HM62W256系列
256千SRAM （ 32千字
×
8-bit)
ADE - 203-084H （ Z）
修订版8.0
1997年11月
特点
低电压操作的SRAM
工作电源电压： 3.0 V至3.6 V
0.8
m
HI- CMOS工艺
高速
访问时间： 55/70/85 NS （最大值）
低功耗
待机： 0.33
W
（典型值）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
直接LVTTL兼容：所有输入和输出
订购信息
型号
HM62W256LFP-7T
HM62W256LFP-5SLT
HM62W256LFP-7SLT
HM62W256LFP-8SLT
HM62W256LFP-7ULT
HM62W256LT-7
HM62W256LT-7SL
HM62W256LT-8SL
HM62W256LTM-7
HM62W256LTM-5SL
HM62W256LTM-7SL
HM62W256LTM-8SL
HM62W256LTM-7UL
存取时间
70纳秒
55纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
8 mm
×
13.4毫米28引脚TSOP （普通型） （ TFP - 28DA ）
8 mm
×
14毫米32引脚TSOP （普通型） （ TFP - 32DA ）
包
450万28引脚塑料SOP （ FP- 28DA ）
HM62W256系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
（DC）的
符号最小值
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CCDC1
I
CCDC2
平均
工作电源
电源电流
HM62W256-5
I
CCAC1
—
—
—
—
—
典型值
*1
—
—
—
—
—
最大
1
1
15
10
30
单位
A
A
mA
mA
mA
测试条件
V
SS
≤
VIN
≤
V
CC
CS
= V
IH
or
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
, V
SS
≤
V
I / O
≤
V
CC
CS
= V
IL
,
其他= V
IH
/
V
IL
I
I / O
= 0毫安
CS
≤
0.2 V, V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V,
V
IL
≤
0.2 V，I
I / O
= 0毫安
分周期，占空比= 100 ％ ，
CS
= V
IL
，其他= V
IH
/V
IL
I
I / O
=
0毫安
HM62W256-7
HM62W256-8
I
CCAC1
I
CCAC1
I
CCAC2
—
—
—
—
—
—
30
27
15
mA
周期
≥
1
s,
占空比= 100 ％
I
I / O
= 0 mA时，
CS
≤
0.2 V,
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IL
≤
0.2 V
CS
= V
IH
VIN
≥
0 V,
CS
≥
V
CC
– 0.2 V,
待机电源电流
I
SB
I
SB1
—
—
—
—
0.1
0.1
0.1
0.1
—
—
1
50
10
*2
5
*3
0.4
0.2
—
—
mA
A
输出低电压
V
OL
—
—
V
V
V
V
I
OL
= 2.0毫安
I
OL
= 100
A
I
OH
= –100
A
I
OH
= -2.0毫安
输出高电压
V
OH
V
CC
– 0.2 —
2.4
—
注：1。典型值是在V
CC
= 3.3 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
2.这种特征仅对于L -SL版本保证。
3.本特性仅对于L -UL版本保证。
电容
（ TA = 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容
*1
输入/输出电容
*1
注意：
符号
CIN
C
I / O
民
—
—
典型值
—
—
最大
5
8
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5
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