HMC-MDB171
v01.0209
砷化镓MMIC I / Q混频器
35 - 45 GHz的
特点
宽IF带宽： DC - 5 GHz的
高镜频抑制： 25分贝
高LO至RF隔离： 35分贝
被动：无直流偏置要求
模具尺寸： 1.5× 2.0× 0.1毫米
典型应用
这HMC- MDB171是理想的：
点至点收音机
3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
军用雷达， ECM & EW
测试&测量设备
SATCOM
传感器
工作原理图
概述
在HMC - MDB171是单片的I / Q混频器其可以
被用作图像抑制混频器（IRM）或单
单边带上变频器。这种被动的MMIC混频器
与制造砷化镓异质结双极晶体管
（ HBT ）肖特基二极管技术。下变频
应用中，一个外部正交混合可
用于选择所期望的边带，同时抑制
图像信号。所有键合焊盘和管芯背面
有Ti / Au的金属化和肖特基器件是完全
钝化进行可靠操作。该HMC- MDB171
I / Q MMIC混频器与传统的芯片兼容
连接方法，以及热压和
热超声引线键合，使其成为理想的MCM和
混合微电路应用。本文所示的所有数据
测定与芯片在一个50欧姆的环境
并接触射频探针。
电气电源规格， * T
A
= 25°C ， IF = 3 GHz的LO = +16 dBm的
参数
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗与外部混合
转换损耗与外部进行混合
1 dB压缩（输入）
镜像抑制
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
*除另有说明外，所有的测量是从探测模
20
30
15
20
分钟。
典型值。
35 - 45
DC - 5
8
12.5
8
25
35
20
25
17
11
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
3 - 160
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-MDB171
v01.0209
砷化镓MMIC I / Q混频器
35 - 45 GHz的
下变频器变频损耗
-7
D / C转换损耗（分贝）
注1 ：实测性能特性（ TOP = 25 ° C）
注2 ：无90hybrid单边带测量，并
第二个IF端口终止。
RF = 35-45 GHz的
LO = 32-42 GHz的
IF = 3 GHz的
解放军= + 16 dBm的
PRF = -20 dBm的
-8
-9
3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
3 - 161
-10
-11
-12
35
37
39
41
43
45
射频频率（ GHz）的
绝对最大额定值
储存温度
工作温度
-65 ℃150 ℃的
-55 ° C至85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC-MDB171
v01.0209
砷化镓MMIC I / Q混频器
35 - 45 GHz的
外形绘图
注意事项：
3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属：金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化：黄金。
6.连接不需要
未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用
[2]
[1]参见“封装信息”一节
对于芯片封装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系
赫梯Microwave公司。
PAD说明
盘数
功能
引脚说明
接口示意图
1
RF
此片是DC耦合，匹配50欧姆。
2, 4
IF1 ， IF2
此片是直流耦合。
3
LO
此片是DC耦合，匹配50欧姆。
3 - 162
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-MDB171
v01.0209
砷化镓MMIC I / Q混频器
35 - 45 GHz的
应用电路
应用电路1示出了混频器的等效电路。应用电路图2示出的混频器具有90 °混合电路用于
实现信号的镜像抑制。所有的射频参数指定了一个理想的90度混合动力的IF输出端口。转变
损耗测量（在晶片）在IF1和/或IF2 （应用电路1 ）与所述第二中频端口端接至50欧姆。
三分贝然后加入以补偿的理想混合。所述的IP3表示为一个输入IP3号码并得到
通过一个双音测量。
3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
3 - 163
应用电路1
应用电路2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-MDB171
v01.0209
砷化镓MMIC I / Q混频器
35 - 45 GHz的
装配图
3
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
3 - 164
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HMC-MDB171
v00.0907
砷化镓MMIC I / Q混频器
35 - 45 GHz的
特点
宽IF带宽： DC - 5 GHz的
高镜频抑制： 25分贝
高LO至RF隔离
被动：无直流偏置要求
模具尺寸： 1.5× 2.0× 0.1毫米
典型应用
这HMC- MDB171是理想的：
点至点收音机
军用雷达， ECM & EW
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
测试&测量设备
SATCOM
传感器
工作原理图
概述
在HMC - MDB171是单片的I / Q混频器其可以
被用作图像抑制混频器（IRM）或单
单边带上变频器。这种被动的MMIC混频器
与制造砷化镓异质结双极晶体管
（ HBT ）肖特基二极管技术。下变频
应用中，一个外部正交混合可
用于选择所期望的边带，同时抑制
图像信号。所有键合焊盘和管芯背面
有Ti / Au的金属化和肖特基器件是完全
钝化进行可靠操作。该HMC- MDB171
I / Q MMIC混频器与传统的芯片兼容
连接方法，以及热压和
热超声引线键合，使其成为理想的MCM和
混合微电路应用。本文所示的所有数据
测定与芯片在一个50欧姆的环境
并接触射频探针。
电气电源规格， * T
A
= 25°C ， IF = 3 GHz的LO = +16 dBm的
参数
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗与外部混合
转换损耗与外部进行混合
1 dB压缩（输入）
镜像抑制
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
*除另有说明外，所有的测量是从探测模
20
30
15
20
分钟。
典型值。
35 - 45
DC - 5
8
12.5
8
25
35
20
25
17
11
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
X-8
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HMC-MDB171
v00.0907
砷化镓MMIC I / Q混频器
35 - 45 GHz的
下变频器变频损耗
绝对最大额定值
最大通道温度
储存温度
工作温度
180 °C
-65 ℃150 ℃的
-55 ° C至85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
注1 ：实测性能特性（ TOP =
25°C)
注2 ：无90hybrid单边带测量，
而第二个IF端口终止。
RF = 35-45 GHz的
LO = 32-42 GHz的
IF = 3 GHz的
解放军= + 16 dBm的
PRF = -20 dBm的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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X-9
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
HMC-MDB171
v00.0907
砷化镓MMIC I / Q混频器
35 - 45 GHz的
外形绘图
调音台 - I / Q混频器/ IRM - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属：金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化：黄金。
6.连接不需要的未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
X - 10
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-MDB171
v00.0907
砷化镓MMIC I / Q混频器
35 - 45 GHz的
应用电路
应用电路1示出了混频器的等效电路。应用电路图2示出的混频器具有90 °混合电路用于
实现信号的镜像抑制。所有的射频参数指定了一个理想的90度混合动力的IF输出端口。转变
损耗测量（在晶片）在IF1和/或IF2 （应用电路1 ）与所述第二中频端口端接至50欧姆。
三分贝然后加入以补偿的理想混合。所述的IP3表示为一个输入IP3号码并得到
通过一个双音测量。
应用电路1
应用电路2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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X - 11
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