HM628128D系列
1M的SRAM ( 128千字
×
8-bit)
ADE - 203-996 ( Z)
初步修订版0.0
1999年1月20日
描述
日立HM628128D系列1 - Mbit的静态RAM举办的131,072 -千字
×
8位。 HM628128D
系列已经通过采用您好,实现更高的密度,更高性能和低功耗
CMOS工艺技术。该HM628128D系列提供低功耗待机功耗;
因此,它适合于电池备份系统。它有标准的32引脚塑料DIP封装的变化,
标准的32引脚塑料SOP标准32引脚塑料TSOPI 。
特点
采用5 V单电源: 5 V
±
10%
访问时间: 55纳秒/ 70纳秒(最大)
功耗
主动: 30毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
W
(典型值)
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出
三态输出
直接TTL兼容所有输入
电池备份操作
2芯片选择备用电池
HM628128D系列
订购信息
型号
HM628128DLP-5
HM628128DLP-7
HM628128DLP-5SL
HM628128DLP-7SL
HM628128DLP-5UL
HM628128DLP-7UL
HM628128DLFP-5
HM628128DLFP-7
HM628128DLFP-5SL
HM628128DLFP-7SL
HM628128DLFP-5UL
HM628128DLFP-7UL
HM628128DLTS-5
HM628128DLTS-7
HM628128DLTS-5SL
HM628128DLTS-7SL
HM628128DLTS-5UL
HM628128DLTS-7UL
HM628128DLT-5
HM628128DLT-7
HM628128DLT-5SL
HM628128DLT-7SL
HM628128DLT-5UL
HM628128DLT-7UL
HM628128DLR-5
HM628128DLR-7
HM628128DLR-5SL
HM628128DLR-7SL
HM628128DLR-5UL
HM628128DLR-7UL
存取时间
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
反向弯曲型8
×
20毫米32引脚塑料TSOP I( TFP- 32DR )
普通弯型8
×
20毫米32引脚塑料TSOP I( TFP- 32D )
8
×
13.4毫米32引脚塑料TSOP I( TFP- 32DC )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
包
600万的32引脚塑料DIP ( DP- 32 )
2
HM628128D系列
框图
最低位
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A10
最高位
ROW
解码器
V
CC
V
SS
存储矩阵
512 x 2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
最低位
A14 A16 A15 A13 A8 A9 A11
最高位
CS1
CS2
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4