HMC-ABH264
v01.0209
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
特点
高输出IP3 ： 29 dBm的
高的P1dB ： 18 dBm的
高增益： 18.5分贝
偏置电源： + 5V
50欧姆匹配输入/输出
芯片尺寸： 2.4 X 1.64 X 0.1毫米
典型应用
在HMC - ABh264是理想的：
点至点收音机
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
在HMC - ABh264是一款高动态范围的GaAs
PHEMT MMIC中功率放大器的名称而经营
34至42千兆赫。在HMC - ABh264提供
18.5分贝增益和18 dBm的1 dB的输出功率
压缩从+ 5V电源。在HMC - ABh264
放大器可以很容易地集成到多芯片级
芯片模块（MCM ） ，由于其体积小。这种紧凑型
中功率放大器芯片提供稳定的输出
功率和在其额定出色的增益平坦度
带宽。所有的数据在本文中被测量的
通过0.025毫米芯片在一个50欧姆测试夹具连接
（ 1密耳），最小长度0.31毫米直径焊线
（12密耳）。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25°C中，V d1 = Vd2的= VDD = 5V ，国际直拨电话
总
= 120毫安*
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
总电源电流（ IDD） （ VDD = 5V ， VGG = -0.45V典型值）。
16.5
16
分钟。
典型值。
34 - 40
18.5
0.018
16
16
18
20.5
29
6.5
120
140
16
16
马克斯。
分钟。
典型值。
40 - 42
18.5
0.022
12
15
17
20.5
27.5
6.5
120
140
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG -2之间为0V ，实现电流IDD = 120毫安典型。
3-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC-ABH264
v01.0209
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
增益与温度
25
宽带增益&
回波损耗与频率的关系
30
20
响应（ dB）的
10
0
-10
-20
-30
32
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
S21
S11
S22
20
增益（dB ）
15
+25C
+85C
-55C
3
32
34
36
38
40
42
44
10
5
0
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
32
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
-25
32
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
输出P1dB为与温度的关系
25
PSAT与温度的关系
25
23
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
+25C
+85C
-55C
23
21
21
19
19
+25C
+85C
-55C
17
17
15
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
15
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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3-2
放大器 - 线性&力量 - 芯片
HMC-ABH264
v01.0209
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
噪声系数与温度
10
输出IP3与温度的关系
35
33
+25C
+85C
-55C
31
IP3 （ dBm的）
29
27
25
23
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
噪声系数（dB ）
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
8
6
4
+25C
+85C
-55C
2
0
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
获得&功率与
电源电压@ 38 GHz的，国际长途= 120毫安
25
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
反向隔离与温度的关系
0
20
隔离度（dB ）
-10
+25C
+85C
-55C
15
增益（ dB）的
P1dB(dBm)
PSAT （ DBM）
-20
10
-30
5
-40
0
4.5
-50
5
Vdd的（V）的
5.5
32
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
功率压缩@ 36 GHz的
24
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
16
12
8
4
0
-18
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
功率压缩@ 40 GHz的
24
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
16
12
8
4
0
-18
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
-14
-10
-6
-2
2
6
10
14
-14
-10
-6
-2
2
6
10
14
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
3-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
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传真： 978-250-3373
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HMC-ABH264
v01.0209
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
4.0
4.5
5.0
IDD （MA ）
114
117
120
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ， VDD3 ）
栅极偏置电压（ VGG ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免10.8毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
5.5 V
-1到0.3伏
+10 dBm的
180 °C
1w
93 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
注：放大器将工作在如上图所示的全电压范围。
VGG调整，以达到电流IDD = 120毫安为+ 5V 。
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
3-4
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
标准
GP - 2 （胶装）
[1]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的债券0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC-ABH264
v01.0209
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
PAD说明
盘数
功能
RFIN
RFOUT
描述
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
接口示意图
1
2
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
3, 5
VD2， 1
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.01 μF的电容器。
4, 6
