我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
HM62W8512B系列
的4M SRAM （ 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-904F （ Z）
修订版5.0
2000年3月15日
描述
日立HM62W8512B是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。它实现了更高的密度，
更高的性能和低功耗通过采用0.35
m
HI- CMOS工艺技术。该
设备，封装在一个525密耳的SOP （脚打印间距宽度）或400密耳的TSOP II型可用于高
密度安装。该HM62W8512B适合电池备份系统。
特点
3.3 V单电源： 3.3 V
±
0.3 V
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗
主动： 16.5毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 3.3
W
（典型值）
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出：三态输出
直接LV- TTL兼容：所有输入和输出
电池备份操作
HM62W8512B系列
订购信息
型号
HM62W8512BLFP-5
HM62W8512BLFP-7
存取时间
55纳秒
70纳秒
包
525万的32引脚塑料SOP （ FP- 32D ）
HM62W8512BLFP - 5SL 55纳秒
HM62W8512BLFP - 7SL 70纳秒
HM62W8512BLFP - 5ul的55纳秒
HM62W8512BLFP - 7UL 70纳秒
HM62W8512BLTT-5
HM62W8512BLTT-7
HM62W8512BLTT-5SL
HM62W8512BLTT-7SL
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II （ TTP - 32D ）
HM62W8512BLTT - 5ul的55纳秒
HM62W8512BLTT - 7UL 70纳秒
HM62W8512BLRR-5
HM62W8512BLRR-7
55纳秒
70纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II反向（ TTP- 32DR ）
HM62W8512BLRR - 5SL 55纳秒
HM62W8512BLRR - 7SL 70纳秒
HM62W8512BLRR - 5ul的55纳秒
HM62W8512BLRR - 7UL 70纳秒
2
HM62W8512B系列
的4M SRAM （ 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-904E （ Z）
修订版4.0
1999年10月20日
描述
日立HM62W8512B是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。它实现了更高的密度，
更高的性能和低功耗采用0.35 μ米的Hi- CMOS工艺技术。该
设备，封装在一个525密耳的SOP （脚打印间距宽度）或400密耳的TSOP II型可用于高
密度安装。该HM62W8512B适合电池备份系统。
特点
3.3 V单电源： 3.3 V± 0.3 V
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗
主动： 16.5毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 3.3 μW （典型值）
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出：三态输出
直接LV- TTL兼容：所有输入和输出
电池备份操作
HM62W8512B系列
订购信息
型号
HM62W8512BLFP-5
HM62W8512BLFP-7
存取时间
55纳秒
70纳秒
包
525万的32引脚塑料SOP （ FP- 32D ）
HM62W8512BLFP - 5SL 55纳秒
HM62W8512BLFP - 7SL 70纳秒
HM62W8512BLFP - 5ul的55纳秒
HM62W8512BLFP - 7UL 70纳秒
HM62W8512BLTT-5
HM62W8512BLTT-7
HM62W8512BLTT-5SL
HM62W8512BLTT-7SL
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II （ TTP - 32D ）
HM62W8512BLTT - 5ul的55纳秒
HM62W8512BLTT - 7UL 70纳秒
HM62W8512BLRR-5
HM62W8512BLRR-7
55纳秒
70纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II反向（ TTP- 32DR ）
HM62W8512BLRR - 5SL 55纳秒
HM62W8512BLRR - 7SL 70纳秒
HM62W8512BLRR - 5ul的55纳秒
HM62W8512BLRR - 7UL 70纳秒
2
HM62W8512B系列
框图
A18
A16
A1
A0
A2
A12
A14
A3
A7
A6
ROW
解码器
存储矩阵
1,024
×
4,096
V
CC
V
SS
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
A13 A17A15 A8 A9 A11A10 A4 A5
CS
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4
QQ：2880707522 复制
