【HM62W9127HB系列1M的高速SRAM （ 128千字×9-bit)ADE - 203-792】,IC型号HM62W9127HBLJP-30,HM62W9127HBLJP-30 PDF资料,HM62W9127HBLJP-30经销商,ic,电子元器件-51电子网

HM62W9127HB系列

1M的高速SRAM （ 128千字

9-bit)

ADE - 203-792A （ Z）

初步

修订版0.1

1997年11月

描述

该HM62W9127HB是一种异步3.3 V工作电压高速静态组织结构131072- RAM

字

9位。它实现高速存取时间（ 25/30 NS）与采用0.8

收缩CMOS工艺

高速电路设计技术。它最适合于要求高的应用

高速，高密度存储器和宽位宽度配置，如高速缓存和缓冲存储器中的系统。

该HM62W9127HB打包在400密耳的36引脚SOJ为高密度的表面安装。

特点

3.3 V单电源： 3.3 V

0.3 V

访问时间25/30 NS （最大值）

完全静态存储器

无需时钟或定时选通

平等的机会和周期时间

直接TTL兼容

所有输入和输出

400万的36引脚封装SOJ

中心V

和V

引出线类型

订购信息

型号

HM62W9127HBJP-25

HM62W9127HBJP-30

HM62W9127HBLJP-25

HM62W9127HBLJP-30

存取时间

25纳秒

30纳秒

25纳秒

30纳秒

包

400万36引脚塑料SOJ （ CP- 36D ）

HM62W9127HB系列

管脚配置

HM62W9127HBJP / LJP系列

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

A16

A15

A14

A13

I/O9

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

A10

A11

A12

（ TOP VIEW ）

引脚说明

引脚名称

A0到A16

I / O1到I / O9

功能

地址输入

数据输入/输出

芯片选择

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

HM62W9127HB系列

框图

（ LSB ）

（MSB）

ROW

解码器

存储矩阵

256行

512列

9位

（ 1,179,648位）

I/O1

I/O9

列I / O

输入

数据

控制

列解码器

（ LSB ） A13 A12 A11 A14 A15 A16 A10 A9 A8 （ MSB ）

功能表

注意：

×:

H或L

模式

待机

输出禁用

读

写

当前

, I

SB1

I / O

高-Z

DOUT

DIN

参考文献。周期

—

读周期（ 1 ）至（ 3 ）

写周期（ 1）

写周期（ 2）

HM62W9127HB系列

绝对最大额定值

参数

电源电压相对于V

任何引脚相对于V电压

功耗

工作温度

储存温度

在偏置存储温度

符号

TOPR

TSTG

Tbias

价值

-0.5到+4.6

–0.5*

到V

+0.5*

1.0

0至+70

-55到+125

-10至+85

单位

°C

注意事项： 1， V

脉冲宽度分钟= -2.5 V（下拍摄）

≤

10纳秒

2.最大电压： 4.6V。

建议的直流工作条件

（大= 0至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

输入电压

民

3.0

2.0

–0.3*

典型值

3.3

—

最大

3.6

+ 0.3

0.8

单位

注意事项： 1， V

脉冲宽度分钟= -2.0 V （下拍摄）

≤

10纳秒

2.所有V电源电压

销必须在同一水平上。

3.与所有V电源电压

销必须在同一水平上。

HM62W9127HB系列

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 3.3 V

0.3 V, V

= 0V)

参数

输入漏电流

输出漏电流

操作电源

电源电流

符号最小值

25 ns的周期我

30 ns的周期我

备用电源

当前

25 ns的周期我

30 ns的周期我

SB1

—

典型*

—

最大

≥

- 0.2 V,

(1) 0 V

≤

VIN

≤

0.2 V或

(2) V

≥

VIN

≥

- 0.2 V

= V

其它输入= V

单位

测试条件

VIN = V

到V

VIN = V

到V

= V

，糊涂人= 0毫安

其它输入= V

—*

输出电压

—

—*

—

0.15*

0.2

0.4

—

- 0.1毫安

= 2毫安

= -0.1毫安

= -2毫安

– 0.2 —

2.4

—

注：1。典型值是在V

= 3.3 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。

2.该特征仅在L-版本保证。

电容

（ TA = + 25 ° C，F = 1.0兆赫）

参数

输入电容*

输入/输出电容*

注意：

符号

CIN

I / O

民

—

典型值

—

最大

单位

测试条件

VIN = 0 V

I / O

= 0 V

1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

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