HM628512C系列
的4M SRAM ( 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-1212 ( Z)
初步
修订版0.0
2000年9月12日
描述
日立HM628512C是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。它实现了更高的密度,
更高的性能和低功耗采用高保真CMOS工艺技术。的装置,
封装在一个525密耳SOP (脚印间距宽度)或400万TSOP II型或600密耳的塑料DIP ,是
适用于高密度安装。该HM628512C适合电池备份系统。
特点
5 V单电源
访问时间: 55/70 NS (最大值)
功耗
主动: 50毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
W
(典型值)
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出:三态输出
直接TTL兼容:所有输入和输出
电池备份操作
初步:该设备的规格如有变更,恕不另行通知。请联系您
最近日立的销售部关于规范。
HM628512C系列
订购信息
型号
HM628512CLP-5
HM628512CLP-7
HM628512CLP-5SL
HM628512CLP-7SL
HM628512CLFP-5
HM628512CLFP-7
HM628512CLFP-5SL
HM628512CLFP-7SL
HM628512CLTT-5
HM628512CLTT-7
HM628512CLTT-5SL
HM628512CLTT-7SL
HM628512CLRR-5
HM628512CLRR-7
HM628512CLRR-5SL
HM628512CLRR-7SL
存取时间
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II反向( TTP- 32DR )
400万的32引脚塑料TSOP II ( TTP - 32D )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
包
600万的32引脚塑料DIP ( DP- 32 )
2
HM628512C系列
框图
最低位
V
CC
V
SS
最高位
A11
A9
A8
A15
A18
A10
A13
A17
A16
A14
A12
ROW
解码器
存储矩阵
2,048
×
2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
LSB A3 A2A1A0 A4 A5 A6 A7 MSB
CS
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4
我们所有的客户
关于文件中提到的名字,如日立的变化
电气与日立XX ,瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM (闪速存储器,静态存储器等)等
因此,虽然日立,日立制作所,日立半导体,和其他日立牌
名称被提到的文件中,这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标,标识和
企业声明,没有改变任何已对文档的内容,并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页: http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计!
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的,但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害,火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的
例如(i )替代的布置,辅助电路,(ⅱ)使用不易燃的材料或措施
(三)预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可,属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责,或侵权
第三方的权利,对原产于使用任何产品数据,图,表,程序,算法,或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息,并
受瑞萨科技公司,恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此,建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前,这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着,包括瑞萨科技半导体首页
( http://www.renesas.com ) 。
4.当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图形或所有信息,
图表,程序和算法,请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失,责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中,人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的,例如装置或使用时
系统运输,车辆,医疗,航空航天,核能,或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制,它们必须是
日本政府根据许可证出口,不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
HM628512C系列
的4M SRAM ( 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-1212C ( Z)
修订版3.0
2002年8月5日
描述
日立HM628512C是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。它实现了更高的密度,
更高性能和低功耗的采用CMOS工艺技术( 6晶体管
存储单元) 。该设备,封装在一个525密耳的SOP (脚打印间距宽度)或400密耳的TSOP II型或
600密耳厚的塑料DIP ,可用于高密度安装。该HM628512C适合备用电池
系统。
特点
5 V单电源
访问时间: 55/70 NS (最大值)
功耗
主动: 10毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 4
W
(典型值)
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出:三态输出
直接TTL兼容:所有输入和输出
电池备份操作
HM628512C系列
订购信息
型号
HM628512CLP-7
HM628512CLP-5SL
HM628512CLFP-7
HM628512CLFP-5SL
HM628512CLTT-7
HM628512CLTT-5SL
HM628512CLRR-7
HM628512CLRR-5SL
存取时间
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II反向( TTP- 32DR )
400万的32引脚塑料TSOP II ( TTP - 32D )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
包
600万的32引脚塑料DIP ( DP- 32 )
2