HM62A16100I系列
工作温度范围宽版
16M的SRAM （ 1 - Mword
×
16-bit)
REJ03C0053-0001Z
初步
0.01版本
Jun.02.2003
描述
瑞萨HM62A16100I系列是16兆的静态RAM举办1 Mword
×
16位。 HM62A16100I
系列已经通过采用CMOS实现更高密度，更高的性能和低功耗
处理技术（ 6晶体管存储单元） 。它提供了低功耗待机功耗;因此，它
适合于电池备份系统。它有48焊球晶片级封装的封装变化
0.75毫米凸块间距的高密度表面安装。
特点
采用1.8 V单电源： 1.65 V至2.2 V
快速存取时间： 70纳秒（最大）
功耗：
主动： 3.6毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 0.9
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
电池备份操作。
2芯片选择备用电池
温度范围：
40
至+ 85°C
初步：该设备的规格如有变更，恕不另行通知。请联系您
最近瑞萨科技销售部有关规范。
Rev.0.01 ， Jun.02.2003 ，第17页1
HM62A16100I系列
订购信息
型号
HM62A16100LBPI-7
HM62A16100LBPI-7SL
存取时间
70纳秒
70纳秒
包
48焊球CSP与0.75毫米凸块间距（ TBP- 48F ）
Rev.0.01 ， Jun.02.2003 ， 17第2页
HM62A16100I系列
管脚配置
48 - CSP颠簸
1
A
2
3
A0
4
A1
5
A2
6
CS2
LB
I/O8
OE
UB
I/O10
B
A3
A4
CS1
I/O1
I/O0
C
I/O9
A5
A6
I/O2
D
VSS
I/O11
A17
A7
I/O3
VCC
E
VCC
I/O12
VSS
A16
I/O4
VSS
F
I/O14
I/O13
A14
A15
I/O5
I/O6
G
I/O15
A19
A12
A13
WE
A11
I/O7
H
A18
A8
A9
A10
NU
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚名称
A0到A19
I / O0至I / O15
CS1
CS2
WE
OE
LB
UB
V
CC
V
SS
NU *
1
功能
地址输入
数据输入/输出
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节选择
高字节选择
电源
地
未使用（测试模式引脚）
注：1，该引脚应连接到地（Ⅴ
SS
） ，或者不连接（断开） 。
Rev.0.01 ， Jun.02.2003 ， 17第3页
HM62A16100I系列
框图
LSB A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A16
A18
A15
A3
MSB A6
V
CC
V
SS
ROW
解码器
存储矩阵
8,192 x 128 x 16
I/O0
输入
数据
控制
I/O15
列I / O
列解码器
MSB A17 A7 A5 A4 A2 A1 A0 LSB
CS1
LB
UB
WE
OE
CS2
控制逻辑
Rev.0.01 ， Jun.02.2003 ， 17的4页
HM62A16100I系列
手术床
CS1
H
×
×
L
L
L
L
L
L
L
CS2
×
L
×
H
H
H
H
H
H
H
WE
×
×
×
H
H
H
L
L
L
H
OE
×
×
×
L
L
L
×
×
×
H
UB
×
×
H
L
H
L
L
H
L
×
LB
×
×
H
L
L
H
L
L
H
×
I / O0至I / O7
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
高-Z
高-Z
的I / O8到I / O15
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
高-Z
手术
待机
待机
待机
读
低字节读
高字节读
写
低字节写入
高字节写
输出禁用
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
V
CC
V
T
P
T
TSTG
Tbias
价值
0.3
到+ 2.6
0.3*
到V
CC
+ 0.3*
1
2
单位
V
V
W
°C
°C
1.0
55
+125
40
+85
注意事项： 1， V
T
分：
2.0
V脉冲半宽度
≤
10纳秒。
2.最大电压为2.6 V.
直流工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
环境温度范围
注意：
V
IH
V
IL
Ta
民
1.65
0
0.3
40
典型值
1.8
0
最大
2.2
0
V
CC
+ 0.3
85
单位
V
V
V
1
°C
记
0.75
×
V
CC
0.25
×
V
CC
V
1. V
IL
分：
2.0
V脉冲半宽度
≤
10纳秒。
Rev.0.01 ， Jun.02.2003 ， 17第5页
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