HM62V256系列
256千SRAM （ 32千字
×
8-bit)
ADE - 203-136F （ Z）
修订版6.0
1997年11月
特点
低电压操作的SRAM
工作电源电压： 2.7 V至3.6 V
0.8
m
HI- CMOS工艺
高速
访问时间： 70/85/100 NS （最大值）
低功耗
待机： 0.15
W
（典型值）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
直接LVTTL兼容：所有输入和输出
订购信息
型号
HM62V256LFP-10T
HM62V256LFP-7SLT
HM62V256LFP-10SLT
HM62V256LFP-8ULT
HM62V256LT-10
HM62V256LT-8SL
HM62V256LTM-10
HM62V256LTM-7SL
HM62V256LTM-10SL
HM62V256LTM-8UL
存取时间
100纳秒
70纳秒
100纳秒
85纳秒
100纳秒
85纳秒
100纳秒
70纳秒
100纳秒
85纳秒
8 mm
×
13.4毫米28引脚TSOP （普通型） （ TFP - 28DA ）
8 mm
×
14毫米32引脚TSOP （普通型） （ TFP - 32DA ）
包
450万280引脚塑料SOP （ FP- 28DA ）
HM62V256系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 2.7 V至3.6V ，V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
（DC）的
符号最小值
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CCDC1
I
CCDC2
平均
工作电源
电源电流
HM62V256-7
I
CCAC1
—
—
—
—
—
典型值
*1
—
—
—
—
—
最大
1
1
15
10
30
单位
A
A
mA
mA
mA
测试条件
V
SS
≤
VIN
≤
V
CC
CS
= V
IH
or
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
,
V
SS
≤
V
I / O
≤
V
CC
CS
= V
IL
,
其他= V
IH
/
V
IL
I
I / O
= 0毫安
CS
≤
0.2 V, V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V,
V
IL
≤
0.2 V，I
I / O
= 0毫安
分周期，占空比= 100 ％ ，
I
I / O
=
0毫安
CS
= V
IL
,
其他= V
IH
/
V
IL
HM62V256-8
I
CCAC1
—
—
—
—
—
—
27
24
15
mA
周期
≥
1
s,
占空比= 100 ％
I
I / O
= 0 mA时，
CS
≤
0.2 V,
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IL
≤
0.2 V
CS
= V
IH
VIN
≥
0 V,
CS
≥
V
CC
– 0.2 V,
HM62V256-10我
CCAC1
I
CCAC2
待机电源电流
I
SB
I
SB1
—
—
—
—
0.1
0.05
0.05
0.05
—
1
50
10
*2
4
*3
0.2
—
mA
A
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
—
V
V
I
OL
= 20
A
I
OH
= –20
A
V
CC
– 0.2 —
注：1。典型值是在V
CC
= 3.0 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
2.这种特征仅对于L -SL版本保证。
3.本特性仅对于L -UL版本保证。
电容
（ TA = 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容
*1
输入/输出电容
*1
注意：
符号
CIN
C
I / O
民
—
—
典型值
—
—
最大
5
8
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5
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