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HM628512BI系列
的4M SRAM ( 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-935C ( Z)
修订版2.0
1999年8月24日
描述
日立HM628512BI是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。 HM628512BI系列有
通过采用的Hi- CMOS工艺实现更高密度,更高的性能和低功耗
技术。该HM628512BI系列提供低功耗待机功耗;因此,它适合于
电池备份系统。它封装在32引脚SOP , 32引脚TSOP II和32引脚DIP封装。
特点
5 V单电源
访问时间:八十五分之七十零NS (最大值)
功耗
主动: 50毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
W
(典型值)
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出:三态输出
直接TTL兼容:所有输入和输出
电池备份操作
工作温度: -40 + 85℃
HM628512BI系列
订购信息
型号
HM628512BLPI-7
HM628512BLPI-8
HM628512BLFPI-7
HM628512BLFPI-8
HM628512BLTTI-7
HM628512BLTTI-8
HM628512BLRRI-7
HM628512BLRRI-8
存取时间
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
600万的32引脚塑料DIP ( DP- 32 )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
400万的32引脚塑料TSOP II ( TTP - 32D )
400万的32引脚塑料TSOP II反向( TTP- 32DR )
2
HM628512BI系列
管脚配置
HM628512BLPI系列
HM628512BLFPI系列
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
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4
5
6
7
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11
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13
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15
16
( TOP VIEW )
32
31
30
29
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19
18
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V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
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12
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( TOP VIEW )
HM628512BLRRI系列
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
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( TOP VIEW )
1
2
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5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
HM628512BLTTI系列
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
引脚名称
A0到A18
I / O0至I / O7
CS
OE
WE
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
3
HM628512BI系列
框图
V
CC
V
SS
A18
A16
A1
A0
A2
A12
A14
A3
A7
A6
ROW
解码器
存储矩阵
1,024
×
4,096
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
A10 A4 A5
A13 A17A15A8 A9 A11
CS
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4
HM628512BI系列
功能表
WE
×
H
H
L
L
CS
H
L
L
L
L
OE
×
H
L
H
L
模式
未选择
输出禁用
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
DOUT引脚
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
读周期
写周期( 1)
写周期( 2)
注意:
×:
H或L
绝对最大额定值
参数
电源电压
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
工作温度
储存温度
在偏置存储温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+7.0
–0.5*
1
到V
CC
+ 0.3*
2
1.0
-40至+85
-55到+125
-40至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注意事项: 1, -3.0 V脉冲半宽度
30纳秒
2.最大电压为7.0 V
建议的直流工作条件
( TA = -40至+ 85°C )
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
注意:
V
IH
V
IL
4.5
0
2.4
–0.3
*1
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.3
0.6
单位
V
V
V
V
1. -3.0 V脉冲半宽度
30纳秒
5
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