HM62V16100I系列
工作温度范围宽版
16M的SRAM （ 1 - Mword
×
16-bit)
REJ03C0060-0200Z
修订版2.00
Oct.06.2003
描述
该HM62V16100I系列是16兆的静态RAM举办1 Mword
×
16位。 HM62V16100I系列有
通过采用CMOS工艺实现的更高密度，更高的性能和低功耗
技术（ 6晶体管存储单元） 。它提供了低功耗待机功耗;因此，它是
适用于电池备份系统。它有48焊球晶片级封装与0.75包的变化
凹凸毫米高密度表面安装间距和48引脚塑料TSOPI 。
特点
单3.0 V电源： 2.7 V至3.6 V
快速访问时间： 45/55 NS （最大值）
功耗：
主动： 9毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 1.5
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
电池备份操作。
2芯片选择备用电池
温度范围：
40
至+ 85°C
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ，第23页1
HM62V16100I系列
订购信息
型号
HM62V16100LTI-4
HM62V16100LTI-4SL
HM62V16100LTI-5SL
HM62V16100LBPI-4
HM62V16100LBPI-4SL
HM62V16100LBPI-5SL
存取时间
45纳秒
45纳秒
55纳秒
45纳秒
45纳秒
55纳秒
48焊球CSP与0.75毫米凸块间距（ TBP- 48F ）
包
48引脚塑料TSOPI （正常弯曲型） （ TFP - 48DA ）
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第2页
HM62V16100I系列
管脚配置
48针TSOP
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
1
2
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字节
V
SS
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I/O13
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I/O12
I/O4
V
CC
I/O11
I/O3
I/O10
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I/O9
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NU
UB
LB
A18
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A4
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A2
A1
OE
V
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CS1
A0
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第3页
HM62V16100I系列
引脚说明
（ TSOP ）
引脚名称
A0到A19
A- 1 A19
I / O0至I / O15
CS1
CS2
WE
OE
LB
UB
字节
V
CC
V
SS
NC
NU *
1
功能
地址输入（字模式）
地址输入（字节模式）
数据输入/输出
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节选择
高字节选择
字节使能
电源
地
无连接
未使用（测试模式引脚）
注：1，该引脚应连接到地（Ⅴ
SS
） ，或者不连接（断开） 。
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第4页
HM62V16100I系列
48 - CSP颠簸
1
A
2
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A0
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WE
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I/O7
H
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NU
（ TOP VIEW ）
引脚说明
（ CSP ）
引脚名称
A0到A19
I / O0至I / O15
CS1
CS2
WE
OE
LB
UB
V
CC
V
SS
NU *
1
功能
地址输入
数据输入/输出
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节选择
高字节选择
电源
地
未使用（测试模式引脚）
注：1，该引脚应连接到地（Ⅴ
SS
） ，或者不连接（断开） 。
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第5页
HM62V16100I系列
工作温度范围宽版
16M的SRAM （ 1 - Mword
×
16-bit)
REJ03C0060-0200Z
修订版2.00
Oct.06.2003
描述
该HM62V16100I系列是16兆的静态RAM举办1 Mword
×
16位。 HM62V16100I系列有
通过采用CMOS工艺实现的更高密度，更高的性能和低功耗
技术（ 6晶体管存储单元） 。它提供了低功耗待机功耗;因此，它是
适用于电池备份系统。它有48焊球晶片级封装与0.75包的变化
凹凸毫米高密度表面安装间距和48引脚塑料TSOPI 。
特点
单3.0 V电源： 2.7 V至3.6 V
快速访问时间： 45/55 NS （最大值）
功耗：
主动： 9毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 1.5
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
电池备份操作。
2芯片选择备用电池
温度范围：
40
至+ 85°C
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ，第23页1
HM62V16100I系列
订购信息
型号
HM62V16100LTI-4
HM62V16100LTI-4SL
HM62V16100LTI-5SL
HM62V16100LBPI-4
HM62V16100LBPI-4SL
HM62V16100LBPI-5SL
存取时间
45纳秒
45纳秒
55纳秒
45纳秒
45纳秒
55纳秒
48焊球CSP与0.75毫米凸块间距（ TBP- 48F ）
包
48引脚塑料TSOPI （正常弯曲型） （ TFP - 48DA ）
