果
20
-0.32
-0.30
-0.06
±0.05
±0.001
0.25
+0.3
10000
-0.28
-10
0.8
2
800
-55
-55
-6
0.05
0.4
1.6
0.08
0.08
±2.5
1.0
48
85
5
+11.25
1.25
5.0
1100
25
1300
150
175
+6
伏
欧
°C
°C
高斯
％ FS
条件*
民
典型值
最大
单位
滞后误差
重复性误差
桥偏移
灵敏度
噪声密度
决议
带宽
令人不安场
灵敏度温度系数
桥偏置温度系数
大桥欧姆温度系数
交叉轴效应
马克斯。现场曝光
置位/复位背带
阻力
当前
电阻温度系数
胶印背带
阻力
偏置式
％ FS
％ FS
mV
毫伏/ V /高斯
内华达州/ Hz的平方根
μgauss
兆赫
高斯
%/°C
%/°C
%/°C
％ FS
高斯
从S / R +至S / R-测量
0.1 ％的占空比，或更小， 2微秒的电流脉冲
T
A
= -40 125 ℃的
5.5
0.5
7.7
0.5
0.37
9
4.0
欧
AMP
%/°C
从OFF +测量到场外
直流电流
现场应用中的敏感方向
38
4.0
50
4.6
0.39
60
6.0
欧
毫安/高斯
%/°C
电阻温度系数
T
A
= -40 125 ℃的
*除非另有说明，测试在25 ℃。
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HMC1001/1002/1021/1022
PACKAGE /管脚规范
箭头表示施加的场是一个SET脉冲后产生一个正输出电压的方向。
基本设备操作
霍尼韦尔HMC100x和HMC102x各向异性磁阻（ AMR ）传感器是简单的电阻惠斯登电
桥来测量磁场，只需要一个电源电压进行测量。随着电源应用
桥梁，传感器转换的敏感轴方向上的差动电压输出的入射磁场强度。
除了在电桥电路中，每个传感器具有两个片上磁耦合肩带;偏置条和
置位/复位带。这些带子是霍尼韦尔的专利功能入射场的调整和磁畴
排列;并省去了定位在所述传感器的外部线圈。
磁阻传感器是一种镍 - 铁（坡莫合金）薄膜沉积在硅晶片上并图案化
电阻片的元素。在磁场的存在下，在电桥电阻元件的变化会引起一个
相应的变化，电桥输出端的电压。
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