HM9264B系列
64K的SRAM （ 8千字
×
8-bit)
ADE - 203-618C （ Z）
修订版3.0
1997年11月
描述
日立HM9264B是64K位静态RAM举办8千字
×
8位。它实现了更高的性能
和低功耗1.5
m
CMOS工艺技术。该装置中，封装在450密耳
SOP（脚打印间距宽度），600密耳的塑料DIP ，可用于高密度安装。
特点
高速
快速访问时间： 85/100 NS （最大值）
低功耗
待机： 10
W
（典型值）
操作： 15毫瓦（典型值） （ F = 1兆赫）
5 V单电源
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出
三态输出
直接TTL兼容
所有输入和输出
电池备份操作能力
注： HM9264B系列不能应用于航天，航空，核电厂，主火焰
计算机，医疗生命保障系统，以及汽车发动机控制和工业
机。 （例如，通信集线器，NC等。 ）
订购信息
型号
HM9264BLFP-8L
HM9264BLFP-10L
HM9264BLP-8L
HM9264BLP-10L
存取时间
85纳秒
100纳秒
85纳秒
100纳秒
包
450万， 28引脚塑料SOP （ FP- 28DA ）
600万， 28引脚塑料DIP （ DP- 28 ）
HM9264B系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 5 V
±10%,
V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
当前
符号最小值
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CCDC
—
—
—
—
典型值
*1
最大单位测试条件
—
—
7
30
2
2
15
45
A
A
mA
mA
VIN = V
SS
到V
CC
CS1
= V
IH
或CS2 = V
IL
or
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
CS1
= V
IL
， CS2 = V
IH
, I
I / O
= 0毫安
其他= V
IH
/V
IL
闵周期，占空比= 100 ％ ，
CS1
= V
IL
， CS2 = V
IH
, I
I / O
= 0毫安
其他= V
IH
/V
IL
循环时间= 1
s,
占空比= 100％ ，余
I / O
= 0毫安
CS1
≤
0.2 V ， CS2
≥
V
CC
– 0.2 V,
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IL
≤
0.2 V
CS1
= V
IH
， CS2 = V
IL
CS1
≥
V
CC
- 0.2 V ， CS2
≥
V
CC
- 0.2 V或
0 V
≤
CS2
≤
0.2 V, 0 V
≤
VIN
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
平均工作功率I
CC1
电源电流
I
CC2
—
3
5
mA
备用电源
当前
I
SB
I
SB1
—
—
—
2.4
1
2
—
—
3
50
0.4
—
mA
A
V
V
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
注：1。典型值是在V
CC
= 5.0 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
电容
（ TA = 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容
*1
输入/输出电容
*1
注意：
符号
CIN
C
I / O
民
—
—
典型值
—
—
最大
5
7
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
QQ：2881677436 复制