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第2页
HM62V16100I系列
管脚配置
48针TSOP
A15
A14
A13
A12
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A9
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NC
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字节
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A0
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第3页
HM62V16100I系列
引脚说明
（ TSOP ）
引脚名称
A0到A19
A- 1 A19
I / O0至I / O15
CS1
CS2
WE
OE
LB
UB
字节
V
CC
V
SS
NC
NU *
1
功能
地址输入（字模式）
地址输入（字节模式）
数据输入/输出
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节选择
高字节选择
字节使能
电源
地
无连接
未使用（测试模式引脚）
注：1，该引脚应连接到地（Ⅴ
SS
） ，或者不连接（断开） 。
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第4页
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48 - CSP颠簸
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A
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引脚说明
（ CSP ）
引脚名称
A0到A19
I / O0至I / O15
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WE
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V
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NU *
1
功能
地址输入
数据输入/输出
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节选择
高字节选择
电源
地
未使用（测试模式引脚）
注：1，该引脚应连接到地（Ⅴ
SS
） ，或者不连接（断开） 。
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第5页
HM62V16100I系列
工作温度范围宽版
16M的SRAM （ 1 - Mword
×
16-bit)
REJ03C0060-0200Z
修订版2.00
Oct.06.2003
描述
该HM62V16100I系列是16兆的静态RAM举办1 Mword
×
16位。 HM62V16100I系列有
通过采用CMOS工艺实现的更高密度，更高的性能和低功耗
技术（ 6晶体管存储单元） 。它提供了低功耗待机功耗;因此，它是
适用于电池备份系统。它有48焊球晶片级封装与0.75包的变化
凹凸毫米高密度表面安装间距和48引脚塑料TSOPI 。
特点
单3.0 V电源： 2.7 V至3.6 V
快速访问时间： 45/55 NS （最大值）
功耗：
主动： 9毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 1.5
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
电池备份操作。
2芯片选择备用电池
温度范围：
40
至+ 85°C
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ，第23页1
HM62V16100I系列
订购信息
型号
HM62V16100LTI-4
HM62V16100LTI-4SL
HM62V16100LTI-5SL
HM62V16100LBPI-4
HM62V16100LBPI-4SL
HM62V16100LBPI-5SL
存取时间
45纳秒
45纳秒
55纳秒
45纳秒
45纳秒
55纳秒
48焊球CSP与0.75毫米凸块间距（ TBP- 48F ）
包
48引脚塑料TSOPI （正常弯曲型） （ TFP - 48DA ）
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第2页
HM62V16100I系列
管脚配置
48针TSOP
A15
A14
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NC
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引脚说明
（ TSOP ）
引脚名称
A0到A19
A- 1 A19
I / O0至I / O15
CS1
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字节
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1
功能
地址输入（字模式）
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数据输入/输出
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写使能
OUTPUT ENABLE
低字节选择
高字节选择
字节使能
电源
地
无连接
未使用（测试模式引脚）
注：1，该引脚应连接到地（Ⅴ
SS
） ，或者不连接（断开） 。
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第4页
HM62V16100I系列
48 - CSP颠簸
1
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VSS
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（ TOP VIEW ）
引脚说明
（ CSP ）
引脚名称
A0到A19
I / O0至I / O15
CS1
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功能
地址输入
数据输入/输出
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低字节选择
高字节选择
电源
地
未使用（测试模式引脚）
注：1，该引脚应连接到地（Ⅴ
SS
） ，或者不连接（断开） 。
Rev.2.00 ， Oct.06.2003 ， 23第5页
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