HM62W1664HB系列
1M的高速SRAM （ 64千字
×
16-bit)
ADE - 203-415B （ Z）
修订版2.0
1997年11月
描述
该HM62W1664HB组织为64千字异步高速静态RAM
×
16位。它实现
高速存取时间（ 25/30 NS）与采用0.8
m
CMOS工艺和高速电路的设计
技术。它最适合于需要高速，高密度存储器和应用程序
宽位宽度配置，例如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该HM62W1664HB是
打包400万44引脚SOJ高密度表面安装。
特点
3.3 V单电源（ 3.3 V
±
0.3V)
访问时间： 25/30 NS （最大值）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接LV- TTL兼容
所有输入和输出
400万44引脚封装SOJ
中心V
CC
和V
SS
引出线类型
订购信息
型号
HM62W1664HBJP-25
HM62W1664HBJP-30
HM62W1664HBLJP-25
HM62W1664HBLJP-30
存取时间
25纳秒
30纳秒
25纳秒
30纳秒
包
400万44引脚塑料SOJ （ CP- 44D ）
HM62W1664HB系列
框图
（ LSB ）
A3
A2
A1
A0
A7
A6
A5
A4
（MSB）
V
CC
ROW
解码器
存储矩阵
256行
×
256列
×
16位
（ 1,048,576位）
V
SS
CS
I/O1
.
.
.
I/O8
I/O9
.
.
.
I/O16
WE
CS
LB
UB
列I / O
输入
数据
控制
列解码器
CS
（ LSB ） A12 A11 A10 A15 A14 A13 A9 A8 （ MSB ）
OE
CS
功能表
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
注意：
OE
×
H
L
L
L
L
×
×
×
×
WE
×
H
H
H
H
H
L
L
L
L
×:
H或L
LB
×
×
L
L
H
H
L
L
H
H
UB
×
×
L
H
L
H
L
H
L
H
模式
待机
输出禁用
读
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I/O1–I/O8
高-Z
高-Z
产量
产量
高-Z
高-Z
输入
输入
高-Z
高-Z
I/O9–I/O16
高-Z
高-Z
产量
高-Z
产量
高-Z
输入
高-Z
输入
高-Z
参考文献。周期
—
—
读周期
读周期
读周期
—
写周期
写周期
写周期
—
低字节读取I
CC
高字节读取I
CC
—
写
I
CC
I
CC
低字节写入I
CC
高字节的写入I
CC
—
I
CC
3
HM62W1664HB系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏
目前*
1
工作电源
电源电流
符号最小值
|I
LI
|
|I
LO
|
25 ns的周期我
CC
30 ns的周期我
CC
备用电源
当前
25 ns的周期我
SB
30 ns的周期我
SB
I
SB1
—
—
—
—
—
—
—
典型*
1
—
—
—
—
—
—
—
最大
2
2
100
90
40
35
1
mA
V
CC
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V,
(1) 0 V
≤
VIN
≤
0.2 V或
(2) V
CC
≥
VIN
≥
V
CC
– 0.2 V
mA
CS
= V
IH
,
其它输入= V
IH
/V
IL
单位测试条件
A
A
mA
VIN = V
SS
到V
CC
VIN = V
SS
到V
CC
CS
= V
IL
， IOUT = 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
—*
2
输出电压
V
OL
—
—
V
OH
注意：
—*
2
—
—
0.15*
2
0.2
0.4
—
—
V
V
V
V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2毫安
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -2毫安
V
CC
– 0.2 —
2.4
—
1.典型值是在V
CC
= 3.3 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
2.该特征仅在L-版本保证。
电容
（ TA = 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容*
1
输入/输出电容*
1
注意：
符号
CIN
C
I / O
民
—
—
典型值
—
—
最大
6
8
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5
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