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HMC-APH518
v02.0208
的GaAs HEMT MMIC 1瓦电源
放大器, 21 - 24 GHz的
特点
输出IP3 : +39 dBm的
P1dB为: 30.5 dBm的
增益: 17分贝
电源电压: + 5V
50欧姆匹配输入/输出
模具尺寸: 4.49 X 1.31 X 0.1毫米
典型应用
这HMC- APH518是理想的:
点至点收音机
3
线性&功率放大器 - CHIP
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
在HMC - APH518是一个两阶段的GaAs HEMT单片
1瓦放大器,它的工作
21和24 GHz的。该HMC- APH518提供17分贝
增益,以及30.5 dBm的在1dB的输出功率的
压缩从+ 5V的电源电压。所有债券
焊盘和管芯背面有Ti / Au的金属化和
该放大器装置被充分钝化的可靠
操作。该HMC- APH518的GaAs HEMT MMIC 1
瓦功放与传统兼容
管芯附着的方法,以及热压
和热超声引线键合,使其成为理想的
MCM和混合微电路应用。所有数据
示出本发明的测量条件为芯片在一个50欧姆
环境和接触射频探针。
电气电源规格
[1]
,
T
A
= + 25 ° C, VDD1 = VDD2 = 5V , IDD1 + IDD2 = 950毫安
[2]
参数
频带
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率的1dB压缩( P1dB为)
输出三阶截取点( IP3 )
电源电流( IDD1 + IDD2 )
28
37
16
分钟。
典型值。
21 - 24
17
15
8
30.5
39
950
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
[1]除另有说明外,所有的测量是从探测模
[ 2 ]调整VGG1 = Vgg2之间-1V到+ 0.3V (典型值-0.5V )实现IDD1 = 350 mA时, IDD2 = 600毫安
3 - 202
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20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC-APH518
v02.0208
的GaAs HEMT MMIC 1瓦电源
放大器, 21 - 24 GHz的
线性增益与频率
20
拧紧机噘与频率的关系
42
40
POUT ( dBm的) ,三磷酸肌醇( dB)的
16
增益(dB )
38
36
34
32
30
P1dB
IP3为18dBm @ /音
12
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 203
8
4
0
21
21.5
22
22.5
23
23.5
24
频率(GHz )
28
21
22
23
24
25
26
频率(GHz )
输入回波损耗与频率的关系
0
-5
回波损耗(分贝)
输出回波损耗与频率
0
-2
回波损耗(分贝)
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-10
-15
-20
-25
-30
21
21.5
22
22.5
23
23.5
24
频率(GHz )
21
21.5
22
22.5
23
23.5
24
频率(GHz )
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HMC-APH518
v02.0208
的GaAs HEMT MMIC 1瓦电源
放大器, 21 - 24 GHz的
绝对最大额定值
漏偏置电压
栅极偏置电压
+5.5伏
-1至+0.3伏
15 dBm的
23.9 ° C / W
180 °C
-65 ° C至+150°C
600毫安
670毫安
3
线性&功率放大器 - CHIP
RF输入功率
热阻
(信道死底部)
通道温度
储存温度
漏极偏置电流( IDD1 )
漏极偏置电流( IDD2 )
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项:
芯片封装信息
标准
GP - 2 (胶装)
[2]
[1]
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属:金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化:黄金。
6.连接不需要的未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
备用
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息,请联系赫梯
微波公司。
3 - 204
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HMC-APH518
v02.0208
的GaAs HEMT MMIC 1瓦电源
放大器, 21 - 24 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
接口示意图
1
RFIN
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 205
2
RFOUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
3, 5
VDD1 , VDD2
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
4, 6
VGG1 , Vgg2
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
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v02.0208
的GaAs HEMT MMIC 1瓦电源
放大器, 21 - 24 GHz的
装配图
3
线性&功率放大器 - CHIP
注1 :旁路电容应为100 pF的(约)陶瓷(单层)放在距离不超过30密耳从放大器
注2: 0.5密耳缎带上的输入和输出采用<10密耳(长) 3获得最佳的性能。
3 - 206
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