HM62W16255H系列
4M高速SRAM （ 256千字
×
16-bit)
ADE - 203-751D （ Z）
1.0版
1998年9月15日
描述
该HM62W16255H是4兆高速静态RAM举办256千字
×
16位。它实现了高
通过采用CMOS工艺（ 4-晶体管+2 - 聚电阻存储单元）和高速高速存取时间
电路设计技术。它最适合于需要高速的应用中，高
密度存储器和宽位宽度配置，例如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该
HM62W16255H被打包在400密耳的44引脚SOJ和400万44引脚塑料TSOPII高密度
表面安装。
特点
3.3 V单电源： 3.3 V
±
0.3V
访问时间： 12/15 NS （最大值）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流：一百六十〇分之一百八十○毫安（最大）
TTL待机电流： 60/50毫安（最大）
CMOS待机电流5mA （最大）
： 1毫安（最大值） （L-版本）
数据重新拉紧电流： 0.6毫安（最大值） （L-版本）
数据卷紧电压： 2.0 V（分钟） （L -版）
中心V
CC
和V
SS
引出线类型
HM62W16255H系列
订购信息
型号
HM62W16255HJP-12
HM62W16255HJP-15
HM62W16255HLJP-12
HM62W16255HLJP-15
HM62W16255HTT-12
HM62W16255HTT-15
HM62W16255HLTT-12
HM62W16255HLTT-15
存取时间
12纳秒
15纳秒
12纳秒
15纳秒
12纳秒
15纳秒
12纳秒
15纳秒
400万44引脚塑料SOJ （ TTP- 44DE ）
包
400万44引脚塑料SOJ （ CP- 44D ）
管脚配置
HM62W16255HJP / HLJP系列
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A14
A13
A12
A11
A10
HM62W16255HTT / HLTT系列
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A14
A13
A12
A11
A10
（ TOP VIEW ）
（ TOP VIEW ）
2
HM62W16255H系列
引脚说明
引脚名称
A0到A17
I / O1到I / O16
CS
OE
WE
UB
LB
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
高字节选择
低字节选择
电源
地
无连接
框图
A1
A17
A7
A11
A16
A2
A6
A5
（MSB）
（ LSB ）
V
CC
ROW
解码器
存储矩阵
256行
×
8列
×
128块
×
16位
（ 4,194,304位）
V
SS
CS
I/O1
.
.
.
I/O8
I/O9
.
.
.
I/O16
WE
CS
LB
UB
列I / O
输入
数据
控制
列解码器
CS
A10 A8 A9 A12 A13 A14 A0 A15 A3 A4
OE
CS
3
HM62W16255H系列
建议的直流工作条件
（大= 0至+ 70 ° C）
参数
电源电压
符号
V
CC
*
3
V
SS
*
4
输入电压
V
IH
V
IL
注：1 。
2.
3.
4.
民
3.0
0
2.2
–0.5*
1
典型值
3.3
0
—
—
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.5*
2
0.8
单位
V
V
V
V
V
IL
（分钟）= -2.0 V脉冲宽度（下拍摄）
≤
8纳秒
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）
≤
8纳秒
与所有V电源电压
CC
销必须在同一水平上。
与所有V电源电压
SS
销必须在同一水平上。
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏
目前*
1
工作电源
电源电流
符号最小值
|I
LI
|
|I
LO
|
12 ns的周期我
CC
—
—
—
典型*
1
—
—
—
最大
2
2
180
单位测试条件
A
A
mA
VIN = V
SS
到V
CC
VIN = V
SS
到V
CC
闵周期
CS
= V
IL
， IOUT = 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
闵周期，
CS
= V
IH
,
其它输入= V
IH
/V
IL
15 ns的周期我
CC
备用电源
当前
12 ns的周期我
SB
15 ns的周期我
SB
I
SB1
—
—
—
—
—
—
—
0.05
160
60
50
5
mA
F = 0兆赫
V
CC
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V,
(1) 0 V
≤
VIN
≤
0.2 V或
(2) V
CC
≥
VIN
≥
V
CC
– 0.2 V
mA
—*
2
输出电压
V
OL
V
OH
注意：
—
2.4
0.05*
2
—
—
1.0*
2
0.4
—
V
V
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4毫安
1.典型值是在V
CC
= 3.3 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
2.该特征仅在L-版本保证。
5
QQ：2881677436 复制
