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HM628512系列

524288-word

×

8位高速CMOS静态RAM

ADE - 203-236F （ Z）

修订版6.0

1995年6月9日

描述

日立HM628512是4兆的静态RAM举办512千字

×

8位。它实现igher密度，更高

性能和低功耗采用0.5

m

HI- CMOS工艺技术。的装置，

封装在一个525密耳SOP （脚印间距宽度）或400万TSOP II型或600密耳的塑料DIP ，是

适用于高密度安装。 LP-版本适用于电池备份系统。

特点

高速：快速存取时间：

55/65/70 NS （最大值）

低功耗

待机： 10

W

（典型值）（ L / L - SL版）

操作： 75毫瓦（典型值）（ F = 1兆赫）

5 V单电源

完全静态存储器

无需时钟或定时选通

平等的机会和周期时间

常见的数据输入和输出：三态输出

直接TTL兼容：所有输入和输出

的备用电池的操作能力（L / L -SL版本）

HM628512系列

订购信息

型号

HM628512P-5

HM628512P-7

HM628512LP-5

HM628512LP-7A

HM628512LP-7

HM628512LP-5SL

HM628512LP-7SL

HM628512FP-5

HM628512FP-7

HM628512LFP-5

HM628512LFP-7A

HM628512LFP-7

HM628512LFP-5SL

HM628512LFP-7SL

HM628512LTT-5

HM628512LTT-7A

HM628512LTT-7

HM628512LTT-5SL

HM628512LTT-7SL

HM628512LRR-5

HM628512LRR-7A

HM628512LRR-7

HM628512LRR-5SL

HM628512LRR-7SL

存取时间

55纳秒

70纳秒

55纳秒

65纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

65纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

65纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

65纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

400万的32引脚塑料TSOP II反向（ TTP- 32DR ）

400万的32引脚塑料TSOP II （ TTP - 32D ）

525万的32引脚塑料SOP （ FP- 32D ）

包

600万的32引脚塑料DIP （ DP- 32 ）

2

HM628512系列

管脚配置

HM628512P / LP系列

HM628512FP / LFP系列

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O0

I/O1

I/O2

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

（ TOP VIEW ）

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

V

CC

A15

A17

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CS

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

V

CC

A15

A17

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CS

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

（ TOP VIEW ）

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O0

I/O1

I/O2

V

SS

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O0

I/O1

I/O2

V

SS

HM628512LTT系列

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

（ TOP VIEW ）

HM628512LRR系列

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

V

CC

A15

A17

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CS

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

引脚说明

引脚名称

A0 – A18

I / O0 - I / O7

CS

OE

WE

V

CC

V

SS

功能

地址

输入/输出

芯片选择

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

3

HM628512系列

框图

V

CC

V

SS

A5

A6

A0

A1

A2

A3

A4

A7

A12

A14

ROW

解码器

存储矩阵

1,024

×

4,096

I/O0

输入

数据

控制

I/O7

列I / O

列解码器

A13 A17 A15 A10 A11 A9 A8 A16 A18

CS

WE

OE

定时脉冲发生器

读/写控制

4

HM628512系列

功能表

WE

X

H

H

L

L

CS

H

L

L

L

L

OE

X

H

L

H

L

模式

未选择

输出禁用

读

写

写

V

CC

当前

I

SB

, I

SB1

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

DOUT引脚

高-Z

高-Z

DOUT

DIN

DIN

参考文献。周期

—

—

读周期

写周期（ 1）

写周期（ 2）

注：X： H或L

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于V电压

SS *1

功耗

工作温度

储存温度

在偏置存储温度

符号

V

T

P

T

TOPR

TSTG

Tbias

价值

–0.5

*2

到+7.0

1.0

0至+70

-55到+125

-10至+85

单位

V

W

°C

°C

°C

注：1。相对于V

SS

.

2. -3.0 V脉冲半宽度

≤

30纳秒

建议的直流工作条件

（大= 0至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

V

CC

V

SS

输入高电平（逻辑1 ）电压

输入低电平（逻辑0 ）电压

注意：

V

IH

V

IL

民

4.5

0

2.2

–0.3

*1

典型值

5.0

0

—

—

最大

5.5

0

6.0

0.8

单位

V

V

V

V

1. -3.0 V脉冲半宽度

≤

30纳秒

5

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