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HM62W8511H系列
4M高速SRAM （ 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-750D （ Z）
1.0版
1998年9月15日
描述
该HM62W8511H是4兆高速静态RAM举办512千字
×
8位。它实现了高
通过采用CMOS工艺（ 4-晶体管+2 - 聚电阻存储单元）和高速高速存取时间
电路设计技术。它最适合于需要高速的应用中，高
密度存储器和宽位宽度配置，例如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该
HM62W8511H打包在400密耳的36引脚SOJ为高密度的表面安装。
特点
单电源： 3.3 V
±
0.3 V
访问时间12/15 NS （最大值）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流： 130分之150毫安（最大）
TTL待机电流： 60/50毫安（最大）
CMOS待机电流5mA （最大）
为1mA （最大值） （L-版本）
数据重新拉紧电流： 0.6毫安（最大值） （L-版本）
数据重新拉紧电压： 2V（分钟） （L-版本）
中心V
CC
和V
SS
引出线类型
HM62W8511H系列
订购信息
型号
HM62W8511HJP-12
HM62W8511HJP-15
HM62W8511HLJP-12
HM62W8511HLJP-15
存取时间
12纳秒
15纳秒
12纳秒
15纳秒
包
400万36引脚塑料SOJ （ CP- 36D ）
管脚配置
HM62W8511HJP / HLJP系列
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O1
I/O2
V
CC
V
SS
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
（ TOP VIEW ）
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
V
SS
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
2
HM62W8511H系列
引脚说明
引脚名称
A0到A18
I / O1到I / O8
CS
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
框图
（ LSB ）
A1
A17
A7
A11
A16
A2
A6
A5
（MSB）
V
CC
ROW
解码器
存储矩阵
256行
×
8列
×
256块
×
8位
（ 4,194,304位）
V
SS
CS
I/O1
.
.
.
I/O8
列I / O
输入
数据
控制
列解码器
CS
WE
CS
A10 A8 A9 A12 A13 A14 A0 A18 A15 A3 A4
（ LSB ）
（MSB）
OE
CS
3
HM62W8511H系列
手术床
CS
H
L
L
L
L
注意：
OE
×
H
L
H
L
×:
H或L
WE
×
H
H
L
L
模式
待机
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
—
—
读周期（ 1 ）至（ 3 ）
写周期（ 1）
写周期（ 2）
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
工作温度
储存温度
在偏置存储温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+4.6
–0.5*
1
到V
CC
+0.5*
2
1.0
0至+70
-55到+125
-10至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注意事项： 1， V
T
（分钟）= -2.0 V脉冲宽度（下拍摄）
≤
8纳秒
2. V
T
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（超调） ≤ 8纳秒
建议的直流工作条件
（大= 0至+ 70 ° C）
参数
电源电压
符号
V
CC
*
3
V
SS
*
4
输入电压
V
IH
V
IL
注：1 。
2.
3.
4.
民
3.0
0
2.2
–0.5*
1
典型值
3.3
0
—
—
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.5*
2
0.8
单位
V
V
V
V
V
IL
（分钟）= -2.0 V脉冲宽度（下拍摄）
≤
8纳秒
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（超调） ≤ 8纳秒
与所有V电源电压
CC
销必须在同一水平上。
与所有V电源电压
SS
销必须在同一水平上。
4
HM62W8511H系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
操作电源
电源电流
符号最小值
II
LI
I
II
LO
I
12 ns的周期我
CC
—
—
—
典型*
1
—
—
—
最大
2
2
150
单位
A
A
mA
测试条件
VIN = V
SS
到V
CC
VIN = V
SS
到V
CC
闵周期
CS
= V
IL
，糊涂人= 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
15 ns的周期我
CC
备用电源
当前
12 ns的周期我
SB
—
—
—
—
130
60
mA
闵周期
CS
= V
IH
,
其它输入= V
IH
/V
IL
15 ns的周期我
SB
I
SB1
—
—
—
0.05
50
5
mA
F = 0兆赫
V
CC
≥
CS
≥
V
CC
- 0.2 V,
(1) 0 V
≤
VIN
≤
0.2 V或
(2) V
CC
≥
VIN
≥
V
CC
- 0.2 V
—*
2
输出电压
V
OL
V
OH
—
2.4
0.05*
2
—
—
1.0*
2
0.4
—
V
V
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4毫安
注：1。典型值是在V
CC
= 3.3 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
2.该特征仅在L-版本保证。
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容*
1
输入/输出电容*
1
注意：
符号
CIN
C
I / O
民
—
—
典型值
—
—
最大
6
8
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5
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