【HM62W16258B系列的4M SRAM （ 256千字×16-bit)ADE - 203-976】,IC型号HM62W16258BLTT-5,HM62W16258BLTT-5 PDF资料,HM62W16258BLTT-5经销商,ic,电子元器件-51电子网

HM62W16258B系列

的4M SRAM （ 256千字

16-bit)

ADE - 203-976B （ Z）

修订版2.0

1999年10月14日

描述

日立HM62W16258B系列是4兆位静态RAM举办的262,144字

16位。 HM62W16258B

系列已经通过使用高保真的CMOS实现更高密度，更高的性能和低功耗

工艺技术。它提供了低功耗待机功耗;因此，它适合于备用电池

系统。它被封装在标准的44引脚塑料TSOPII 。

特点

3.3 V单电源： 3.3 V± 0.3 V

快速存取时间： 55纳秒/ 70纳秒（最大）

功耗：

主动： 9.9毫瓦（典型值）

待机： 3.3 μW （典型值）

完全静态存储器。

无需时钟或定时选通

平等的机会和周期时间

常见的数据输入和输出。

三态输出

电池备份操作。

HM62W16258B系列

订购信息

型号

HM62W16258BLTT-5

HM62W16258BLTT-7

HM62W16258BLTT-5SL

HM62W16258BLTT-7SL

存取时间

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

包

400万44引脚塑料TSOPII （正常弯曲型）（ TTP-提供44dB ）

HM62W16258B系列

管脚配置

44针TSOP

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

A17

A16

A15

A14

A13

（ TOP VIEW ）

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

A10

A11

A12

引脚说明

引脚名称

A0到A17

I / O0至I / O15

功能

地址输入

数据输入/输出

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

低字节选择

高字节选择

电源

地

无连接

HM62W16258B系列

框图

最低位

A15

A14

A16

A17

A13

ROW

解码器

存储矩阵

2,048 x 2,048

最高位

I/O0

输入

数据

控制

I/O15

列I / O

列解码器

LSB A7 A6A5 A8 A9A10A11

A12MSB

控制逻辑

HM62W16258B系列

手术床

I / O0至I / O7

高-Z

DOUT

高-Z

DIN

高-Z

的I / O8到I / O15

高-Z

DOUT

高-Z

DOUT

DIN

高-Z

DIN

高-Z

手术

待机

读

低字节读

高字节读

写

低字节写入

高字节写

输出禁用

注： H： V

， L： V

×:

或V

绝对最大额定值

参数

电源电压相到V

任何引脚相对于V端子电压

功耗

存储温度范围

下偏置存储温度范围

符号

TSTG

Tbias

价值

-0.5 + 4.6

–0.5*

到V

+ 0.3*

1.0

-55到+125

-10至+85

单位

°C

注意事项： 1， V

分： -3.0 V脉冲半宽度

≤

30纳秒。

2.最大电压为4.6 V.

直流工作条件

参数

电源电压

符号

输入高电压

输入低电压

环境温度范围

注意：

民

3.0

2.0

–0.3

典型值

3.3

—

最大

3.6

+ 0.3

0.8

单位

°C

记

1. V

分： -3.0 V脉冲半宽度

≤

30纳秒。

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如日立的变化

电气与日立XX ，瑞萨科技公司

三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌

名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨

科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和

企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且

这些变化不构成任何改动文件本身的内容。

瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

注意事项

保持安全第一在你的电路设计！

1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好

和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦

半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的

例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施

（三）预防对任何故障或事故。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择

科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何

在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技

公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并

受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或

其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司

或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息

在购买之前，这里所列的产品。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任

从这些不准确或错误上升。

另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息

意味着，包括瑞萨科技半导体首页

（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技

公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任

此处包含的信息。

5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用

或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系

瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时

系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现

全部或部分这些物料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家

超过批准的目的地。

任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例

被禁止的目的国。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息

包含在其中。

HM62W16258B系列

的4M SRAM （ 256千字

16-bit)

ADE - 203-976B （ Z）

修订版2.0

1999年10月14日

描述

日立HM62W16258B系列是4兆位静态RAM举办的262,144字

16位。 HM62W16258B

系列已经通过使用高保真的CMOS实现更高密度，更高的性能和低功耗

工艺技术。它提供了低功耗待机功耗;因此，它适合于备用电池

系统。它被封装在标准的44引脚塑料TSOPII 。

特点

3.3 V单电源： 3.3 V

0.3 V

快速存取时间： 55纳秒/ 70纳秒（最大）

功耗：

主动： 9.9毫瓦（典型值）

待机： 3.3

（典型值）

完全静态存储器。

无需时钟或定时选通

平等的机会和周期时间

常见的数据输入和输出。

三态输出

电池备份操作。

HM62W16258B系列

订购信息

型号

HM62W16258BLTT-5

HM62W16258BLTT-7

HM62W16258BLTT-5SL

HM62W16258BLTT-7SL

存取时间

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

包

400万44引脚塑料TSOPII （正常弯曲型）（ TTP-提供44dB ）

HM62W16258B系列

管脚配置

44针TSOP

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

A17

A16

A15

A14

A13

（ TOP VIEW ）

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

A10

A11

A12

引脚说明

引脚名称

A0到A17

I / O0至I / O15

功能

地址输入

数据输入/输出

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

低字节选择

高字节选择

电源

地

无连接