VG2 ， 1
门控制放大器。调整实现120毫安的国际长途。
请遵守“ MMIC放大器偏置程序”
应用笔记。 100 pF的外部旁路电容器
和0.01 F是必需的。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
装配图
3-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
典型应用
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
光纤调制器驱动偏置
CATV激光驱动器偏置
蜂窝基站
无线基础设备
特点
门自动电压调整（无需校准
必需）
电源电压： 4V至12V
数字电压： 3.3V至5V
同时控制增强型和耗尽型
器件
可调漏极电流高达200mA
吸入/源栅电流能力
可选的内部负电压产生的
可以禁止使用外部负电压轨
快速启用/禁用
触发-OUT输出为菊花链上电和
断电排序
13
偏置控制器 - SMT
工作原理图
概述
HMC981是一个有源偏置控制器可以自动
调整外部放大器的栅极电压
实现恒定的偏置电流。它可用于
偏向任何增强和耗尽型放大器
在经营A级与漏极电压政权
4V至12V和漏极电流高达200mA ，提供
完整的偏置方案。
HMC981实现了出色的电源偏置稳定性，
温度和过程变化，并且消除
所需的校准程序通常使用
为了防止由于这样的RF性能下降
的变化。
这里所示的所有数据被取适当的探针。
13 - 1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ， VDIG = 3.3V ，消耗硕士
除非另有说明
参数
电源电压
符号
VDD
VDD = 4V
VDD静态电流
国际直拨电话
VDD = 8V
VDIG静态电流
负电压输出
振荡器频率
参考电压
使能输入阈值
切换输入阈值
短路禁止输入阈值
VDRAIN特点
漏电流调节范围
漏极电流的变化在数字电压
漏电流变化过温
排水范围
VDRAIN更改过温
VNEG特点
负电压输出
VNEG灌电流
VGATE特点
栅电流供应
VGATE低水平
VGATE高层
VG2特点
VG2电流供应
VG2调整范围
VDIG特点
调整范围
VDIG静态电流
软件特性
内部开关电阻
RDS -ON
SW = GND
SW = VDIG
10
5
欧姆
欧姆
VDIG
IDIG
VDD = 8 V ，
VDIG = EN = 3.3 V
3.3
3
5
V
mA
IG2
VG2
VG2<1.5V
VG2>1.5V
-0.1
-1
1
0.1
1
VDD-1.3
mA
mA
V
IG
VG_Min
VG_MaX
-0.8
VNEG
VNEG+4.5
0.8
mA
V
V
VNEG
INEG
VDD = 4V
VDD = 8V
0
0
-2.5
8
15
V
mA
mA
IDRAIN
SW = GND
SW = VDIG
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
4
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
1.5
20
80
0.4
0.02
12
80
200
mA
mA
%/V
%/C
V
%/C
IDIG
VNEG
FOSC
VREF
enthrs
sWthrs
DSCTHRS
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
1.4
1.4
1
1.4
1
EN = VDIG
EN = GND
EN = VDIG
EN = GND
条件
分钟。
4
7
3
7.5
4
3
5
-2.5
300
1.42
1
典型值。
马克斯。
12
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
千赫
V
V
V
V
V
V
V
VDIG = 3.3 V
VDIG = 5 V
13
偏置控制器 - SMT
13 - 2
ΔiDrainV
VDRAIN
ΔVDrain
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
负载调节@ VDD = 6V ， VDIG = 3.3V ，
SW = GND
6.5
负载调节@ VDD = 8V ，
SW=VDIG=3.3V
8.5
6
8
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
5.5
7.5
5
7
4.5
20
30
40
50
IDRAIN （毫安）
60
70
80
6.5
80
100
120
140
IDRAIN （毫安）
160
180
200
13
偏置控制器 - SMT
55
54
IDRAIN与VDIG
[1][2]
VNEG线路调整与电源电压
-2.45
空载条件
+25C
+85C
-55C
-2.47
IDRAIN （毫安）
VNEG （ V）
+25C
+85C
-55C
53
-2.49
52
-2.51
51
-2.53
50
3.3
3.7
4.1
VDIG （ V）
4.5
4.9
-2.55
4
6
8
电源电压（ V）
10
12
VNEG负载调节@ VDD = 4V
-2.3
VNEG负载调节@ VDD = 12V
-2.3
-2.4
-2.4
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-2.5
-2.5
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.7
0
2
4
6
INEG （毫安）
8
10
-2.7
0
4
8
INEG （毫安）
12
16
[1] IDRAIN设为53毫安
[2] HMC465LP5用作外部放大器
13 - 3
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
ENABLE波形
8
6
4
禁用波形
8
6
4
电压（V）的
电压（V）的
2
0
-2
-4
-6
-8
0
2
4
6
时间（ms）
8
10
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
2
0
-2
-4
-6
-8
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
14
16
时间（ms）
18
20
13
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
电压（V）的
电压（V）的
4
2
0
-2
-4
0
10
4
2
0
-2
-4
20
30
时间（ms）
40
50
0
20
40
60
时间（ms）
80
100
VNEG负载瞬态VDD = 4V
-0.8
20
VNEG负载瞬态VDD = 6V
-2.4
-2.425
15
10
5
-1.3
10
-2.45
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-1.8
0
-2.475
-2.5
-2.525
0
-5
-2.3
-10
-10
-15
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-2.8
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-20
-2.55
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2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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13 - 4
偏置控制器 - SMT
上电波形
关断波形
INEG （毫安）
INEG （毫安）
HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
VGATE负载调节@ VDD = 6V
1
0.5
0
VG2负载调节@ VDD = 6V
5
4.5
4
3.5
VGATE （ V）
VG2 （ V）
+25C
+85C
-55C
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-1.25
-1
-0.75 -0.5 -0.25
0
0.25
0.5
0.75
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VG2=0.9V
VG2=1.78V
VG2=2.74V
VG2=3.71V
1
1.25
0
-2
-1.5
-1
-0.5
0
IG2 （毫安）
0.5
1
1.5
2
13
偏置控制器 - SMT
IG （毫安）
13 - 5
