【HM62V16258B系列的4M SRAM （ 256千字×16-bit)ADE - 203-975】,IC型号HM62V16258BLTT-8,HM62V16258BLTT-8 PDF资料,HM62V16258BLTT-8经销商,ic,电子元器件-51电子网

HM62V16258B系列

的4M SRAM （ 256千字

16-bit)

ADE - 203-975B （ Z）

修订版2.0

1999年10月14日

描述

日立HM62V16258B系列是4兆位静态RAM举办的262,144字

16位。 HM62V16258B

系列已经通过使用高保真的CMOS实现更高密度，更高的性能和低功耗

工艺技术。它提供了低功耗待机功耗;因此，它适合于备用电池

系统。它被封装在标准的44引脚塑料TSOPII 。

特点

单3.0 V电源： 2.7 V至3.6 V

快速存取时间： 70纳秒/ 85纳秒（最大）

功耗：

主动： 9毫瓦（典型值）

待机： 3 μW （典型值）

完全静态存储器。

无需时钟或定时选通

平等的机会和周期时间

常见的数据输入和输出。

三态输出

电池备份操作。

HM62V16258B系列

订购信息

型号

HM62V16258BLTT-7

HM62V16258BLTT-8

HM62V16258BLTT-7SL

HM62V16258BLTT-8SL

存取时间

70纳秒

85纳秒

70纳秒

85纳秒

包

400万44引脚塑料TSOPII （正常弯曲型）（ TTP-提供44dB ）

HM62V16258B系列

管脚配置

44针TSOP

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

A17

A16

A15

A14

A13

（ TOP VIEW ）

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

A10

A11

A12

引脚说明

引脚名称

A0到A17

I / O0至I / O15

功能

地址输入

数据输入/输出

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

低字节选择

高字节选择

电源

地

无连接

HM62V16258B系列

框图

最低位

A15

A14

A16

A17

A13

ROW

解码器

存储矩阵

2,048 x 2,048

最高位

I/O0

输入

数据

控制

I/O15

列I / O

列解码器

LSB A7 A6A5 A8 A9A10A11

A12MSB

控制逻辑

HM62V16258B系列

手术床

I / O0至I / O7

高-Z

DOUT

高-Z

DIN

高-Z

的I / O8到I / O15

高-Z

DOUT

高-Z

DOUT

DIN

高-Z

DIN

高-Z

手术

待机

读

低字节读

高字节读

写

低字节写入

高字节写

输出禁用

注： H： V

， L： V

×:

或V

绝对最大额定值

参数

电源电压相到V

任何引脚相对于V端子电压

功耗

存储温度范围

下偏置存储温度范围

符号

TSTG

Tbias

价值

-0.5 + 4.6

–0.5*

到V

+ 0.3*

1.0

-55到+125

-10至+85

单位

°C

注意事项： 1， V

分： -3.0 V脉冲半宽度

≤

30纳秒。

2.最大电压为4.6 V.

直流工作条件

参数

电源电压

符号

输入高电压

输入低电压

环境温度范围

注意：

民

2.7

2.0

–0.3

典型值

3.0

—

最大

3.6

+ 0.3

0.6

单位

°C

记

1. V

分： -3.0 V脉冲半宽度

≤

30纳秒。

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