HMC-ALH244
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 24 - 40 GHz的
特点
噪声系数： 3.5分贝
增益： 12分贝
1
低噪声放大器 - CHIP
典型应用
这HMC- ALH244是理想的：
点至点收音机
点到多点收音机
的P1dB输出功率： +13 dBm的
- 甚小孔径终端
电源电压： + 4V @ 45毫安
SATCOM
模具尺寸： 2.50 ×1.4× 0.1毫米
工作原理图
概述
在HMC - ALH244是一个两阶段的GaAs MMIC的HEMT
这间经营低噪声放大器芯片
24 GHz和40 GHz 。该放大器提供的增益为12 dB时，
3.5 dB的噪声系数，并且只需要45毫安
从+ 4V电源电压。该HMC- ALH244放大器
模具非常适合集成到多芯片模块
（多芯片组件） ，由于其尺寸小（3.5平方毫米）。
电气电源规格
[1]
,
T
A
= + 25 ° C， VDD = 4V ，国际直拨电话= 45毫安
[2]
参数
频带
收益
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
电源电流（ IDD）
[1]除另有说明外，所有的测量是从探测模
[ 2 ]调整VGG -1V到+ 0.3V之间（ -0.2V典型值） ，实现独立同
总
= 45毫安
10
分钟。
典型值。
24 - 40
12
3.5
15
17
13
45
100
4
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
mA
1 - 132
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH244
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 24 - 40 GHz的
线性增益与频率
16
14
噪声系数与频率的关系
5
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 133
增益（dB ）
10
8
6
4
2
0
20
25
30
35
40
45
频率（GHz ）
噪声系数（dB ）
12
4
3
2
1
0
20
25
30
35
40
45
频率（GHz ）
输入回波损耗与频率的关系
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
20
25
30
35
40
45
频率（GHz ）
输出回波损耗与频率
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
20
25
30
35
40
45
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH244
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 24 - 40 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
绝对最大额定值
漏偏置电压
栅极偏置电压
RF输入功率
通道温度
储存温度
工作温度
+5.5伏
-1至+0.3伏
6 dBm的
180 °C
-65至+150°C
-55至+85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用
[2]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属：金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化：黄金。
6.连接不需要的未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
1 - 134
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH244
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 24 - 40 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
接口示意图
1
RFIN
1
2, 6
VDD
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
3, 5
VGG
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
4
RFOUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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1 - 135
低噪声放大器 - CHIP
HMC-ALH244
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 24 - 40 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
装配图
注1 ：旁路电容应为100 pF的（约）陶瓷（单层）放在距离不超过30密耳从放大器
注2： 0.5密耳缎带上的输入和输出采用<10密耳（长） 3获得最佳的性能。
1 - 136
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH509
v02.0208
的GaAs HEMT低噪声
放大器， 71 - 86 GHz的
特点
噪声系数： 5分贝
P1dB为+7 dBm的
增益： 14分贝
电源电压： + 2V
50欧姆匹配输入/输出
模具尺寸： 3.20 X 1.60 X 0.1毫米
1
低噪声放大器 - CHIP
典型应用
这HMC- ALH509是理想的：
短途/高容量链接
无线局域网
汽车雷达
军事&空间
E波段通信系统
工作原理图
概述
该HMC- ALH509是一个三阶段的GaAs HEMT
MMIC低噪声放大器（ LNA ），该操作
在71和86 GHz的。该HMC- ALH509功能
14分贝的小信号增益，噪声系数为5 dB和
+7 dBm的在1dB压缩点的输出功率
从+ 2V电源电压。所有键合焊盘和所述
死亡背后是钛/金金属化和放大器
装置完全钝化的可靠运行。这
多功能LNA与传统模兼容
连接方法，以及热压和
热超声引线键合，使其成为理想的MCM
和混合微电路应用。所有显示的数据
这里所测定的芯片在一个50欧姆
环境和接触射频探针。
电气电源规格，T
A
= + 25 ° C， VDD = 2V *
参数
频带
收益
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
电源电流（ IDD） （ VDD = 2V ， VGG = -0.2V典型值）。
*除另有说明外，所有的测量是从探测模
12
分钟。
典型值。
71 - 86
14
5
14
10
7
50
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
mA
1 - 218
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC-ALH509
v02.0208
的GaAs HEMT低噪声
放大器， 71 - 86 GHz的
线性增益与频率
20
16
噪声系数与频率的关系
6
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 219
增益（dB ）
12
8
4
0
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
频率（GHz ）
78
80
82
84
86
88
频率（GHz ）
输入回波损耗与频率的关系
0
-5
回波损耗（分贝）
输出回波损耗与频率
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
频率（GHz ）
-25
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
频率（GHz ）
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HMC-ALH509
v02.0208
的GaAs HEMT低噪声
放大器， 71 - 86 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
绝对最大额定值
漏偏置电压
栅极偏置电压
RF输入功率
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
3 VDC
-0.8到+0.2伏
-5 dBm的
123 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
WP - 19
备用
[2]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属：金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化：黄金。
6.连接不需要的未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
1 - 220
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HMC-ALH509
v02.0208
的GaAs HEMT低噪声
放大器， 71 - 86 GHz的
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
接口示意图
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 221
2
VDD
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
3
RFOUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
4
VGG
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH509
v02.0208
的GaAs HEMT低噪声
放大器， 71 - 86 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
装配图
1 - 222
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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