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HMC-ABH264
v01.0209
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
典型应用
在HMC - ABh264是理想的：
点至点收音机
特点
高输出IP3 ： 29 dBm的
高的P1dB ： 18 dBm的
高增益： 18.5分贝
偏置电源： + 5V
50欧姆匹配输入/输出
芯片尺寸： 2.4 X 1.64 X 0.1毫米
3
线性&功率放大器 - CHIP
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
在HMC - ABh264是一款高动态范围的GaAs
PHEMT MMIC中功率放大器的名称而经营
34至42千兆赫。在HMC - ABh264提供
18.5分贝增益和18 dBm的1 dB的输出功率
压缩从+ 5V电源。在HMC - ABh264
放大器可以很容易地集成到多芯片级
芯片模块（MCM ） ，由于其体积小。这种紧凑型
中功率放大器芯片提供稳定的输出
功率和在其额定出色的增益平坦度
带宽。所有的数据在本文中被测量的
通过0.025毫米芯片在一个50欧姆测试夹具连接
（ 1密耳），最小长度0.31毫米直径焊线
（12密耳）。
电气电源规格，
T
A
= + 25°C中，V d1 = Vd2的= VDD = 5V ，国际直拨电话
总
= 120毫安*
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
总电源电流（ IDD） （ VDD = 5V ， VGG = -0.45V典型值）。
16.5
16
分钟。
典型值。
34 - 40
18.5
0.018
16
16
18
20.5
29
6.5
120
140
16
16
马克斯。
分钟。
典型值。
40 - 42
18.5
0.022
12
15
17
20.5
27.5
6.5
120
140
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG -2之间为0V ，实现独立同= 120 mA典型。
3 - 154
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ABH264
v01.0209
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
宽带增益&
回波损耗与频率的关系
30
20
响应（ dB）的
10
增益与温度
25
20
增益（dB ）
15
+25C
+85C
-55C
0
-10
-20
-30
32
34
36
S21
S11
S22
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 155
10
5
0
38
40
42
44
32
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
40
42
44
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
32
34
36
38
频率（GHz ）
-25
32
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
输出P1dB为与温度的关系
25
PSAT与温度的关系
25
23
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
+25C
+85C
-55C
23
21
21
19
19
+25C
+85C
-55C
17
17
15
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
15
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
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HMC-ABH264
v01.0209
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
输出IP3与温度的关系
35
33
+25C
+85C
-55C
噪声系数与温度
10
8
噪声系数（dB ）
IP3 （ dBm的）
3
线性&功率放大器 - CHIP
31
29
27
25
23
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
6
4
+25C
+85C
-55C
2
0
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
获得&功率与
电源电压@ 38 GHz的，国际长途= 120毫安
25
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
反向隔离与温度的关系
0
20
隔离度（dB ）
-10
+25C
+85C
-55C
15
增益（ dB）的
P1dB(dBm)
PSAT （ DBM）
-20
10
-30
5
-40
0
4.5
-50
5
Vdd的（V）的
5.5
32
34
36
38
40
42
44
频率（GHz ）
功率压缩@ 36 GHz的
24
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
16
12
8
4
0
-18
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
功率压缩@ 40 GHz的
24
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
16
12
8
4
0
-18
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
-14
-10
-6
-2
2
6
10
14
-14
-10
-6
-2
2
6
10
14
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
3 - 156
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v01.0209
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
4.0
4.5
5.0
IDD （MA ）
114
117
120
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ， VDD3 ）
栅极偏置电压（ VGG ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免10.8毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
5.5 V
-1到0.3伏
+10 dBm的
180 °C
1W
93 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
注：功率放大器ER将工作在如上图所示的全电压范围。
VGG调整，以达到的Idd = 120毫安的+ 5V 。
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 157
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的债券0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
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的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 34 - 42 GHz的
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
RFOUT
描述
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
接口示意图
3
线性&功率放大器 - CHIP
2
3, 5
VD2， 1
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.01 μF的电容器。
4, 6
VG2 ， 1
门控制放大器。调整实现120毫安的独立同。
请遵守“ MMIC放大器偏置程序”
应用笔记。 100 pF的外部旁路电容器
和0.01 F是必需的。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
装配图
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