【HM628512B系列的4M SRAM （ 512千字×8-bit)ADE - 203-903D （】,IC型号HM628512BLTT-5UL,HM628512BLTT-5UL PDF资料,HM628512BLTT-5UL经销商,ic,电子元器件-51电子网

HM628512B系列

的4M SRAM （ 512千字

8-bit)

ADE - 203-903D （ Z）

修订版3.0

1999年8月24日

描述

日立HM628512B是4兆的静态RAM举办512千字

8位。它实现了更高的密度，

更高的性能和低功耗通过采用0.35

HI- CMOS工艺技术。该

设备，封装在一个525密耳的SOP （脚打印间距宽度）或400密耳的TSOP II型或600密耳厚的塑料DIP ，

可用于高密度安装。该HM628512B适合电池备份系统。

特点

5 V单电源

访问时间： 55/70 NS （最大值）

功耗

主动： 50毫瓦/ MHz（典型值）

待机： 10

（典型值）

完全静态存储器。无需时钟或定时选通

平等的机会和周期时间

常见的数据输入和输出：三态输出

直接TTL兼容：所有输入和输出

电池备份操作

HM628512B系列

订购信息

型号

HM628512BLP-5

HM628512BLP-7

HM628512BLP-5SL

HM628512BLP-7SL

HM628512BLP-5UL

HM628512BLP-7UL

HM628512BLFP-5

HM628512BLFP-7

HM628512BLFP-5SL

HM628512BLFP-7SL

HM628512BLFP-5UL

HM628512BLFP-7UL

HM628512BLTT-5

HM628512BLTT-7

HM628512BLTT-5SL

HM628512BLTT-7SL

HM628512BLTT-5UL

HM628512BLTT-7UL

HM628512BLRR-5

HM628512BLRR-7

HM628512BLRR-5SL

HM628512BLRR-7SL

HM628512BLRR-5UL

HM628512BLRR-7UL

存取时间

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

55纳秒

70纳秒

400万的32引脚塑料TSOP II反向（ TTP- 32DR ）

400万的32引脚塑料TSOP II （ TTP - 32D ）

525万的32引脚塑料SOP （ FP- 32D ）

包

600万的32引脚塑料DIP （ DP- 32 ）

HM628512B系列

管脚配置

HM628512BLP系列

HM628512BLFP系列

A18

A16

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

（ TOP VIEW ）

A15

A17

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

A18

A16

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

（ TOP VIEW ）

HM628512BLRR系列

A15

A17

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

（ TOP VIEW ）

A18

A16

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

HM628512BLTT系列

A15

A17

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

引脚说明

引脚名称

A0到A18

I / O0至I / O7

功能

地址输入

数据输入/输出

芯片选择

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

HM628512B系列

框图

A18

A16

A12

A14

ROW

解码器

存储矩阵

1,024

4,096

I/O0

输入

数据

控制

I/O7

列I / O

列解码器

A10 A4 A5

A13 A17A15A8 A9 A11

定时脉冲发生器

读/写控制

HM628512B系列

功能表

模式

未选择

输出禁用

读

写

当前

, I

SB1

DOUT引脚

高-Z

DOUT

DIN

参考文献。周期

—

读周期

写周期（ 1）

写周期（ 2）

注意：

×:

H或L

绝对最大额定值

参数

电源电压

任何引脚相对于V电压

功耗

工作温度

储存温度

在偏置存储温度

符号

TOPR

TSTG

Tbias

价值

-0.5到+7.0

–0.5*

到V

+ 0.3*

1.0

-20至+70

-55到+125

-20至+85

单位

°C

注意事项： 1， -3.0 V脉冲半宽度

≤

30纳秒

2.最大电压为7.0 V

建议的直流工作条件

（大= -20 + 70 ° C）

参数

电源电压

符号

输入高电压

输入低电压

注意：

民

4.5

2.2

–0.3

典型值

5.0

—

最大

5.5

+ 0.3

0.8

单位

1. -3.0 V脉冲半宽度

≤

30纳秒