HMC-APH596
v02.0208
的GaAs HEMT MMIC中功率
放大器， 16 - 33 GHz的
典型应用
这HMC- APH596是理想的：
点至点收音机
特点
输出IP3 ： +33 dBm的
P1dB为： +24 dBm的
增益： 17分贝
电源电压： + 5V
50欧姆匹配输入/输出
模具尺寸： 2.55 X 1.87 X 0.1毫米
3
线性&功率放大器 - CHIP
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
在HMC - APH596是一个两阶段的GaAs HEMT
MMIC中功率放大器的音响器的名称而经营
16至33千兆赫。该HMC- APH596提供
17分贝增益和+24 dBm的在输出功率
1 dB压缩从+ 5V的电源电压。所有
键合焊盘和管芯背面有Ti / Au的金属化
和放大器装置被充分钝化的可靠
操作。该HMC- APH596的GaAs HEMT MMIC
中等功率放大器与conven-兼容
tional芯片附着的方法，以及thermocomp-
ression和热超声引线键合，使其成为理想
对于MCM和混合微电路应用。所有
这里所显示的数据的测量条件为芯片，在50
欧姆环境和接触射频探针。
电气电源规格
,
T
A
= + 25 ° C， VDD1 = VDD2 = 5V ， IDD1 + IDD2 = 400毫安
[2]
参数
频带
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD1 + IDD2 ）
[1]除另有说明外，所有的测量是从探测模
[ 2 ]调整VGG1 = Vgg2之间-1V到+ 0.3V （典型值-0.5V ）实现独立同
总
= 400毫安
16
分钟。
典型值。
16 - 33
17
17
18
24
33
400
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
3 - 208
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-APH596
v02.0208
的GaAs HEMT MMIC中功率
放大器， 16 - 33 GHz的
增益与频率
24
22
20
拧紧机噘与频率的关系
36
32
的Pout （ dBm的）
P1dB
P3dB
IP3为18dBm @ /音
增益（dB ）
18
16
14
12
10
12
16
20
24
28
32
36
频率（GHz ）
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 209
28
24
20
16
20
24
28
32
36
频率（GHz ）
输入回波损耗与频率的关系
0
-5
回波损耗（分贝）
输出回波损耗与频率
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-10
-15
-20
-25
-30
12
16
20
24
28
32
36
频率（GHz ）
12
16
20
24
28
32
36
频率（GHz ）
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的GaAs HEMT MMIC中功率
放大器， 16 - 33 GHz的
绝对最大额定值
漏偏置电压
栅极偏置电压
+5.5伏
-1至+0.3伏
6 dBm的
56.6 ° C / W
180 °C
-65 ° C至+150°C
180毫安
290毫安
3
线性&功率放大器 - CHIP
RF输入
热阻
（信道死底部）
通道温度
储存温度
漏极偏置电流（ IDD1 ）
漏极偏置电流（ IDD2 ）
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 1 （胶装）
备用
[2]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属：金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化：黄金。
6.连接不需要的未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
3 - 210
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的GaAs HEMT MMIC中功率
放大器， 16 - 33 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
接口示意图
1
RFIN
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 211
2
RFOUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
5
Vdd1
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
3
Vdd2
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
6
Vgg1
门控制放大器。请遵守“ MMIC扩增
费里偏置程序“应用笔记。请参阅组件
所需的外部元件。
4
Vgg2
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
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的GaAs HEMT MMIC中功率
放大器， 16 - 33 GHz的
装配图
3
线性&功率放大器 - CHIP
注1 ：旁路电容应为100 pF的（约）陶瓷（单层）放在距离不超过30密耳从放大器
注2： 0.5密耳缎带上的输入和输出采用<10密耳（长） 3获得最佳的性能。
3 - 212
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