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HM62V8512B系列
的4M SRAM ( 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-905G ( Z)
修订版6.0
2000年3月31日
描述
日立HM62V8512B是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。它实现了更高的密度,
更高的性能和低功耗通过采用0.35
m
HI- CMOS工艺技术。该
设备,封装在一个525密耳的SOP (脚打印间距宽度)或400密耳的TSOP II型可用于高
密度安装。该HM62V8512B适合电池备份系统。
特点
单3.0 V电源: 2.7 V至3.6 V
访问时间:八十五分之七十零NS (最大值)
功耗
主动: 15毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 3
W
(典型值)
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出:三态输出
直接LV- TTL兼容:所有输入
电池备份操作
HM62V8512B系列
订购信息
型号
HM62V8512BLFP-7
HM62V8512BLFP-8
HM62V8512BLFP-7SL
HM62V8512BLFP-8SL
HM62V8512BLFP-7UL
HM62V8512BLFP-8UL
HM62V8512BLTT-7
HM62V8512BLTT-8
HM62V8512BLTT-7SL
HM62V8512BLTT-8SL
HM62V8512BLTT-7UL
HM62V8512BLTT-8UL
HM62V8512BLRR-7
HM62V8512BLRR-8
HM62V8512BLRR-7SL
HM62V8512BLRR-8SL
HM62V8512BLRR-7UL
HM62V8512BLRR-8UL
存取时间
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II反向( TTP- 32DR )
400万的32引脚塑料TSOP II ( TTP - 32D )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
2
HM62V8512B系列
管脚配置
HM62V8512BLFP系列
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
( TOP VIEW )
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
( TOP VIEW )
HM62V8512BLRR系列
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
( TOP VIEW )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
HM62V8512BLTT系列
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
引脚名称
A0到A18
I / O0至I / O7
CS
OE
WE
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
3
HM62V8512B系列
框图
A18
A16
A1
A0
A2
A12
A14
A3
A7
A6
ROW
解码器
存储矩阵
1,024
×
4,096
V
CC
V
SS
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
A13 A17A15 A8 A9 A11A10 A4 A5
CS
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4
HM62V8512B系列
功能表
WE
×
H
H
L
L
CS
H
L
L
L
L
OE
×
H
L
H
L
模式
未选择
输出禁用
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
DOUT引脚
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
读周期
写周期( 1)
写周期( 2)
注意:
×:
H或L
绝对最大额定值
参数
电源电压
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
工作温度
储存温度
在偏置存储温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+4.6
–0.5*
1
到V
CC
+ 0.5*
2
1.0
-20至+70
-55到+125
-20至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注意事项: 1, -3.0 V脉冲半宽度
30纳秒
2.最大电压为4.6 V
建议的直流工作条件
(大= -20 + 70 ° C)
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
注意:
V
IH
V
IL
2.7
0
2.0
–0.3*
1
典型值
3.0
0
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
1. -3.0 V脉冲半宽度
30纳秒
5
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