HM658512A系列
4米PSRAM （ 512千字
×
8-bit)
2 k刷新
ADE-203-218C(Z)
修订版3.0
1997年11月
描述
日立HM658512A是一个伪CMOS静态RAM举办512千字
×
8位。它实现了更高的
密度，更高的性能和低功耗通过使用0.8微米的Hi- CMOS工艺
技术。
它提供了低功耗数据保持了自刷新模式。它也提供了简单的非复用地址
界面和易于刷新的功能。 HM658512A适合其带电池的工作得心应手系统
备份系统。
该装置被装在一个小的525密耳的SOP （ 460密耳体的SOP ）或8
×
20毫米TSOP厚度
1.2毫米或600密耳的塑料DIP 。制成的带载体封装高密度定制卡也
可用。
特点
采用5 V （ ± 10 ％ ）
高速
存取时间
CE
访问时间： 70/80/100 NS （最大值）
周期
随机读/写周期时间：
115/130/160 NS （分钟）
低功耗
主动： 250毫瓦（典型值）
待机： 200 μW （典型值）
直接TTL兼容
所有输入和输出
简单的地址配置
非复用地址
刷新周期
2048刷新周期： 32毫秒
HM658512A系列
轻松刷新功能
地址刷新
自动刷新
自刷新
订购信息
型号
HM658512ALP-7
HM658512ALP-8
HM658512ALP-10
HM658512ALP-7V
HM658512ALP-8V
HM658512ALP-10V
HM658512ALFP-7
HM658512ALFP-8
HM658512ALFP-10
HM658512ALFP-7V
HM658512ALFP-8V
HM658512ALFP-10V
HM658512ALTT-7
HM658512ALTT-8
HM658512ALTT-10
HM658512ALTT-7V
HM658512ALTT-8V
HM658512ALTT-10V
HM658512ALRR-7
HM658512ALRR-8
HM658512ALRR-10
HM658512ALRR-7V
HM658512ALRR-8V
HM658512ALRR-10V
存取时间
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
400万的32引脚塑料TSOP （ TTP- 32DR ）
400万的32引脚塑料TSOP （ TTP- 32D ）
525万的32引脚塑料SOP （ FP- 32D ）
包
600万的32引脚塑料DIP （ DP- 32 ）
2
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