HM63921系列
2048-word
×
9位CMOS并行输入 - 输出FIFO存储器
该HM63921是先入先出存储器
采用了高性能的静态RAM阵列与
内部算法，其控制，监控和
由空标志宣告内存状态，全
标志和半满标志，以防止数据上溢或
下溢流。
扩展逻辑权证无限扩展
能力的广度和深度。读取和写入
是彼此独立的并且它们的
相应的指针被设计来选择
适当的位置了整个阵列的串联
没有地址信息加载或卸载数据。
数据通过切换在所述设备的进出
利用写使能（
W
）和读使能（
R
)
销。该装置具有一个读/写周期时间
30/35/45纳秒。 HM63921组织提供了一个
9位数据总线。在第九个位可用于
控制或奇偶校验错误检查时的选项
该用户。该HM63921使用所制造的
日立CMOS 1.3微米技术。该装置
在DIP和SOJ可用。
管脚配置
W
D8
D3
D2
D1
D0
XI
FF
Q0
Q1
Q2
Q3
Q8
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
D4
D5
D6
D7
FL / RT
RS
EF
XO / HF
Q7
Q6
Q5
Q4
R
（ TOP VIEW ）
特点
先入先出的双端口存储器
2 k
×
9机构
低功耗CMOS 1.3微米工艺
异步和同步读写
在深度和/或宽度完全可扩展
采用5 V单电源供电
空和满的警告标志
半满标志
访问时间： 22/25/35 NS
包装： 300万28引脚塑料DIP封装
300万28引脚塑料封装SOJ
订购信息
型号名称
HM63921P-20R
存取时间
22纳秒
包
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
300万28针
––––––––––––––––––––––––––––
塑料DIP
HM63921P-25
25纳秒
(DP-28NA)
––––––––––––––––––––––––––––
HM63921P-35
35纳秒
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
300万28针
––––––––––––––––––––––––––––
塑料SOJ
HM63921JP-25
25纳秒
(CP-28DN)
HM63921JP - 20R 22纳秒
––––––––––––––––––––––––––––
HM63921JP-35
35纳秒
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
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HM63921系列
2048-word
×
9位CMOS并行输入 - 输出FIFO存储器
该HM63921是先入先出存储器
采用了高性能的静态RAM阵列与
内部算法，其控制，监控和
由空标志宣告内存状态，全
标志和半满标志，以防止数据上溢或
下溢流。
扩展逻辑权证无限扩展
能力的广度和深度。读取和写入
是彼此独立的并且它们的
相应的指针被设计来选择
适当的位置了整个阵列的串联
没有地址信息加载或卸载数据。
数据通过切换在所述设备的进出
利用写使能（
W
）和读使能（
R
)
销。该装置具有一个读/写周期时间
30/35/45纳秒。 HM63921组织提供了一个
9位数据总线。在第九个位可用于
控制或奇偶校验错误检查时的选项
该用户。该HM63921使用所制造的
日立CMOS 1.3微米技术。该装置
在DIP和SOJ可用。
管脚配置
W
D8
D3
D2
D1
D0
XI
FF
Q0
Q1
Q2
Q3
Q8
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SS
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CC
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D5
D6
D7
FL / RT
RS
EF
XO / HF
Q7
Q6
Q5
Q4
R
（ TOP VIEW ）
特点
先入先出的双端口存储器
2 k
×
9机构
低功耗CMOS 1.3微米工艺
异步和同步读写
在深度和/或宽度完全可扩展
采用5 V单电源供电
空和满的警告标志
半满标志
访问时间： 22/25/35 NS
包装： 300万28引脚塑料DIP封装
300万28引脚塑料封装SOJ
订购信息
型号名称
HM63921P-20R
存取时间
22纳秒
包
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300万28针
––––––––––––––––––––––––––––
塑料DIP
HM63921P-25
25纳秒
(DP-28NA)
––––––––––––––––––––––––––––
HM63921P-35
35纳秒
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
300万28针
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塑料SOJ
HM63921JP-25
25纳秒
(CP-28DN)
HM63921JP - 20R 22纳秒
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HM63921JP-35
35纳秒
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